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【龙腾DIY】28W LED灯电源

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bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-9-25 11:40:15
看到大家不断发帖和诱人的奖品,忍不住也发给帖凑凑热闹;
学习现有28W 电源的优点,综合龙腾超结器件的特征,希望做出了效率高,温升低,过EMC,可靠性高的电源。
原理图还在整理中,后续不断更新。

主控制器用SD6800,MOSFET LSD07N65.
YTDFWANGWEI
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  • 2014-9-25 12:29:10
 
谁说LED行业没有前途,看看龙腾原创,有多少是LED行业的。呵呵。
hlp330
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  • 2014-9-25 13:20:53
 
28W的,输出电压范围打算做多少?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-9-25 16:33:13
 
输出电压 40V-0.7A ;
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:24:38
 
输出电流这么小,应该比较容易做,毕竟热量不会高,只要注意尺寸和成本就可以了
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 22:49:19
 
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bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-9-25 16:37:15
 
业余搞一搞,顺便把超结MOSFET特性了解学习一下。论坛气氛好,大家分享一下各自经验,相互学习,1+1>2, 共同进步。
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:27:29
 
是的呢, 我也是多看看帖子,多学习学习,从MOS,变压器,结构,设计,PCB入手
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 18:46:34
 
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TDK代理商
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本网技师
  • 2014-11-14 17:00:10
 
只是看看,凑个热闹
forget
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副总工程师
  • 2014-9-25 13:37:18
 
SD6800是带有单级PFC的吧,效率能做到多少呢?单级PFC不好控制的就是100Hz频闪了。这个28W的LED驱动电源是恒流1A的吗?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-9-25 16:34:48
 
SD6800是带有单级PFC的吧,效率能做到多少呢?单级PFC不好控制的就是100Hz频闪了。这个28W的LED驱动电源是恒流1A的吗? 1-SD6800是带有单级PFC
2-28W的LED驱动电源是恒流0.7A
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:28:16
 
做的好不会频闪的,有时还要看用的是什么负载, 带不带电容
qq80644864
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  • 2014-10-11 23:00:45
 
单级的都会有频闪的,除非再另外加电路去改善
加电路就增加了损耗
如果选单级的方案,就要有频闪的准备
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-13 23:05:31
 
既然是这样,那如果空间可以,PCB板也能大,成本不计较的情况下,当然要增加电路来改善了,如果频闪的问题解决不了,再低的成本也没有用啊,这个频闪还和是什么负载有关系吧
hwx-555
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总工程师
  • 2014-9-25 13:37:26
 
SD6800是什么类型的IC,单级PFC?
wxj1220
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高级工程师
  • 2014-9-26 10:41:17
 
楼主多多分享实践经验啊,这里偶得 SD6800 资料贡献一下,SD6800.pdf
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:29:49
 
SD6800是集成PFC功能的原边控制模式的LED驱动控制芯片。它采用固定导通时间控制来实现PFC功能,并提供精确的恒流控制,具有非常高的平均效率
kongfuzi
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本网技师
  • 2014-9-29 17:34:36
 
期待楼主的原理图
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-9-30 14:13:15
 
更多精彩节后分享。


潇湘夜雨
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高级工程师
  • 2014-10-9 10:19:44
 
28W LED电源,目标效率是多少?关注下
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-10 10:31:03
 
期待目标90%, 毕竟电流小,可以做的好
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-11 17:23:21
 
上传原理图

bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-14 11:55:21
 
单级PFC优势,效率高,成本低,目前已经被大批量应用;
劣势就是抗浪涌冲击能力不足,原因是整流桥后没有大的电解电容吸收浪涌尖峰。
有客户反馈当有大功率电器开关机时和电源的总闸开启时,电源失效的现象;
弥补浪涌冲击能力不足,方法有很多;
1-前端吸收电路充足,压敏电阻 尺寸和耐压等级;一般T8灯管用10D561
2-吸收电路位置,压敏电阻要放在整流桥后的差模电感后。
3-使用耐压高管子,比如800V;
当然还有其他方法。欢迎大家给出。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 12:01:00
 
压敏电阻放差模后,吸收不更差吗?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-14 14:42:14
 
不是的,我做过测试,差模电感在浪涌电流减小的时候有升压的作用,类似PFC 电感作用。






通道1: MOS 漏源电压(黄色, 200V/div);
通道2: 电源母线电压(绿色, 200V/div); 最高值912V

通道3: MOSFET漏源电流 (紫色,2A/div)


通道1: MOS 漏源电压(黄色, 200V/div);
通道2: 电源母线电压(绿色, 200V/div); 最高值804V

通道3: MOSFET漏源电流 (紫色,2A/div)
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 14:44:53
 
差模电感确实具有这个功能。与后级的电容会谐振。
qq80644864
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  • 2014-10-14 23:06:50
 
我正在做的那个机子不也是跟后面的电容谐振了。。。
还有以前做的单级PFC,关机的时候也是有这样的
https://bbs.21dianyuan.com/file://c:/DOCUME~1/ADMINI~1/APPLIC~1/360se6/USERDA~1/Temp/140094~1.JPG
hlp330
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  • 2014-10-14 23:19:42
 
这个究竟是什么波形?电压应力都飞到天上去了。
qq80644864
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  • 2014-10-14 23:24:01
 
帅气吧,这个是我们这边调压器的问题
调压器也算个超大号电感了,在关机瞬间对我弱小的电源放电。。。可怜的小家伙哟。。。
这个问题是以前碰到的,我们纳闷了很久,后来解决掉了
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-15 08:36:30
 
涨知识了,是调压器输入电源切断瞬间导致的?
qq80644864
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  • 2014-10-25 15:50:13
 
对的
b44d55
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  • 2014-11-12 16:18:08
 
调压器输入电源切断瞬间...这种情况的波形有什么用...
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-25 16:55:25
 
关断瞬间,为什么是先降低后升高呢
qq80644864
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  • 2014-10-25 17:59:12
 
求解释
b44d55
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  • 2014-10-28 09:43:06
 
你这个是什么仪器啊,?
怎么会显示这个的?


YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-28 10:53:04
 
做了10年电源,连示波器都没见过?
hlp330
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  • 2014-10-28 11:13:53
 
这个还真有这样的,有些小公司,做电源就只有一个万用表。
qq80644864
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  • 2014-10-28 13:12:22
 
这是信息时代。。。公司没有,可以通过网络去瞧瞧总行吧
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-28 13:45:25
 
那么,即使没有示波器,做10年电源的人,连示波器都不认识?你相信?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-28 17:26:54
 
真不知道时候什么好,难道上大学老师没教过示波器吗,不能为了回帖而回帖;不能单纯为了奖品什么都回复,听说龙腾的活动对每个帖子都要审阅,不单考虑回复多楼层高,请自律。 不是说楼上。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-29 08:48:59
 
我也知道你不是说我,
liushuifong
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高级工程师
  • 2014-11-19 15:16:08
 
我觉得各位曲解了134楼问题的意思了,他应该问的是这是什么型号的示波器。这个好像是泰克的MDO4000系列混合域示波器吧
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-14 14:46:04
 
上图是压敏电阻位置在差模电感前,下图是压敏电阻在差模电感后;
压敏电阻在差模电感后;,母线电压降低100V,雪崩电流降低3A;

浪涌测试条件是230VAC,L-N 500V
hlp330
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  • 2014-10-14 16:43:58
 
差模电感有这个问题,那共模电感岂不是也有这个问题?上次有人说加了共模电感,浪涌测试不
过,去掉共模电感后,反而怎么测试都没有问题,相必是同样的道理。以后应用还需要注意呢。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-14 16:45:14
 
差模电感流过电流会储存能量,共模电感储存能量吗?这个没分析过。
hlp330
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  • 2014-10-14 23:01:50
 
共模电感多少都有一点差模分量。这个肯定会储存能量的。
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-15 08:46:57
 
我个人感觉浪涌通过思路好比足球比赛;
1-面对对方疯狂进攻,后卫必须足够强悍,阻挡进攻;
2-后卫阻挡失败,守门员就要足够强悍,把球扑住;
3-后卫好比压敏电阻,放电管灯防护措施;
4-守门员好比关键器件,比如MOSFET等;
hlp330
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  • 2014-10-15 10:58:38
 
你这个比喻很形象啊,有个疑问啊,后卫都成了压敏电阻,守门员是关键器件。那门框算什么呢
。还有一个就是输入的共模电感,可以抑制输入的浪涌电流,但是也会产生很大的反压,这个怎么算?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-15 18:35:55
 
门框算器件的一致性吧,一致性越好,失效的概率越低。
我要强调的思路是预防措施尽量靠近关键器件,做到贴身保护,防护。
b44d55
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  • 2014-10-21 11:29:07
 
说的很形象化啊, 那说点官面的话吧
浪涌电流指电源接通瞬间,流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电,所以该峰值电流远远大于稳态输入电流。电源应该限制AC开关、整流桥、保险丝、EMI滤波器件能承受的浪涌水平。反复开关环路,AC输入电压不应损坏电源或者导致保险丝烧断。
b44d55
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副总工程师
  • 2014-10-21 11:31:40
 
然后就是, 压敏电阻的作用了, 压敏电阻的特点是非线性特性好(I=CUα中的非线性系数α),通流容量大(~2KA/cm2),常态泄漏电流小(10-7~10-6A),残压低(取决于压敏电阻的工作电压和通流容量),对瞬时过电压响应时间快(~10-8s),无续流.
电网电压升高压敏电阻会不可恢复击穿短路同时保险丝也将断开,从而有效的放止过电压进入线路板


bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-21 18:08:10
 
浪涌测试对MOSFET考验在单级PFC表现的尤为苛刻,一旦母线电压超过MOSFET 最大BV,变压器电感饱和,瞬间非常高的能量从MOSFET 这里泻放,耐压高的器件可以避免能量从MOSFET这个通道走,但对其他防浪涌器件的应力加大;
综合考虑应让吸收浪涌的原件均摊浪涌能量,保证每个器件可靠性。
bei_jxing
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  • 2014-10-15 18:40:37
 
其实两一条思路也不错,就是通过检测母线电压高低降低电源的输出功率;
比如浪涌电压升高到最高值需要10-20μS,这段时间内检测母线电压,及时关闭电源或者降低输出电流到10%,浪涌高压时变压器不会饱和,进而大幅降低雪崩电流;
hlp330
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  • 2014-10-15 18:53:21
 
这个方法是不行的,按照测试规范,包括很多客户都要求,在做浪涌测试的时候,是不允许电源
的输出有掉电,包括功率不足的情况出现的。所以你还得想办法让电源满负荷的扛过去才行。
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-20 13:42:04
 
测试规范也分等级,灯具浪涌测试可以出现闪烁或者重启;通信设备当然是不允许掉电,重新等。

b44d55
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  • 2014-10-21 11:24:35
 
关于这个, 论坛里有讨论过的


bei_jxing
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  • 2014-10-21 18:09:11
 
多谢分享,原帖在哪?
wszdxp2004
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  • 2014-11-25 08:59:53
 
bei_jxing
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  • 2014-10-21 18:23:58
 
贴出PCB,刚完工;


bei_jxing
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  • 2014-11-5 18:05:36
 
PCB 做好了,明天继续焊接。

bei_jxing
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  • 2014-11-6 10:59:46
 
贴片焊接中
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-11-6 13:37:39
 
焊接完成,上电前。没有焊接MOSFET,先测试VGS波形。







上电后发现Vgs一直是低电平,检查电路焊接,辅助电源VCC 15V 均正常,翻阅SD6800规格书,发现VCC上升到16V,才会起到,辅助电源被15V稳压管限制在15V,去掉稳压管后Vgs出现,如下图。


hwx-555
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  • 2014-11-6 13:46:54
 
什么IC还要到16V才起动
bei_jxing
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  • 2014-11-6 14:30:35
 
SD6800,下图是应用笔记额定说明。

hwx-555
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  • 2014-11-6 14:34:55
 
这颗IC的开启点有点高了
hwx-555
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  • 2014-11-6 14:35:34
 
当然它这个回差电压倒很大,如果开启电压低点就最好
qq80644864
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  • 2014-11-7 13:07:53
 
启动电压跟工作电压不同,高点也没什么
hwx-555
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  • 2014-11-7 13:37:42
 
高了启动慢啊
qq80644864
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  • 2014-11-7 13:50:03
 
一般都在16V左右了,慢一点点可以接受啦
hwx-555
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  • 2014-11-7 15:41:06
 
一般都是9V左右吧,那有这么高
qq80644864
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  • 2014-11-7 22:43:41
 
直接给你个看看
1、NXP的4101T


2、我那个帖子里的1380




hwx-555
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  • 2014-11-10 08:05:14
 
这么高。。
qq80644864
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  • 2014-11-10 08:41:27
 
但是在正常工作的时候不会这么高的,只是在启动的时候而已
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-10 12:45:52
 
高了不一定启动慢吧?如果16V启动,8V截止,跟一个12V启动,8V 截止的IC,如果需要的启动能量一样,你会发现,16V 启动的这个,需要的电容会小一倍以上,同样的电阻,不知道时间会差多少,会仿真的可以仿真一下试试。
qq80644864
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  • 2014-11-10 12:50:08
 
如果要对比的话,应该拿相同容量的电容,同样的充电电流这样电压高的自然就慢了
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-10 12:52:07
 
不同的电压滞环,你还用相同的电容?那还有什么比较的意义。
hwx-555
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  • 2014-11-10 13:28:26
 
没对比过,但一般启动电压高的截止电压也会相应高一些。
qq80644864
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  • 2014-11-10 13:44:01
 
没错
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-10 13:48:19
 
但是,滞环电压一样,能量差却不一样啊。16V启动,12V关闭,跟12V启动8V关闭,相同启动能量,电容差基本一半。
hwx-555
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  • 2014-11-10 15:21:59
 
相同能量电压不同肯定电容储存电荷量不同。
bei_jxing
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  • 2014-11-7 12:32:07
 
安装MOSFET LSD07N65上电测试。


连接LED灯负载,13颗串联Luminleds Rebel ES 系列灯珠;




bei_jxing
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  • 2014-11-7 12:36:16
 
输入输出功率电压;

效率 17.95/20.30=0.8842
bei_jxing
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  • 2014-11-10 13:29:45
 
效率测试数据,从数据来看,Cds并接100p/1KV电容比Cgd并5p/1kv效率降低更多0.15%左右。




bei_jxing
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  • 2014-11-11 18:03:58
 
效率测试图片,效率还不错。

效率=28.88/32.68=88.37%




bei_jxing
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  • 2014-11-12 11:25:32
 
各电压下效率测试图,







hlp330
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  • 2014-11-12 11:37:45
 
看了一下,低压90V输入的时候效率差不多有88%,高压230V的时候,整体效率大约90%。做的
还可以啊,30W的功率,还有一定的优化空间啊,有时间可以多整整。
kongfuzi
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本网技师
  • 2014-11-12 17:10:04
 
有图有真相,楼主在默默的践行着这句话。欣赏楼主的表达风格。
bei_jxing
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  • 2014-11-13 14:57:50
 
LSD07N65 波形,300Vac;Vdsmax=611.8 611/650=0.94;裕量有点小;



YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-13 15:01:23
 
这个不仅仅要看这个尖峰,还要看这个尖峰的频率吧?有些可能是虚的。
bei_jxing
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  • 2014-11-13 16:17:09
 
恩,一会用示波器测试一下;时间设置μs级观察波形细节;
bei_jxing
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  • 2014-11-17 17:29:07
 
LSD07N65 VDS 波形,Vac=300V, 输出:42V-0.7A

Vdsmax=610V,Vdsmax=Vdcmax+Vro+Vos=300*1.414+(42+1.2)*2+(42+1.2)*2*1.15=610V Vos=100V 0.95<电压裕量<0.90
Vgs波形振荡明显,幅度5V左右,有点大,下面寻找引起振荡的原因和优化办法;
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-11-26 17:52:48
 
输入230V时,VDSmax-514V,650V管子裕量=514/650=0.79,
输入264V时,VDSmax-560V,650V管子裕量=560/650=0.864
看来只有市电电压平稳,峰值电压最高264V,裕量是86.4%

下面在补充测试IDS电流波形。
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-11-17 17:36:31
 
引起振荡的原因和优化办法;
1-Ls寄生电感大
2-VDS dv/dt高
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-11-13 16:26:40
 
次级整流二极管应力波形,300Vac-最大应力297V;


CH1,MOSFET驱动波形,CH2 次级整流管V K->A
根据反激计算公式 VD=VO+(NS/NP)*VBUSMAX=42+0.5*424.2=254.1V
上图中VD稳定值250V,与计算吻合。
s471085307
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  • 2014-10-24 16:44:15
 
R25 C12楼主这个地方如何取值啊
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-11-14 13:08:25
 
R25,C12我看到有书上说是作为软启动,取值是我参考士兰微的设计。
不过就在测试启动过程发现小小的问题,关闭电源,间隔1-2S开启电源,遇到启动打嗝的现象,具体波形见下图,谁能帮解释一下啊。


CH1 黄色,MOSFET驱动波形;
CH2 SD6800 VCC,
CH3 AC输入电流波形;
qq80644864
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  • 2014-11-14 13:47:24
 
空载和带载电压各多少?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-11-14 15:19:19
 
空载 48V,带载,42V。
qq80644864
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  • 2014-11-14 17:48:48
 
空载调高了试过没???
我怀疑是带负载带不上导致的结果试过之后,期待楼主给结果哦
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-11-17 14:19:34
 
空载48V没有改变,满载电压从14颗灯珠42V,降低到13颗灯珠39V,频繁间隔短时间启动没有出现闪烁打嗝的现象,然后再切换到14颗42V,频繁间隔短时间又出现了闪烁打嗝现象。
看来确实是满载启动的负载电压高了。还请楼上赐教。如何修改?
从波形判断SD6800驱动信号频率突然提高2-3倍,输入电流瞬间提高2-3倍,触发过流保护?
一会还得测试一下DS电流。
qq80644864
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  • 2014-11-17 14:37:40
 
这种IC都是有软启动的,不会像楼主说的过流保护
而是检测的时候电流环没起作用了,在打嗝几次之后,灯珠VF降低少于,这样就能启机,最终说明:空载电压低了,调高一点就可以了
hwx-555
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  • 2014-11-17 09:05:17
 
相差很大了,一般2V以内是可以的
qq80644864
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  • 2014-11-17 09:09:15
 
原边的这种东西,最少需要6V以上才保险,只要楼主增大之后搞定,那可以证明我说的了
hwx-555
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  • 2014-11-17 10:00:33
 
没看前面,原来是原边的。
qq80644864
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  • 2014-11-17 12:32:41
 
单级的方案,现在原边的最多了
hwx-555
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  • 2014-11-17 13:28:23
 
有段时间没搞LED电源,新的方案还真了解不多
qq80644864
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  • 2014-11-17 13:56:14
 
LED市场凌乱……搞的累惨了
bei_jxing
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  • 2014-11-14 16:44:34
 
测试整流桥后的电压,即C5电压,发现MOSFET驱动在C5=100V左右,频率突然由23.8K增加到54.95,交流输入电流突然增加到610mA. 猜测MOSFET,Ids电流突然增加,触发CS引脚的过流保护,进而进入打嗝保护状态。波形如下图
YTDFWANGWEI
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  • 2014-11-14 16:59:16
 
不像是辅助电源的问题。。。。
hwx-555
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总工程师
  • 2014-10-9 11:14:13
 
了解下,效率和待机功耗各是多少
hlp330
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  • 2014-10-9 12:25:30
 
LED电源,很多连辅助电源都没有,应该没有待机功耗这个要求吧?需要的话,直接关掉AC就行了。效率的话,还得看拓扑结构了,隔离不隔离的还是不小的差异的。
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 10:32:39
 
如果采用的是像LZ这种SD6800的设计系统,省去了光耦、次级反馈控制、环路补偿,可以降低成本
hlp330
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  • 2014-10-10 10:51:41
 
原边控制,反馈,补偿都在原边的,不过精度可能不高
cyx7610
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LV10
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  • 2014-10-14 06:55:04
 
对于LED电源来说,电压精度不是问题。
qq80644864
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  • 2014-10-14 08:20:58
 
330想说的不只是电压,还有电流等精度,包括动态也慢
wxj1220
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LV6
高级工程师
  • 2014-11-6 10:25:54
 
是原边反馈哦,
luoyan1980
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LV8
副总工程师
  • 2014-10-13 08:15:32
 
是的,有辅助电源的话,就要注意待机功耗了,不过像LED电源,单电压输出,关机直接关AC,也就不存在待机的问题了。
梦开始的地方
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LV8
副总工程师
  • 2014-10-13 23:00:16
 
现在的全电压输入,单电压输出,做的也比较多吧,至于待机损耗,一般控制在芯片技术的规定范围内的话,也没关系的,那点损耗,待机状态下没有热量,就怕这点功率在加载的时候对温度有较大影响
cyx7610
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LV10
总工程师
  • 2014-10-14 06:53:45
 
减少待机损耗,并不是产品发热问题,而是能源之星要求,就是国家提倡的节能减排,节约能源要求出发的。
hlp330
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  • 2014-10-14 08:27:27
 
想问一下,能源之星对灯具也有待机功耗的要求吗?
梦开始的地方
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副总工程师
  • 2014-10-14 23:11:35
 
我想,能源之星只是对工作状态的能源效率有要求,对工作状态的最低平均效率有要求,对空载状态下的能源有要求,而对待机功耗也是有要求的,比如低功耗跳变模式工作支持超低待机功耗,在 230 Vac 下不足 30mW
qq80644864
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  • 2014-10-14 23:15:05
 
330兄想问的是灯具类的
貌似灯具类的现在也出来新的能效标准了,好像不是能源之星的
梦开始的地方
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  • 2014-10-10 11:28:19
 
精度应该考虑的不大,现在还主要是考虑好成本和效率
hlp330
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  • 2014-10-10 11:37:28
 
原边反馈的话,28W电源,成本会有多大的差异?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-10 12:18:09
 
记得你说过吧,一台就算省一个光耦,一个月生产个几KK,也能省好多。
hlp330
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  • 2014-10-10 12:37:25
 
他这个28W的LED,有不隔离的方案可选,成本可能更低。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-10 12:47:31
 
不隔离的又是另一个思路了。
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 11:27:32
 
隔离的价格毕竟贵啊, 虽然安全
luoyan1980
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  • 2014-10-13 08:16:46
 
不隔离,成本肯定会低点,但对使用者来说,使用不太安全。
梦开始的地方
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  • 2014-10-13 22:58:10
 
如果要先考虑成本的话, 非隔离还是首选啊
b44d55
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  • 2014-10-21 11:21:19
 
如果要选择, 论坛里有人说过, 有三极管方案,RCC方案,电容降压的,这几种虽便宜但是对LED冲击,浪涌方面稳定性方面较差!还有一种就是市场暂时较为流行的PI的LNK306方案系列,但是此方案相对成本较高
bei_jxing
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  • 2014-10-11 17:27:13
 
效率目标90-91%-180VAC,待机0.4W- 180VAC
hlp330
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  • 2014-10-11 17:51:51
 
待机功耗为什么会这么大?
梦开始的地方
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  • 2014-10-12 11:26:24
 
一般来说,如果待机功耗能控制在1W以内,算是好芯片吧
hlp330
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  • 2014-10-12 11:35:33
 
总共才几W的输出?待机功耗就1W了
qq80644864
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  • 2014-10-12 22:23:18
 
LED要求跟适配器的要求有所不同,LED是没有待机一说的,但对亮灯速度有要求,开机时间在90V的时候一般要在1S之内亮灯,有些客户的要求会更苛刻,0.5S之内,所以在这情况下,就要加大启动电流,这样损耗自然也就大了
luoyan1980
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  • 2014-10-13 08:21:22
 
可能大家说的待机,应该指的是空载损耗吧?LED是不存在待机问题,待机一般指不断AC,用遥控开关机,如TV电源,再有就是像ATX PC电源那样,关机后SB还在工作。
qq80644864
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  • 2014-10-13 08:26:07
 
是的
hlp330
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  • 2014-10-13 08:28:26
 
是的啊,待机就是空载空耗,也可以说是不加负载。LED的话,应该都是直接关AC电吧,不存在把灯去掉的
情况。有些非隔离的LED电源甚至不能空载,不然的话,输出电压飘的很高,会出问题的,就不存在待机一说了。
qq80644864
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  • 2014-10-13 09:09:13
 
是啊,飞着飞着,不只是灯坏了,电解也会爆掉
bei_jxing
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  • 2014-10-13 09:43:40
 
这种电源可以也可以用,岂不很危险;安全还是第一位的。
hlp330
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  • 2014-10-13 09:54:49
 
这一种是省钱版本的,非隔离,成本很低,再者一般使用的时候我们也不会把LED灯给卸掉吧。
如果可以增加几毛钱的话,也是很好解决的,输出增加一个OVP电路,空载的时候打嗝就可以了。
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  • 2014-10-13 22:57:30
 
一般来说,要安全,还是隔离的好
bei_jxing
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  • 2014-10-13 09:41:54
 
空载测试。
b44d55
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  • 2014-10-21 11:18:58
 
待机功耗需要根据芯片要求来计算的,用电压表电流表测一下再相乘是不对的,功率=电压*电流*功率因数,电器在待机条件下的功率因数是很低的,无法计算。只有用功率表测量。
qq80644864
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  • 2014-10-11 23:01:16
 
楼主做单电压的吗?
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  • 2014-10-12 11:30:32
 
看到过做T8之类的产品, 不就是市电输入吗
qq80644864
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  • 2014-10-12 22:24:31
 
全电压也有。。。
bei_jxing
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  • 2014-10-13 09:40:05
 
输入电压是85-305V,全电压;全电压范围内恒流精度预计会差一些。
qq80644864
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  • 2014-10-13 12:40:38
 
楼主预计会是多少呢?
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  • 2014-10-13 22:56:10
 
在全电压的情况下总比单电压要差,重要的是两头的电压控制,有时低到180V就有变化了
b44d55
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  • 2014-10-23 11:40:52
 
很多情况90V都做不好, 电源容易出现异常

梦开始的地方
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  • 2014-10-13 23:07:59
 
LSD07N65是650V7A, 在使用的时候最重要的参数是看这两项吧
bei_jxing
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  • 2014-10-14 12:01:44
 
恩,LSD07N65开关速度快,Rdson 小;保证效率和温升。
hlp330
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  • 2014-10-14 12:24:53
 
注意你的开关速度不要太快,不然小心EMI难整。
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  • 2014-10-14 23:04:42
 
那就避免速度快好了,针对EMI的话,一般只要在MOS关的S极加抑制,让EMI辐射变小,或者加大MOS关断电阻,把这个驱动电阻加大以后,MOS放电时间也长了,EMI也会变好
hlp330
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  • 2014-10-14 23:07:44
 
开关速度变慢的好处大家都是知道的,但是坏处相必也是了解的,由此带来的功耗变大,散热
更加难以处理。就必须想办法加大散热片,增加成本,其实就是一个折中的过程了。
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 15:24:04
 
这个很难控制的吧,我看到这样一段文字,觉得在理解上还是有点问题,和电流和内阻真的有关系吗,单从波形上看,开关速度越快,对于元件不是越容易受到伤害吗。变慢到某一个点,这个点不好掌握的
[url=https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2014/10/26/1414308242544ca19233a5e.jpg]
[/url]
qq80644864
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  • 2014-10-26 17:30:45
 
单级原边反馈的,这个输出电流跟MOS的Rdson有关系的
bei_jxing
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  • 2014-10-15 08:42:28
 
其实开关速度快慢直接和傅里叶分析后的频谱分量直接相关,用示波器采集VDS开关波形,导入EXCEL 中,编辑对比波形差异;快速分析和找到根源。
b44d55
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  • 2014-10-21 11:14:13
 
每个三极管都有它的频率特性,即表示它每秒钟最高可通断多少次,也就是它的开关速度,在选择时不可超过它的最高频率, 而MOS开关过程又影响到电流电压波形,得到一个损耗功率
bei_jxing
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  • 2014-10-21 18:11:09
 
“而MOS开关过程又影响到电流电压波形能结合波形”可以详细说一下吗?
b44d55
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  • 2014-10-22 16:13:07
 
看下面这个图, 就象这样的, 在MOS打开和关闭的时候, 有时因为寄生电感, 使得电流, 电压, 波形都会有所变化, 当在mos管ds间并接RC滤波后,相当于加大了寄生电容容量,震荡周期加大. 你想要去除寄生电感, 就要在观察波形的时候逐步去改善电路

b44d55
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  • 2014-10-22 16:13:54
 
无论是电压震荡, 电流变化, 都会产生影响, 打开和关闭的瞬间更加显著, 另外散热的影响也很大的, 所以要加大散热器尺寸或者增加散热片数量以加大散热面积, 有空的时候你也可以去对比下加散热片和不加时候的波形
bei_jxing
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  • 2014-10-22 17:49:16
 
板子做好了,回来慢慢测试对比;加散热器和不加散热器波形差异明显吗?
b44d55
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  • 2014-10-23 11:37:45
 
如果温度相差不大, 波形没什么明显不同,但如果温度很高, 又没有加散热片, 波形峰值大了


[url=https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2014/10/23/14140355185448783e9cffb.jpg]
[/url]
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-23 11:55:12
 
请不要回复一些无关的内容,贴一些无关的图片。
qq80644864
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  • 2014-10-23 23:12:10
 
神回复
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-24 08:22:44
 
问题是,不仅仅在DIY帖子里做一些神回复,在别人求教的帖子里,也如此作为,无底线啊。
qq80644864
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  • 2014-10-24 08:41:48
 
他可以骚,你不可以扰啊
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 15:09:11
 
混了这么久, 论坛里还真没看见有什么技术老师
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-22 08:23:03
 
好像更多的是由MOS管的快速开通引起的。
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 15:13:17
 
频繁的开通和关断MOS管子,周期为4MS的时候,管子发烫厉害,开通时加在G端的电压上升缓慢,请问如何能实现加在G端的电压能快速上升?
像这类的问题很难回答的
MOS管在快速的开关过程中,损耗也很大啊
梦开始的地方
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  • 2014-10-14 22:58:34
 
这个也是可以申请的吗?
bei_jxing
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  • 2014-10-15 08:39:17
 
LSD07N65样品吗? 可以申请。
b44d55
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  • 2014-10-21 11:11:14
 
7N65主要用在650V7A之下的电路里, 输出应该可以输出到6.5A吧


hlp330
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  • 2014-10-24 12:30:16
 
你连输出电压都不知道?怎么去判断输出电流呢?
7N65系列用在多大的电路里面,不光要看电流,还还考虑温度,效率等很多因素,综合去判断如何选择。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-24 12:57:28
 
楼上是神回复,别当真了。
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 15:09:56
 
都别谦虚了,你们三个是我论坛里最佩服的专家和教授
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-27 09:18:28
 
你 还是写砖家跟叫兽吧。哥不是叫兽,所以勉为其难当个砖家。
qq80644864
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  • 2014-10-27 13:02:14
 
最近这个帖子沉的特别快啊
b44d55
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  • 2014-10-27 17:40:07
 
慢工出细活啊, 总不能看着着急催人家, 大家的水平都不一样的, 不能搞一刀切
b44d55
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  • 2014-10-24 11:36:50
 
问下楼主, 那个PCB板设计出来了吗, 28W的话可以压到很小的尺寸的吧
cx123
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  • 2014-10-24 19:56:16
 
楼主好 可以把原理图PCB还有设计需求整理成一个压缩包么?
bei_jxing
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  • 2014-10-25 10:04:53
 
板子回来调试OK后,发出来;现在只是初步方案,许多参数还要调整。
梦开始的地方
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  • 2014-10-26 15:10:46
 
打包这个方法比较好,在项目完成后给大家一份, 最好放信箱里
jackeytu
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  • 2014-10-26 23:38:46
 
楼主能讲一下图中C19的作用吗?第一次看到这么接的!
梦开始的地方
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  • 2014-10-27 01:19:28
 
储存电荷,保护用的。防止di/dt上升太快


梦开始的地方
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  • 2014-10-27 01:38:36
 
漏极栅极间的电容可能会带来大问题。当MOS关闭时,如果漏极上一个电压突升,由于漏栅电容,使栅极电压也突升,导致MOS管误导通。如果源栅电容足够大的话,则可以保持栅极源极间电压基本不变。
b44d55
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  • 2014-10-27 17:38:26
 
可以知道MOS三个极点之间加的电容的各自作用吗?
hlp330
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  • 2014-10-27 19:13:20
 
C19增加米勒电容的用法很少见,有一款MPS的BUCK拓扑LED驱动芯片有加这个电容,目的是
为了检测电流的过零点。其他的如果增加米勒电容,会有很多的坏处的,不建议使用。
bei_jxing
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  • 2014-10-28 17:34:05
 
是的,不过这也是预留位置;需要用的时候可以试试;
C19 并联电容范围控制在1-2p内,如果超过5p 坏处:
1-明显降低效率,尤其在230V输入及以上;
2-Cgd ext 漏极过高的DV/DT容易在栅极产生误导通脉冲;尤其在开机启动瞬间。

后面会测试一下波形出来,板子已经发出做了,下周拿到焊接调试。
hwx-555
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  • 2014-10-29 08:23:02
 
1-2p的容量?不加两点空气间隙容量或也有这个数了
b44d55
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  • 2014-10-29 11:19:47
 
为什么超过5p就有什么坏处呢, 跟效率有关系 ?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-29 08:49:47
 
能否详细解释一下,C19这个电容的工作原理是什么?
hlp330
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  • 2014-10-29 09:28:32
 
增加C19这个电容可以用于过零检测电路,就像下面这个LED的BUCK线路,在续流阶段,如果有电流的话,MOSFET的VDS被钳位到输入电压,如果电流到零,就会震荡了。


YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-29 09:47:57
 
谁震荡?即使没有这个电容,好像DS也是震荡的吧?
hlp330
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  • 2014-10-29 10:05:45
 
在续流阶段,如果电感有电流,MOSFET的VDS是不会震荡的,直接通过二极管被钳位到母线了,也就不存在什么震荡了,当电流断续以后,电感,各种电容就会自由震荡了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-29 11:01:22
 
问题三个
1、不加这个电容一样会震荡,跟CDS电容震荡。
2、保持CGD电容稳定有什么效果?
3、你说的电流过零检测,如何起作用,也就是如何利用这个震荡起作用。
hlp330
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  • 2014-10-29 12:39:43
 
1,2其实是一个问题,这个IC需要检测VDS到1脚的分压值,不错,不加电容的话,确实同样会有震荡,但是如果用不同的MOSFET的话,由于参数的不一样,得出的结果也有差异。加个电容,
可以提高一致性。第三个,是IC内部的过零检测电路起作用的,没有哦仔细研究。这个电容是推荐添加的。
b44d55
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  • 2014-10-29 11:18:59
 
这几个极之间都需要放电容的吧, 怎么来取值呢, 漏极和栅极之间的电容应该设置的最小吧, 最容易受电压影响, 继流阶段, 一小部分电流流向Cgd电容。当电压上升到门槛电压后,Cgd电容上的电压会稍微的降低
hlp330
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  • 2014-10-29 10:08:11
 
这个是小功率的LED电路,一般使用的MOSFET规格都很小,而且米勒电容随VDS电压波动,如果并上加这个电容,可以使MOSFET的Cgd的的值比较稳定。
b44d55
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  • 2014-10-29 11:15:25
 
如果参数设置的不好, 这么接会有点问题的吧, 如果漏极电压突然上升, 那么栅极的电压也会突然上升, MOS错误的导通, 就需要增加这个电容的数值, 想要保持稳定, 那几个极的电容都要调整了
bei_jxing
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  • 2014-10-29 17:05:56
 
我觉得楼上回帖都不太负责,回帖有有理有据;深度的交流分析,讨论;你上面回帖说对一半,纠正如下:
1-MOSFET GDS电容怎么调整,MOSFET做好的时候寄生电容已经固化;
2-Cgd/Cgs值越大,越容易出现误开通现象;
防止误开通采取下面措施:
1-GS并接10K电阻;


上图:GS没有并接10K电阻,上电瞬间VGS出现长时间最大5.6V电压;
下图:GS并接10K电阻,上电瞬间VGS持续时间明显缩短,电压幅度只有1V左右。




2-PCBLayout 减少外部寄生Cgd;
3-减缓漏极DV/DT;
4-使用VTH高的MOSFET
梦开始的地方
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  • 2014-11-2 23:27:34
 
看波形很复杂啊, 怎么识别?
hwx-555
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  • 2014-11-3 08:29:06
 
看波形第一个尖峰的幅度,有一图尖峰高,后一图尖峰变低
b44d55
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  • 2014-11-6 15:25:20
 
要学会看电路图,要了解一些基础性的电子电路的类型,根据电路的元件组成分析电路和原理,才能得出电路中是什么用途来判断波形, 开始采样点位置,波形的上下对称性,一个周期内左右的对称性,不同时间的波形的重复性,波形变化与其它因素的关系。
bei_jxing
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  • 2014-10-29 16:46:07
 
楼上正解,尤其这种超结MOSFET,CRSS非线性非常明显,导致dv/dt变化比较剧烈;
外部并接Cgd,使Cgd_total 变化趋于平缓,VDS变化趋于平缓。



hlp330
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  • 2014-10-29 17:25:32
 
这个曲线的资料不错,是否可以共享一下?
bei_jxing
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  • 2014-11-3 09:47:46
 
谷歌搜索: CoolMOS™ C7: Mastering the Art of Quickness
wxj1220
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  • 2014-11-6 10:27:41
 
坏处确实不少,比如影响效率啦,但是EMI可是有好处的
wxj1220
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  • 2014-10-30 15:16:29
 
这个电容在EMI整改中也很关键,可以简化开通速度,增大栅极充电电荷量
bei_jxing
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  • 2014-10-27 17:15:51
 
此处预留电容有两个方面考虑:
1-超级结MOSFET 电容CRSS,COSS非线性变化明显,传统平面MOSFET电容和VDS变化缓慢;外部Cgd可减缓Crss 非线性特征;优化EMI;
2-控制开关速度


bei_jxing
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  • 2014-10-27 17:17:13
 



YTDFWANGWEI
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  • 2014-10-28 08:58:11
 
不错,提供完整的文章来看看?
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-10-28 13:12:07
 
谷歌搜索 下面两个文章
Infineon+-+Application+Note+-+650V+CoolMOS+C7+-+Mastering+the+Art+of+Quickness

super junction technologiesdriving and layout key notes
THTTH1982
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  • 2015-1-15 12:28:43
  • 倒数3
 
此图.在实际测试中是这样的吗? .电压电流交越的是不是有点多啊!!
bei_jxing
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最新回复
  • 2015-1-15 14:01:01
  • 倒数1
 
实际测试波形,

实际波形是VGS下降到Vth后VDS迅速上升,之前上升缓慢。图中功耗计算式24μJ

CH1黄色是VDS,CH2绿色是VGS,CH3粉红IDS
THTTH1982
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  • 2015-1-15 12:29:54
  • 倒数2
 
VGS都还没过VTH,为何VDS就开始上开了!!
b44d55
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  • 2014-10-27 17:42:07
 
可以优化EMI和控制开关速度啊, 那么参数数值怎么取啊, 我只对这个有兴趣, 可以给个实际计算方法吗
hlp330
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  • 2014-10-27 19:14:55
 
仔细看看上图的计算公式。。。
b44d55
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  • 2014-10-28 09:45:26
 
看过了, 但还是不理解...
b44d55
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  • 2014-11-12 16:20:01
 
看完了, 觉得难度太大了, 我做不了
没信心了
蒋洪涛
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  • 2014-11-24 09:05:01
 
看了,楼主又可以更新了,成品图还缺
bei_jxing
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  • 2014-11-26 17:39:25
 
来张完整图片看看,下一步测试EMI辐射和浪涌。
admin
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  • 2014-11-27 13:37:08
 
期待完美收官
luck2013
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  • 2014-11-27 13:57:40
 
楼主的作品还是很值得学习的
bei_jxing
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  • 2014-12-2 18:01:50
 
浪涌测试开始了,先看看公司浪涌发生器还不错吧。

来张合影,看看能不能被浪涌搞死。

hlp330
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  • 2014-12-2 18:23:51
 
,最高可以测试多少V?
bei_jxing
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  • 2014-12-3 08:53:36
 
浪涌发生器最高电压6.6kv,还不错,可以测试大部分电源。

bei_jxing
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  • 2014-12-3 09:58:59
 
测试中,时刻准备着炸机。监测MOSFET,VDS,IDS,VGS.发现异常,立即停机。

先从低压开始。

bei_jxing
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  • 2014-12-4 09:35:19
 
发几张测试波形,大家看看有什么异常?
CH1 MOSFET VGS,CH2 VDS,CH3 IDS


bei_jxing
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  • 2014-12-5 13:50:18
 
继续更新,1200V 90°浪涌10次测试OK,浪涌测试结束,满足设计要求。


hlp330
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  • 2014-12-5 14:16:03
 
除了变压器有点饱和,母线电容的电压被冲的比较高之外,没有看到其他什么异常的
qq80644864
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  • 2014-12-5 16:00:38
 
变压器严重饱和
bei_jxing
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高级工程师
  • 2014-12-5 16:44:24
 
变压器确实饱和,因为这是400V浪涌,饱和现象显示,变压器的饱和电流是不是太小了。
第二张图进行了整改,使浪涌电压到来时,关闭MOSFET,这样避免变压器饱和。这样是否妥当呢?
qq80644864
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  • 2014-12-5 23:02:15
 
看下B最大多大
hlp330
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  • 2014-12-5 23:09:05
 
浪涌电压到来时,关闭MOSFET,这样确实可以避免变压器饱和的问题,但是输出岂不是掉电了?一般情况下,测试浪涌的时候掉电是不允许的?除非你的客户接受。
qq80644864
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  • 2014-12-5 23:15:39
 
我们要求灯是不闪的就行
hlp330
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  • 2014-12-5 23:28:57
 
这个得看关闭多长时间了,还有重新启动的时间。
qq80644864
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  • 2014-12-5 23:39:16
 
关闭的话,灯直接就闪了
bei_jxing
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  • 2014-12-8 10:29:38
 

停机时间230mS左右,下面是波形。

bei_jxing
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  • 2014-12-8 10:27:17
 
我测试过其他知名厂家的电源,浪涌时也会出现短暂的闪灯现现象,通过测试波形会发现,IDS饱和电流触发芯片CS引脚保护功能,也会出现闪灯和重新启动的现象,相比失效,闪灯应该可以接受吧。
hlp330
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  • 2014-12-8 10:45:26
 
这个看客户的需求了,一般是没什么问题的。
qq80644864
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  • 2014-12-8 12:38:24
 
我们闪灯,首先是看自己内部接不接受……如果有闪灯,那么就要找到问题所在,试试能否解决
bei_jxing
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  • 2014-12-9 15:11:23
 
比起浪涌失效,灯闪是可接受,毕竟不会引起其他重要的问题;不比通信设备,浪涌导致CPU重启,数据丢失。灯具浪涌等级要求低一些。
qq80644864
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  • 2014-12-9 21:11:40
  • 倒数10
 
客户接受为主
bei_jxing
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  • 2014-12-9 15:17:09
 
继续上传温升测试数据。230Vac-40V-0.7A 室温测试。

wszdxp2004
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副总工程师
  • 2014-12-9 19:38:43
 
你这是什么设备呀,看起来很牛B,能告诉我型号吗?TKS
hlp330
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  • 2014-12-9 23:29:29
  • 倒数9
 
红外测试温度的仪器。
bei_jxing
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  • 2014-12-10 12:57:44
  • 倒数8
 
FLUKE-Ti25,好像还不便宜。公司的设备,自己是买不起这东东。
bei_jxing
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  • 2014-12-10 13:08:42
  • 倒数7
 
继续发温升图,





bei_jxing
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  • 2014-12-17 15:03:18
  • 倒数6
 
温升最高的是次级整流二极管,温升42℃,计算环境温度70℃,次级二极管最高温度,112℃。
bei_jxing
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  • 2014-12-17 15:12:31
  • 倒数5
 
上传EMI测试曲线,由于时间和费用关系只测试垂直1m曲线,最低裕量3.2dB.龙腾LSD07N70和曲线和其他公司超结MOSFET裕量相当。
bei_jxing
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  • 2014-12-17 15:14:16
  • 倒数4
 
目前已经完成效率,温升,波形,EMI,浪涌测试;本帖结束更新,进入答疑讨论环节,欢迎大家一起讨论。
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