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| | | | | | | 12V/5A,是否做同步整流啊,效率要向92%看起哈 |
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| | | | | | | | | | | 可以用两个LOW VF 的肖特基并联,效率可以做到91%,看你成本有没有要求。 |
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| | | | | | | | | | | | | 程工,低LOW VF的肖基有没型号介绍,最近在做个2.5A 5V的充电器,也有需要 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不确定你能不能用, 我看到的是SIRECT,SBL40L45CT、MBR30U100CTH, 这款比较低, 你可以找相关的低电压低电流的,MBR20100C差不多就可以用用了,更低的也可以尝试下 |
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| | | | | | | | | | | | | | | Vishy的不错啊,还有Diodes,PFC的都挺不错的,5V输出,具体型号20A45V的差不多啦 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 举个例子,你用10A的4个,和你用一个40A的,因为把220改成了247,那效率提高了很多啊
比如
MBR4060PT TO-247封装
MBR4060PT参数信息
二极管类型:MHCHXM
电压 Vrrm≥60V
电流If 平均:40A
反向平均电流IR≤10
正向电压Vf ≤0.75V
封装形式:TO-247
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| | | | | | | 对于反激,纹波一般不是问题,80mV也是可以做到的。主要是效率,待机功耗。 |
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| | | | | | | | | 每步都看看波形就可以了,至于功耗要注意的地方多了,主要还是变压器吧 |
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| | | | | 电路还是没有出来吗,个人建议每一步都直接引用顶楼,这样看的清楚,最好把DIY的每个步骤都写清楚,主要是设计思路,最好带有个人见解和教导,我看了很多人的DIY,都直接上复杂的东西,没能一步步指导清楚 |
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| | | | | | | 目前看来,12V5A真的是做的很普遍,每个工厂的芯片都有各自的特点,都会再某一个方面有所突出表现,但是对于个人来说,哪个选择是最好的,还有待研究,主要是大家在DIY的过程中,自己去发现,并不是因为大家做多了,就没有神秘感,还是可以多学习的,甚至于是多多改进 |
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| | | | | | | | | 也不好做,主要是低压满载元器件温度麻烦,PQ2620做12V 5A,如果变压器的散热片不足够大,外壳不足够大,申请40°安规,线包和磁芯的温度还是难过;
现在又都在追求体积小; |
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| | | | | | | | | | | 40度安规是什么意思?你指的是线包和磁芯的温升不超过40度吗?
我记得我们做的产品都是直接测试最终的温度,对于CLASS B的线和胶带,最高温度限制在130度。但是不记得有40度这个说法 |
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| | | | | | | | | | | | | 差不多一样的意思;
可以申请环境温度25°,也可以申请40°的;
通用的都是40°的环境,测试元件的温度;变压器的磁芯和线包的温度都要控制在110°以内; |
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| | | | | | | | | | | | | | | 一般的室内温度说起来限制在40度,但有些地方可能会高一点,如果要求60度测试通过的话,除了变压器设计要修改以为,对变压器的磁芯和线包的温度也要求的比较高吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 做适配器的又不需要时刻都满载,12V5A及时老化的时候变压器温度到110了,到正常使用的时候还是很凉的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | [size=14.44444465637207px]笔记本电池没电时,充电要两个小时以上,所以这两个小时都是满功率运行的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是啊,但是充着充着就小咯,温度也慢慢的不会继续升上去咯
不像搞灯的哟,一直满载真烫。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电池充电无非是分成两段了,第一段时间,就是恒流充电了,这段时间,差不多就是满载工作了。
第二短时间,是恒压充电,负载慢慢的降下来了,往后充电电流就越来越小了。直至充饱。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 另外还有一个问题,满充满放。尤其是说那种锂电池, 因为没有镍镉电池的记忆效应,所以根本不需要满充满放。
对锂电池,
1、尽量不要等电池耗费完毕。
2、切勿长时间存放,如需存放,尽量充足够的电(70%)并存放保持低温环境。
3、电池有使用寿命,但寿命取决于使用的时间,对充电次数没有特别的要求。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 充电在使用了一段时间之后就会老化了。内阻变大,在充电的时候两端电压上升得比较快,这样就容易被充电控制线路判定为已经充满了,容量也自然下降了。充电的衰老是一个恶性循环的过程, 满功率运行损害大啊 |
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| | | | | | | | | 晕,资料里写的一清二楚;
变压器PQ2620,MOS 10N60,肖特基两颗PTR20V100;
还有线路图参数,变压器设计,测试报告;
哎 |
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| | | | | | | 正好我也用TEA18362+TEA1761 调一个12V5A 13V5A 项目,目标效率93%. |
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| | | | | | | | | 你看多好,都给你提供12V 5A PQ2620变压器的饶法和参数了;
按照这个变压器的参数做你的TEA18362+TEA1761 12V 5A;
嘿嘿,保证在低压输入的条件小,你的电源的工作频率没有60K;
言外之意你懂的;
做好了测试一下低压时候的效率; |
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| | | | | | | | | | | 测试这个效率的时候需要在低压的情况下,每一V进行测试吗。还是每5V,变压器的温度控制到了多少呢,室内温度可以控制在40度以内吧,那你用2根0.6的线, 温度好想控制不了吧 |
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| | | | | | | 看了下变压器资料,我算出来饱和 了,各位能否算下看我是否算错了,匝数是33比5,感量580uh,PQ2620做12V5A,我计算出的B值有0.8了,匝比为6.6,占空比0.39,峰值电流5.5A,感量580uh,推算B值0.81。 |
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| | | | | 还没有开始做吗. 电路里会使用到的快恢复二极管和MOS选用10A比较好吧 |
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| | | | | | | 频率变低一些事完全有可能的,尤其是谷底检测不好的时候,可能需要连续检测好几个波谷,
有时候甚至是强制导通,有可能导致频率变低,但是占空比变大就不太理解了?为什么会这样? |
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| | | | | | | 占空比达60%以上就应该算是很大了吧, 另外, QR基本架构还是Flyback,只不过是利用变压器漏感形成类似共振的效果。有共振当然电压波形就会有出现弦波,再利用弦波的波谷段将MOSFET导通,此时在MOSFET D-S 两端的VDS最小, 以此达到减少切换损失达成高效率的要求。MOSFET导通时VDS最小,就是导通时的dv/dt最小,EMI特性会大大优化. 有时设计的不好就会增加占空比啊. |
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| | | | | | | | | 你这个理解不太对哦。'是利用变压器漏感形成类似共振的效果",你看看这个震荡的频率。计算
下需要多大的漏感?要是有这么大的漏感,还能工作吗。这个震荡是MOSFET的结电容和励磁电感形成的。 |
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| | | | | 抱歉,最近忙工作交接的事情耽搁了。
看到有朋友说12V5A的已经做烂了,不值得做了。其实只是DIY而已,关键是在DIY的过程,而不是在结果。
QR的东西看到不少,但真正做还是没有做过,所以对我这样的新手,还是有一些难度的(PS别一上来就喷我,说什么好做之类的,那是你自己做过或者听别人做过,自己做还是有很多坑要填的)。
芯片打算用OB的OB2202,有个朋友是昂宝的代理,所以可以很容易拿到样片。输出也不打算做同步整流了,直接上肖特基。难度不想设置的太大,不然容易虎头蛇尾的,希望大家能谅解!
帖子的目的是看看主办方龙腾的MOS优势在哪里,所以请大家调整关注的角度。 |
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| | | | | | | 这是DIY,不是科技创新,一样的12V5A有不一样的效果,效率高了,低了又何妨?做出来,不出来又何妨? |
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| | | | | | | 相信自己,不去试试,怎么知道这个过程。
接触一下,对自己肯定有收获。
至少QR的效果会比CCM的效果好多了,因为QR的变压器温升会比CCM的低好多,其中缘由不多说了。 |
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| | | | | | | | | QR肯定比CCM好了
有人讲 QR(准谐振技术),可以实现开关管的零电压开通,从而提高了效率、减少了EMI噪声。实际上MOS管在开通时 Vds似乎并不是0。只不过电压处于相对的低位,也就是所谓的低谷。 当然,相对来说效率还是有所提高,EMI也会相应的有所减少 |
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| | | | | | | | | | | OB的65W demo上面用的是两个5.1M与一个47K电阻的分压。
这个回头可以调试的时候定。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 知不知道什么叫做待机功耗,知道30mW的待机功耗是如何实现的吗?这个就是需要这么一点
一点的抠出来的。电阻取小了,扛干扰能力是强了,但是功耗也增大了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这不就是一点点的去解决PCB上的元件消耗的步骤吗, 根据现在的电路图, 一点点把每个元件再仔细核对一次, 尽量把每个元件产生的消耗消除一点,用手摸一遍, 凡是热的都去改动 |
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