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一种解决反激漏感问题的电路

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boy59
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  • 2014-10-18 18:05:07
提到反激电路想先借这个机会提一下对反激电路设计上的一些看法,反激设计遵循以下两个方程: η*Vin*D/Np=(Vo+Vd)*(1-D)/Ns (1) 含效率因数的伏妙平衡
1/2*η*((1+k)/(1-k))*(Vin*D)^2/(f*Lm)=Vo^2/Ro=Pout (2) 能量守恒
反激的设计就是对这两个这个方程组的求解,其中的已知量为效率η、最高输入电压Vinmax、最低输入电压Vinmin、输出电压Vo、二极管管压降Vd、开关频率f、输出功率Pout,还有占空比D、匝比Np/Ns、深度系数k、电感量Lm这四个变量未知,两个方程四个变量此方程无解,那么只能先假设。


第一步先假设反射电压Vor求匝比(也可先假设占空比求反射电压)
假设最高输入电压Vinmax=300V,先假设Vor=100V留50V余量求得Vk=150V



图1 MOS管上的电压分布情况

如图1可以看到MOS管上面的电压分布情况(选用600V管),
根据公式Vor=(Vo+Vd)*Np/Ns (3)变压器公式
求出匝比Np//Ns
第二步求最大占空比Dmax
最大占空比发生在最低输入电压的时候所以根据伏秒平衡公式
η*Vinmin*Dmax/Np=(Vo+Vd)*(1-Dmax)/Ns
代入匝比Np/Ns求出最大占空比Dmax
代入公式(3) 上面的公式可以简化为
Dmax=Vor/(Vor+η*Vinmin) (4) 最大占空比公式
假设计算得到的Dmax不理想比如最小输入电压是200V,η=85%求得Dmax=0.37偏小那么回到第一步再重新假设一个反射电压Vor重新按第一、第二步来计算。
这里还有一个值Vk它是RCD吸收电路中电容两端的电压峰值,其值对电路效率有较大影响。改变RCD中的电容对电路效率影响较小,电阻损耗P损=U^2/R,这里的U是电压等效值而电容只影响电压纹波值,但增大电容C可降低纹波,纹波低了电压余量就多了就可以增大电阻值降低RCD电路的损耗,图1的参数R=9K、C=2n,图2的参数R=20K、C=10n

图2 更高效的Vk电压波形图
电容C上承受150V的电压要从成本考虑来选一个合适的电容。

第三步求电感量Lm
到了这一步还有两个未知量电感Lm和深度系数k,一个方程两个未知量有无数个解,这就是为什么同样的产品可以有多样的设计参数。

图3 不同模式下的电感电流波形
断续模式缺点电流峰值大,导通损耗大、变压器磁损大优点是开关管零电流开输出二极管零电流关,连续模式缺点非零开关输出二极管、开关管开关损耗大、动态特性差,优点纹波小、变压器磁损小、导通损耗小,临界模式折中。选哪种模式选多大的深度系数要综合考虑功率、选材、开关频率等靠经验的成分多一些,比如有人喜欢用临界模式有人选用深度系数k=0.4等,如果有条件可多做几个方案从结果中选出最优方案。
第四步求出峰值电流
根据公式
Ipk=η*Vin*D/((1-k)*Lm*f) (5)峰值电流计算公式
到此所以的参数都已经计算出来代入公式(1)、(2)可以知道不同输入电压和不同输出功率下的电路处于那种工作模式占空比是多少什么时候处于临界状态,对电路工作状况可以一清二楚。

boy59
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  • 2014-10-18 18:09:01
 
言归正传先上原理图

图4 可解决漏感问题的反激电路

Ton时刻电容C1放电和电压Vcc一起驱动电感Lm和漏感Lk,变压器初级电感储能如图5



图5 Ton时刻电流流向
Toff时刻漏感Lk和小部分电感Lm能量给C1充电,同时大部分电感能量传递到输出。如图6

图6 Toff时刻漏感向电容C1充电,电感向输出传递能量 当电容C1的电压达到一定值后继续增加的电压会给电感Lm充能并通过Lm传递给负载,此时电压停止增加电路达到稳态,当电路处于稳态时在开关之间漏感和电容进行着能量交换,因电路中没有电阻所以为无功功率形式交换。


图7两MOS管电流电压波形

图8 二极管上的电流波形

hlp330
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  • 2014-10-18 18:50:27
 
你这种思路蛮不错的,和有源钳位电路很相似,都是利用电容吸收漏感的能量,然后反馈到源
或者负载上面去。有个缺点就是外围器件太多了。增加成本了,不过可以试试效率的提升有多大。


boy59
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  • 2014-10-18 20:10:07
 
是的外围器件有点儿多,多了一个开关管加两个二极管,至于效率在仿真中比RCD吸收要高很多尤其是轻载,RCD是按满载设计的轻载时吃电感功率太多。控制上要比有源钳位简单多了,两个开关管同一个信号控制用正常的反激电路控制芯片就可以。多出的那个管子还有其它用处稍后再介绍它的用途
hlp330
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版主
  • 2014-10-18 20:31:33
 
,反激吸收还有一种吸收电路,是正对轻载损耗的问题的,就是把C和D替换成一个TVS管,
选择合适的电压即刻。你这个电路的思路也蛮好的,期待楼主继续介绍下哈。有实际测试数据更好。


boy59
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  • 2014-10-18 21:31:35
 
观察电路可以发现主电路部分是一个桥结构,其实大部分电路都是桥结构的演变,举几个电路图例子。




解决漏感问题的反激电路





解决磁复位的正激电路


[url=https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/png/2014/10/18/141364016954426fe904ee4.png]
[/url]


全桥结构





半桥结构
boy59
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  • 2014-10-18 21:33:36
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双管正激

正反激无损吸收
Cuk电路







boy59
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  • 2014-10-18 21:38:15
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反激电路




正激电路




反激有源钳位1


反激有源钳位2




半桥LLC



用电容、电感、开关管、二极管、变压器、电阻替代桥结构的不同位置以不同的方式组合就能构成新的电路,相同的电路结构参数不同也可变成另一种电路如半桥中的两电容改小就变成了全桥LLC,即使参数也相同控制方式不同也会变成另一种特性的电路。除了我们常见的一些结构这种桥结构还可构成n多种电路还有待于去发现。





















能源消耗
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  • 2014-10-19 15:51:25
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你这电路不就是有源钳位吗?做的好本来就没有尖峰就是有尖峰也高不到哪里去,没有反激,正激那么可怕,加那么多元器件不但消减效率,而且增加成本。有意义吗?
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  • 2014-10-19 21:03:44
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这个电路也属于有源钳位的一种,有源钳位跟有源钳位又不同这个电路除了控制简单外漏感上的电流不会反向流通,电路上依然保持反激的特性,而其它方面的优缺点最好是做出实际电路再下结论。至于加多元件增加成本我想这是受到固有思维的影响想当然的认为反激就是小功率的,用反激做大功率的不多主要还是因为漏感问题,这个电路既然能解决漏感问题做大功率就不是问题,大功率反激用双管应该不算成本高吧? 不然那些双管电路、全桥电路岂不都没意义了?
能源消耗
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  • 2014-10-20 08:28:46
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仿真毕竟是软件,与实际相差有别,特别是漏感尖峰,比如:有源钳位,仿真肯定没有尖峰。可我12V60A就是有尖峰,都说是ZVS,我看到的波形有一点ZVS的波形存在,比的双正激效率高出2个百分点,最终还是有尖峰。尽管它有没有工作在ZVS,但给我的感受是电路稳定性强,归功于复位完美,磁性利用率高(双象相),成本低。等优点。
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  • 2014-10-20 11:35:47
  • 倒数1
 
模型建的好仿真还是比较接近实际情况的,漏感尖峰在有源钳位仿真中也可以有那是电容参数选取问题,电容选的小尖峰大选的大尖峰小而要实现ZVS还有考虑漏感的取值。论坛上高手如云是否有人可以做一个实测一下,用普通的反激芯片按正常的反激设计唯一麻烦的是要自己做一个高桥驱动,有了真实测试结果才能确定这个电路是否有价值。
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  • 2014-10-18 20:16:40
 
仿真文件包含两个电路 一个是带漏感处理的一个是普通反激 fanji.rar
gaohq
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  • 2014-10-18 23:28:29
  • 倒数8
 
首先, DCM 或者 CCM 都不分吗 ?
其次,把这两个公式推导过程贴出来更好点吧。
boy59
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  • 2014-10-19 11:09:58
  • 倒数7
 
首选,公式(1)伏秒平衡是在临界或者连续模式下使用的,公式(2)能量守恒中当k=0会有临界和断续两种模式的可能。工作模式确定如下: 当k>0时为连续模式
当k=0同时公式(1)成立为临界模式
当k=0而公式(1)不成立为断续模式
两个基本公式对解断续模式是无能为力的,一般断续模式按最高功率工作于临界模式来设计或者可用超功率设计比如要设计一10W的电源可以按12W临界来设计,但要注意第四步中的占空比D要按10W时的来计算。


其次,推导过程如下
公式(1)伏秒平衡先建一个模型如下图
[url=https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/png/2014/10/19/141369139454433802cddc3.png]
[/url]
反激去掉变压器的等效电路图

为了方便分析将变压器次边折射到原边去掉变压器,再假设电路处于深度连续模式电感Lm中的电流接近于直线,折射到原边的电阻Ro’=(Np/Ns)^2*Ro 电压Uo’=Np/Ns*Uo
Ton时刻输入功率=Uin*Ilm*Ton,实际有用的功率=η*Uin*Ilm*Ton,
Toff时刻负载上的功率=Uo’*Ilm*Toff=Np/Ns*Uo*Ilm*Toff


根据能量守恒Ton时刻功率等于Toff时刻功率
η*Uin*Ilm*Ton=Np/Ns*Uo*Ilm*Toff
化简得η*Uin*D/Np=Uo*(1-D)/Ns (1)带效率因数的伏秒平衡公式




公式(2)推导从初级侧电流入手见下图




Ton时刻的初级电流

k为深度系数=Io/Ipk
峰值电流Ipk=Io+Uin/Lm*Ton=k*Ipk+Uin/Lm*Ton
整理得 Ipk=Uin/Lm*Ton/(1-k) (2)峰值电流公式
平均电流I=1/2*(Io+Ipk)=1/2*(1+k)*Ipk
=1/2*Uin/Lm*Ton*(1+k)/(1-k) (3)平均电流公式
输入总能量为Uin*I均*Ton,考虑到效率问题传递到负载的能量为
η*Uin*I*Ton,根据能量守恒
η*Uin*I*Ton=Pout*T=Uo^2/Ro*T 代入公式(3)
η*Uin*1/2*Uin/Lm*Ton*(1+k)/(1-k) *Ton=Pout*T=Uo^2/Ro*T 化简得
η*1/2*(Uin*D)^2*(1+k)/((1-k)*Lm*f)=Pout=Uo^2/Ro (4)能量守恒公式
greendot
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  • 2014-10-19 12:00:09
  • 倒数6
 
等效电路图貌似有问题,
Dk的阳极是不是应该接到 MOS 的漏极?
boy59
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  • 2014-10-19 12:01:05
  • 倒数5
 
是的 多谢!
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