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【文原创】论漏极尖峰的改善和消除

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ckj_ck
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  • 2015-8-25 10:54:10
        下面是我的一个实际的设计案例(24V1A的单管反激开关电源),就此案例和我的实际调试情况,大家来讨论下如何更好得消除开关管的漏极尖峰。(针对实际案例能够比较有针对性)
         1111111.jpg

        
        
        
        

        原理图和漏极电压波形如上如所示,大家觉得应该怎么改善或者消除下去?
        

        变压器采用的是三明治绕法,初级漏感1%(30uH),辅助供电绕组绕在最外层。
                        初级2.88mH
        次级178uH
        辅助绕组78.39uH
        初级漏感30uH
        

        我先提出自己的解决方案。
        原先最高为712V的漏极尖峰,经过我对RCD吸收回路的参数优化,能够将漏极尖峰压制到648V左右,接着我在副边输出二极管上并联了一个1nF的电容作吸收,漏极尖峰下降到了582V到624V之间跳动,平均为602V左右居多。
        个人认为,如果副边输出二极管并联RC吸收,吸收效果应该会更好。但是我使用了1k电阻和1nF电容串联,给输出二极管并联这个RC吸收,效果还没有单纯的1nF吸收来的好,所以接下来决定先进行理论RC吸收的分析,在实际应用,看看效果能达到多少(后期给出副边RC吸收的具体理论计算和应用到实际电路的效果)



本帖最后由 ckj_ck 于 2015-9-25 13:18 编辑

lclbf
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LV8
副总工程师
  • 2015-8-25 11:16:36
 
1.你把吸收电路的电容加大点,二极管用M7。2.把变压器的匝比减小。用这两种方法试试。
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-25 11:34:57
 
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-8-26 18:05 编辑

1、纯粹的加大原边绕组RCD的吸收电容,现在已经没有什么效果了,我从3.3nf增加到13.3nf几乎没有任何效果。
        2、变压器匝比减小,从而减小的是副边尖峰到原边的反射,然后实际测试,副边尖峰很小,而我的匝比只有4.36:1,我觉得不应该是匝比的原因。
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-26 18:18:54
 
请问还有其它什么方法么?
jeremyang
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高级工程师
  • 2016-3-26 11:55:08
  • 倒数3
 
控制IC有没有限功率功能,可以考虑从限制MOS管峰值电流的大小入手
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-26 18:21:54
 
板子已经是成型的了,所以减小回路寄生电感除非重新画板,不然不怎么能够实现吧?
减小变压器漏感,增加变压器的寄生电容虽然增加了EMC,但是着实能够减小ripple,不过因为我的板子上变压器的孔有点画小了,拆卸和安装十分困难。所以这个方法也就先放一放吧。
主要想看看能不能再从其它方面入手了。
awpbuhui
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高级工程师
  • 2015-8-26 19:36:05
 
1.试试输入母线串二极管(HW的专利)
2.增大过流保护电阻(MOS管S到GND之间)
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-26 19:58:01
 
输入母线串联二极管,这个是能够达到什么目的和效果呢?可有这个专利的详文?
XIAOTU80
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  • 2015-8-27 12:21:01
 
采用增大保护电阻的方法,可能又要全部调一遍了,甚至提早过流保护了
冠图模块电源
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本网技工
  • 2015-9-18 21:19:43
 
这也能算专利?串到哪个位置呢?我对这个还蛮感兴趣。
jiazifei0512
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副总工程师
  • 2015-9-19 22:31:15
 
问一下,这个二极管用M7普通整流管不是损耗加大了吗?用M7的考虑是什么呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-25 11:24:02
 
如果你想采用RC吸收,那么RC吸收的R的阻值不可能选择那么大。
ckj_ck
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  • 2015-8-25 11:30:31
 
嗯,好的,这个我再仔细看下理论分析,之前看到有人用了1k电阻1n电容做吸收效果不错,就也这么做的,还没来得及做理论分析,下午我再理论分析下,然后实际实验下
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-25 11:32:08
 
用RC吸收的目的是什么?就是用C的低阻抗吸收尖峰,但如果串联这么大的电阻,这个回路就不是低阻抗了,所以用1K电阻串联电容做RC吸收,我觉得不太可能。
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-25 11:36:05
 
嗯,好的,多谢指点~~~等我下午计算好,实际实验后,再把实际效果反馈一下~
ckj_ck
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  • 2015-8-26 14:02:36
 
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-8-27 09:41 编辑

因为昨晚论坛升级维护的原因,没能及时回复,非常抱歉。
经过我的大致计算,并且实际实验,得出下面几组数据:

次级输出二极管未并联任何RC,漏极尖峰 698V

次级输出二极管并联1nf电容,漏极尖峰下降到 592V~624V

并联RC:1nF,860欧姆,漏极尖峰648V~656V
并联RC:1nF,330欧姆,漏极尖峰632V~656V
并联RC:1nF,100欧姆,漏极尖峰624V~648V
并联RC:1nF,50欧姆,  漏极尖峰612v~648V
并联RC:1nF,10欧姆,  漏极尖峰612V~632V

感觉并联C的效果 比 并联RC的效果都要好,R并没有能够起到应有的效果,反而带来了负面影响……不知为何原因
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-27 08:36:09
 
你比较一下RC跟单纯C的波形,看一下有什么区别,看看是不是单纯用C后面的震荡次数会多。
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-27 09:19:30
 
嗯,好的,现在我就去看一下,稍后就回复~
ckj_ck
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  • 2015-8-27 09:41:09
 
实验结果出来了,ripple时间几乎差不多,貌似串联了20R的吸收,比单纯一个电容吸收ripple持续时间短那么一点点,而且也不会有一开始突起的尖峰,不过单纯的C吸收带来的漏极一开始突起的尖峰还没有RC吸收带来的比较平滑的ripple的最大值大。
以下是实测漏极尖峰波形:

RC吸收(R=20,C=1nf)
111111.jpg

C吸收(C=1nf)
222222.jpg

ckj_ck
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  • 2015-8-26 18:17:46
 
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-8-26 18:28 编辑

1k的话倒是也可以,最大能够1.8k电阻(如有算的不对的地方,还请不吝赐教),如果1.8k的话就差不多在将近下一次次级再导通的时候,RC才将吸收的能量释放完(在我这个电路中)
122222.jpg

6.5us的Ton,Ton时RC承受95V的电压,1.8k,1n的RC的话,有1.8us的RC时间常数,5.4us的时候差不多也就泄放完了

不过估计取值这么大的电阻,一开始的spike很难压制下去吧,也就是你说的需要吸收回路低阻抗,这影响的就是一开始的那个spike。所以实际也不会有人取值这么大了。(个人理解,还望指正)
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-27 08:38:02
 
RC吸收,跟RCD吸收所用的R是不一样的,RC吸收,是提供一个低阻的通路,而RCD吸收,CD已经提供了低阻的吸收通路,R是释放吸收的能量,所以不能按照你这样计算,你的试验也可以看到,你用1K左右的电阻,吸收效果明显不如10欧姆。
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-27 09:17:52
 
嗯,好的,多谢多谢,稍微有点明白了,我再捉摸捉摸。不过对于这个低阻抗通路,有没有一个理论的计算方法呢?
能否把C上吸收到的能量通过R释放掉,是可以通过计算RC时间常数来确定R的最大值的。
但是低阻抗这个  比较抽象欸?到底怎么样才算低阻抗呢?是要和什么比较才算低呢?计算的时候又应该以什么为标准呢?从而指导实践
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-27 10:53:01
 
我也是只懂大体的思路,太具体的理论就不是很懂了。
ckj_ck
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  • 2015-8-27 11:39:37
 
刚刚又试了一下,直接把初级绕组的RCD吸收去掉了,结果一看波形有820V的尖峰呢
波形是这样的
100.jpg
200.jpg

原来,原边绕组的RCD已经帮我吸收了差不多220V的尖峰了欸 (~ ̄▽ ̄)→))* ̄▽ ̄*)o
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-27 15:58:12
 
那肯定啊,你以为RCD没起作用啊?
ckj_ck
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  • 2015-8-27 16:47:55
 
把RCD从母线改接到底线上,的确就不起作用了………………(也不是简单的直接改接,经过理论计算的,之前回复里有理论计算的mathcad的截图呢)
然而那样接一点效果都没有哎
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-27 16:49:09
 
麻烦请看一下27楼,谢啦
(RCD接到地线一点作用都没有)
johnxih
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  • 2015-9-18 20:14:03
 
仙童的官网上好像有关于RCD吸收的应用笔记,你上去找找!
如果没有再找找其它几家主流半导体厂商的应用笔记,应该有!
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-19 19:50:48
 
对,我参考的就是fairchild的RCD application note
但是只是RCD到母线的,然而并没有RCD到地的,RCD到母线的确是一点问题也没有,效果很好
Deshine
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副总工程师
  • 2015-8-31 12:59:50
 
你这计算表格能共享一下吗?
ckj_ck
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  • 2015-8-31 19:31:59
 
这就是抄书的,pressman的switching power supply design 第三版
开开鼠
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副总工程师
  • 2015-8-27 08:49:08
 
你这么点功率居然有这么大的尖峰啊,看来PCB跟变压器的漏感问题都非常大啊,一般来说24V输出的尖峰都不会超过500V才对的。
我做的16V15A在265VAC输入的时候都只有550V尖峰哦,输出电压越低,尖峰会越高,因为漏感更大了
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-27 09:11:56
 
漏感大约是30uH,不过PCB带来的寄生电感确实有点大了,我PCB没咋画好。但我觉得也不至于这么大的尖峰。这是我的PCB板图。
1211.jpg




jiazifei0512
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LV8
副总工程师
  • 2015-9-19 22:50:42
  • 倒数10
 
请问一下,这个输出电压低,变压器的变比就低可以理解,但是变压器的漏感大是怎么得出来的呢?
nc965
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  • 2015-8-27 09:27:05
 
秘密全部隐藏在变压器里
【文原创】反激变压器设计要领
ckj_ck
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  • 2015-8-27 09:53:55
 
李工,我大致看了下,您这个帖子是讨论反激变压器的计算和制作的吧
可是我现在是想先不管变压器和寄生漏感,纯粹的只是想通过其他电路的手段,把尖峰抑制下去,这不是很有挑战性么~~~

nc965
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  • 2015-8-27 12:00:28
 
主要手段就是变压器,其他手段很累
ckj_ck
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  • 2015-8-27 12:16:16
 
的确,我也感觉的确很累,不过做学问不都这样么,越费力气,深入的越厉害,只要不钻牛角尖就好了~~~
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-27 12:19:36
 
然而,这儿有一个很棘手的问题。
如果把RCD改成这样子的话(也试了很多种其它取值),几乎并没有起到任何效果,和不加吸收一样,820V尖峰
然而按照我之前的设计,RCD接到母线的话,能最多把尖峰吸收到只有592V,能够吸收将近230V尖峰。
注:并非完全改成图中那样,只是RCD改成了图中那样,从母线改接到地线。
112212.png

nc965
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  • 2015-8-27 12:47:19
 
一定不能用R,不然就没意义。意思是,不用R能实现的电路才是无损钳位
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-27 13:03:43
 
嗯,要无损的话,的确不会去用R,但是现在并没有弄无损呢,
只是单纯的RCD钳位,
就是不知道为何一个是接到母线,一个是接到底线,相差这么多,按道理应该知识选取参数改变下,电容耐压需要高一些的差别罢了呀
nc965
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  • 2015-8-28 09:38:35
 
才不是,同样是钳位,钳位电压越高损耗越大,损耗功率P=V*V/R
类似的情况发生在:葵花宝典:消除副边二极管反压尖峰 157楼
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-28 10:20:06
 
对,这样的话,如果采用相同容值的电容,损耗是会增加好几倍,但是也不至于消除不下去尖峰呢
nc965
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  • 2015-8-28 16:58:00
 
你只要将电阻的一端不要接地,而接到母线上去,就等效于标准电路,发热就是一样的,且电容量可大大减小,回路会更短一些,效果也会好一些。
555.jpg
本帖最后由 nc965 于 2015-9-10 16:58 编辑

ckj_ck
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  • 2015-8-28 18:54:52
 
嗯,这样子虽然从电容吸收电压的角度挺难理解的,明明是吸收了漏极电压-地电位的电压呢,不过从这个的等效电路上来理解,就清楚了,就是和电容接到母线上是一样的了呢
关键是在R1上的放电量减少了,电容的放电量被母线给钳位住了呢
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-8-28 19:06:24
 
不知道为什么,我仿真的时候R1接到地,尖峰消除得好好的,为啥实际板子就不行了(电路是一样的),非得接到母线才行,奇了怪了……
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-29 08:33:02
 
具体电路肯定是可行的,问题肯定出在你自己那边。
ckj_ck
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  • 2015-8-29 19:52:19
 
嗯呐,我在实验实验找找原因~~~
司马仲达
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  • 2015-9-10 14:32:32
 
这个R和C的取值数量级和RCD的差不多吗
nc965
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  • 2015-9-10 15:35:42
 
可以小许多,1/4吧
司马仲达
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  • 2015-9-10 15:51:26
 
C也是1/4?
nc965
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  • 2015-9-10 16:43:35
 
就是说的 C,不是R,R不变
ckj_ck
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  • 2015-9-11 17:58:47
 
嗯,因为C上的delta U可变范围大了吧,所以C就可以减小了,是吧李工?
nc965
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  • 2015-9-19 21:34:30
 
是因为电容的储能与电压的平方成正比。
ckj_ck
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  • 2015-9-20 10:21:52
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恩恩,这里的话我感觉(1/2)*C*delta U^2更加确切
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-29 08:31:56
 
但有个问题李工可能没考虑到,不同位置的RCD吸收,达到同样的吸收效果,选用的参数是不一样的,也就是钳位电压高了,需要的R是可以增大的。
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-28 08:47:20
 
这个电路应该跟顶楼道理一样的,一样可以吸收,除非你将二极管接反了。
ckj_ck
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  • 2015-8-28 08:58:02
 
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-8-28 08:59 编辑

然而,可惜的是我并没有接反二极管,并且二极管也没有击穿,真的是太奇怪了 (~ ̄▽ ̄)→))* ̄▽ ̄*)o
boy59
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  • 2015-8-28 09:20:46
 
C1和D1互换一下位置
ckj_ck
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  • 2015-8-28 11:03:59
 
那样的话对R1就比较担心了呢,所以交换之后一般都是接到母线的呢
boy59
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  • 2015-8-28 12:19:35
 
嗯,电压会比较高,不怕麻烦的话串联着用。这种接法只要满足满载时的峰值吸收就行,请教一下图中的那种接法如果参数选择不当是否会有满载时峰值满足要求而轻载时峰值过高的情况呢?
ckj_ck
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  • 2015-8-28 15:36:09
 
是指哪张图??RCD到地还是RCD到母线?
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  • 2015-8-28 16:24:22
 
27楼的图,RCD接地
ckj_ck
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  • 2015-8-28 18:48:46
 
不会的,轻载的时候尖峰只会更小
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-28 10:08:58
 
那是不可能发生的事情,跟你一样的试验我昨天刚做过。
ckj_ck
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  • 2015-8-28 10:21:41
 
你的电源是什么参数和什么拓扑呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-28 15:07:17
 
就是普通的反激。
ckj_ck
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  • 2015-8-28 15:34:13
 
哦哦,我仿真出来也是的确管用的,就是不知道在我实际的和仿真一样的电路的板子上为啥就不管用了………………
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-28 17:11:31
 
你看一下,电容两端的波形是什么样子,如果没有,那是二极管反了,如果是稳定的电压值,那么是电阻断了。
ckj_ck
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  • 2015-8-28 18:41:37
 
都不是,电容两端的电压波形,和漏极几乎是相差不多的
ckj_ck
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  • 2015-8-28 19:01:51
 
这个是电容两端的波形
111111111.jpg
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-29 08:30:38
 
1、你什么参数都不改,将电阻增大10被,看波形是否有变化,如果有变化说明二极管是正常的。如果没有变化,说明二极管直通了。
2、电容的参数可能太小了。
ckj_ck
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  • 2015-8-29 20:35:54
 
貌似是电阻取得太小了,但是按道理不应该啊,小了不是应该只会影响到Ton时的放电速度吗

实验数据是这样的,电容值保持原来的值(4.78nF)不变
电阻值=6.8k时。漏极尖峰712V(原先电阻值是68欧姆,尖峰是812V)
电阻值=3.4k时。漏极尖峰732V
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-8-29 20:38 编辑

ckj_ck
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  • 2015-8-29 20:44:07
 
电容两端的波形,现在是这样的(3.4k的电阻时的数据)
222.jpg
ckj_ck
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  • 2015-8-29 20:46:25
 
因为电阻大了,电容上的电压并不能够完全放完了,然而奇怪的是,在不能完全把电容上储存的电荷放完的情况下,漏极尖峰却减小了
YTDFWANGWEI
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  • 2015-8-31 08:15:35
 
所以说,我说你的试验结果很难理解。
ckj_ck
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  • 2015-8-31 19:33:28
 
电阻大了,电容放电慢了,不能全部把电放完了,然而漏极尖峰却小了……这前后电容大小取值却没变,好难理解
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-1 08:29:40
 
按照道理来说,及时电容大了,不能将电完全放完,那么电容放电的波形也不应该是你这样的波形,所以。。。。
ckj_ck
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  • 2015-9-1 14:33:21
 
可以贴个应该有的形状的波形图出来么?
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-2 08:33:56
 
就是平常RCD吸收电容的波形啊,电容通过电阻放电的波形什么样子不用贴吧?
ckj_ck
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  • 2015-9-6 11:15:34
 
这样想的话,我倒是感觉这波形差不多。
开关管关断的时候,因为尖峰电容瞬间充电到最高值,然后尖峰消失,进入稳态,电容电压稳定,
开关管导通时,电容通过R和MOS进行放电,(不过这儿的确感觉有些问题,明明还存在放电时间电容却没能继续把电全部放完)
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-7 11:50:53
 
没有问题?你看一下1、MOS管关断时候,电容上电压会跟MOS管电压一致?
2、MOS管开通后,这么大R电容上电压能瞬时下降?
ckj_ck
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  • 2015-9-8 12:13:20
 
关断的时候,波形里没看到有瞬间下降的地方啊,只有瞬间上升的地方。
开通的时候,电容上的电压才有瞬间下降的。

(电容电压波形里低电平的时候是开通的时候)
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-11 16:50:42
 
看那个尖,如果是真正的RCD,电容上电压冲上去不会立即下来的。
ckj_ck
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  • 2015-9-8 12:16:54
 
关断后,mos管漏极电压和电容电压,我看波形的确是不一样的啊……
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-9-8 12:18 编辑

YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-11 16:51:56
 
你再理解一下,RCD吸收,电容上电压应该是怎么变化的,电容电压时收电阻影响的,也就是出了吸收瞬间可能是尖峰,其他时间不会突变的。
admin
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  • 2015-9-11 17:33:39
 
ckj_ck
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  • 2015-9-11 18:01:57
 
对的呢,所以我觉得一开始冲上去的就是因为尖峰的原因呢,后来电容上的电压再持续以一定速率下降
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-12 08:29:05
 
所以说,你这个波形一看就不是正常的RCD吸收的波形,要么是测试有问题,要么是参数有问题,要么是连接有问题。
ckj_ck
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  • 2015-9-12 14:37:28
 
我上一句话的意思是:
我觉得这个波形有可能是对的
我对这个波形的理解是:我觉得一开始冲上去波形的就是因为尖峰的原因,接着电容上的电压再持续以一定速率下降。
这样的解释和您在上面提出的疑问符合了吧?正好对应了你觉得正确的波形。
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-12 15:14:43
 
我相信你测过别的RCD吸收上C的波形是什么样子。而且电容通过固定电阻放电的波形我想你也应该有所了解。
ckj_ck
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  • 2015-9-12 17:38:33
 
121.jpg
这个是仿真波形,上面是开关波形,下面是电容上的电压波形。

然后我又重新测试了一下C串联RD到地的电容两端电压(接线确认是正确的)
111.jpg 222.jpg
这和仿真波形大致是相同的啊。


然后我又测试了下,换成D串联RC到母线的C上的电压波形,挺奇怪的,波形如下:
112.jpg 223.jpg


本帖最后由 ckj_ck 于 2015-9-12 17:41 编辑

ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-12 17:46:54
 
当然,把电容放电电阻改大到1k,放电波形会明显许多
111.jpg
但是实际应用会造成漏极尖峰不能很好的消除下去,所以实际采用的是很小的电阻,以至于放电波形就如楼上的图片里那么陡峭,几乎让人不觉得那是正确的放电波形。
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-14 08:51:17
 
你说的是3.4K电阻时候的波形,这个电阻不算小吧?估计是测量的问题吧。
zhu056016
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  • 2015-9-17 23:31:36
 
我看了好几遍了,你赶紧试试,应该就是电容问题,换吸收电容,还是RCD接地的这种
zhu056016
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初级工程师
  • 2015-9-17 23:30:27
 
目测电容的ESR太大了,哈哈,你换电容,赶紧贴图,用eaco的std系列的无感电容啥的
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-18 11:17:26
 
ESR大了也不应该是这种波形,ESR大了估计吸收效果会差,但波形的趋势应该不会改变。
ckj_ck
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  • 2015-9-19 19:48:55
 
嗯,赞同
zhu056016
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  • 2015-9-15 09:50:57
 
你把R接到母线相当于给你的变压器漏感提供了放电回路,这个回路流过二极管和电阻,RCD的肯定是可以解决尖峰的问题的,但是前提是,你 R,C,D是不是理想的,以及RCD电路是不是引入了更多的电感,验证理论要清楚的分析最好是只有一个变量,
ckj_ck
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  • 2015-9-15 12:52:22
 
嗯嗯,好的,对于变量只是单个这样的方法,能够具体说说么?
我计算的时候是先根据吸收来确定电容的,然后根据放电来确定电阻
qq270453678
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  • 2015-8-28 21:59:14
 
来学习学习~看你们的讨论很有收获
司马仲达
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总工程师
  • 2015-9-9 21:43:29
 
看看能否有突破性结论,慢慢看
司马仲达
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总工程师
  • 2015-9-10 14:22:58
 
次级RC中R的作用是把二极管的尖峰损耗转移给R,你去掉R后二极管损耗相应增加
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-11 17:49:48
 
嗯,我也感觉的确应该是这样,但是同样是将损耗耗费在二极管上,比耗费在电阻上,初级漏感尖峰却来的小,这实验结果总是让人感到不悦的。
electriter
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本网技师
  • 2015-9-10 23:16:08
 
刚毕业的新人狗,昨天看师傅降低变压器副边尖峰的方法是降低变压器电感,说是让开关管工作在断续模式,这样开关管就可以在较低的电压导通。当然这跟漏极尖峰似乎没有什么关系。。。
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-11 17:51:16
 
并不知这样的说法。
断续模式是因为没有了次级二极管反向恢复的漏电流,才会使得初级漏感尖峰减小的
electriter
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本网技师
  • 2015-9-13 12:37:19
 
断续模式二极管就没有反向恢复的漏电流了?
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-13 16:31:36
 
没有二极管开通时突然施加的反向电压,哪来的反向电流呢,是吧
electriter
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本网技师
  • 2015-9-13 13:34:17
 
想了一想,漏感尖峰是开关管关闭、次级二极管导通的时候产生的,所以与之有关的是二极管的正向恢复而不是反向吧?
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-13 16:32:26
 
那个时候二极管电压是反向的,需要恢复到关断状态。所以才叫反向恢复。
electriter
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本网技师
  • 2015-9-14 23:36:09
 
新手还不是很懂。。。我的理解是,漏级的尖峰是在开关管关断的时候发生的,这时次级的二极管应该是要导通的,那么折射到原边的电压不应该是二极管恢复正向导通时产生的尖峰吗?
zhu056016
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初级工程师
  • 2015-9-15 09:34:51
 
好像一直没说你用什么电容和什么二极管,我做的200KW的桥式逆变电路,开始也有这个问题,用RCD确实是你吸收的,只是电阻热一点
ckj_ck
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  • 2015-9-15 12:49:47
 
就用的耐压1000V的插件瓷片电容和FR157的二极管
zhu056016
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初级工程师
  • 2015-9-17 21:08:56
 
电容用EACO的STD或者STB系列试试,RCD电路的情况下,二极管用超快恢复二极管,先把电容,二极管选好了再去对比变化参数和和变化电路引起的不同应该会好一点
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-18 11:15:50
 
我一般都是用直插的高压瓷片电容。也没问题啊?
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-19 19:48:10
 
高压瓷片应该是没问题的啊,而且身边也实在没有EACO的电容呢
zhu056016
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初级工程师
  • 2015-9-20 11:29:42
  • 倒数7
 
你的电容上的电压发生跳跃性的变化,理想电容这种情况本身就是不可能的,那你说什么情况会使电容电压发生跳跃性的变化。
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-21 22:05:45
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测试的时候会带来esl,然而又是尖峰,含有丰富的频谱分量,所以就有尖峰咯,理想电容当然不会有。
还有就是,一开始的尖峰可以看成是冲击信号,对于冲击信号,电容电压不能突变这个结论就不适用了。
对于A*delta(t)的冲击信号,Uc(0+)=Uc(0-)+A/C,所以就算没有esl,看到阶跃也是有理论依据的。
本帖最后由 ckj_ck 于 2015-9-22 11:32 编辑

YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-15 09:41:44
 
你看看尖峰产生的时刻,是二极管恢复到关断状态吗?
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-9-15 12:47:39
 
恩恩,不好意思,是我不小心搞错了,反向恢复是初级开关管开通的时候,也就是漏极电压开始下降到零的时刻,会对这个时刻的波形产生影响。
之前说的时候不小心想成正激的输出侧全波整流的了……因为最近一直在搞正激。不过正激是可以把这个反射给钳位住的,所以对于正激拓扑,初级侧有钳位,那么次级整流二极管的反向恢复电流就不会产生什么影响了吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2015-9-15 16:25:46
 
应该还是有影响的吧,这个要将关断阶段详细分析才好下结论。
何仙公
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  • 2015-9-16 10:36:41
 
才24W的东西,有必要那么复杂的吸收吗
何仙公
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  • 2015-9-16 10:39:41
 
RCD结构改正常点,比你那方式略好。C用102   电阻100K-200K  穿个阻尼电阻20-100欧姆,看着办。
搞定收工
何仙公
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  • 2015-9-16 10:43:36
 
从最高电压下降到0,目测匝比不合适。
144005897755d58e616168e_small.jpg
huanying
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  • 2015-9-16 13:59:29
 
不错,学习了,很实用,应该用得上
ckj_ck
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  • 2015-9-16 20:41:59
 
兄台可否解释一下匝比给Vds波形带来的影响呢?(比如就针对这个Vds电压一开始有下降到0的瞬间)
alienware
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  • 2015-9-17 10:02:11
 
用RCD其实是滤波器思想,电容和R谐振思想
XIAOTU80
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  • 2015-9-18 07:58:26
 
这种波形能算是匝比不合适的吗
何仙公
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  • 2015-9-22 17:11:33
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上变压器参数不就知道合适不合适了,明显变压器有问题
ckj_ck
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  • 2015-9-25 13:16:19
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XIAOTU80
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  • 2015-9-17 12:26:21
 
现在改的效果如何了?能降低多少
ckj_ck
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  • 2015-9-18 15:51:55
 
RCD到母线的话,能够降到600V  Vds
XIAOTU80
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  • 2015-9-19 16:39:50
 
降的不大
ckj_ck
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  • 2015-9-19 19:52:52
 
不加的话,有820V,下降的还不够大么?最大能够下降到570V
XIAOTU80
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  • 2015-9-19 22:43:23
 
我是看你1楼给的波形,648V.
在这个基础上,降低到570V.这其中总结下,如何能继续降低明显.
ckj_ck
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  • 2015-9-20 10:29:11
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就是调了一下容值和阻值,通过改变阻值减缓放电速度,和改变容值调节了下吸收。(RCD到母线)
vinus20000
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  • 2016-3-26 15:04:20
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好好看一下
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