世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
已解决

反激电源断续下原边电感电流尖峰

   关闭 [复制链接]
查看: 16702 |回复: 174
1
大大世界123
  • 积分:108
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:9
积分:108
LV2
本网技师
  • 2016-2-15 22:05:25
10问答币
小弟搞变频器出身,电源不是很精通。
论坛cn帖,请教一个问题。
反激电源连续状态下,MOS开通时刻,原边电流会有一个尖峰,是由于输出二极管反向恢复造成的,
1.jpg


断续模式下,输出二极管没有反向恢复过程,但是在实测波形中,原边电流从零开始上升的过程中还是存在尖峰,思考良久,不知原因。

2.jpg

请各位大师帮忙分析一下!

感谢!


最佳答案

查看完整内容

详情参阅此贴68楼:葵花宝典:消除副边二极管反压尖峰 [/backcolor] [/backcolor] [/backcolor]

评分

参与人数 121币 +10收起理由
admin + 10很给力!

查看全部评分

Gege_fly
  • 积分:1292
  • |
  • 主题:27
  • |
  • 帖子:248
积分:1292
LV6
高级工程师
  • 2016-2-16 09:41:33
 
这个尖峰是由原边的漏感引起的,漏感的能量瞬间释放,和MOS的结电容震荡。
何仙公
  • 积分:9992
  • |
  • 主题:30
  • |
  • 帖子:1609
积分:9992
版主
  • 2016-2-16 09:50:52
 
这点尖峰不碍事的
大大世界123
  • 积分:108
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:9
积分:108
LV2
本网技师
  • 2016-2-17 14:06:39
 
你好,漏感能量释放应该是在MOS关断的时刻,会引起Vds尖峰,而我这里指的是MOS开通时刻原边电流的尖峰
THTTH1982
  • 积分:11288
  • |
  • 主题:62
  • |
  • 帖子:4305
积分:11288
版主
  • 2016-2-16 10:14:35
 
能否把RC吸收调整一下,还有就是驱动电阻。
boy59
  • boy59
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:16252
  • |
  • 主题:118
  • |
  • 帖子:2767
积分:16252
LV10
总工程师
  • 2016-2-16 10:15:27
 
这个尖峰电流是MOS管源漏间的寄生电容放电造成的,在硬开关电路中好像没办法避免在QR模式下可以减轻在零电压电路中(如LLC电路)可以完成消除这个尖峰电流。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-16 12:35:03
 

评分

参与人数 121币 +10收起理由
admin + 10很给力!

查看全部评分

大大世界123
  • 积分:108
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:9
积分:108
LV2
本网技师
  • 2016-2-17 14:12:44
 
感谢版主!
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 09:03:34
 
楼主原帖摘录如下,DCM,请教以下图中箭头所指尖峰如何产生的?
220227nriapjuyt84azrtn.jpg
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:05:21
 
再提醒一次,不要假装没看见,懂就说说,不懂就说声不懂,不要死要面子。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 15:21:18
 
这件事你就完全不懂了,可能反激都没做过,你胡言乱语谁会听你的?你现在还没有误导别人的影响力。
你觉得楼主为什么设为最佳答案吗?因为他看懂了你没看懂的,远比你聪明。
照抄楼主原话也要抄错?你这书读得!
楼主原话:
断续模式下,输出二极管没有反向恢复过程,但是在实测波形中,原边电流从零开始上升的过程中还是存在尖峰,思考良久,不知原因。
本帖最后由 nc965 于 2016-2-18 17:26 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:24:33
 
不要胡搅,懂就说,不懂就说不懂,说得那么虚干什么?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 15:26:11
 
你我说了都不算,楼主说了算行不?
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:27:29
 
可以啊,请楼主说说这个尖峰是怎么来的,这不是为我,是为所有读帖的网友。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 15:57:36
 
你还能代表所有网友?你以为你是谁?你最多代表一下那个“本大师”而已。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:31:31
 
楼主离线,你玩虚的?说一下有那么难吗?不懂就说不懂。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 15:34:58
 
又想显摆了,建议你单独发帖,这贴人家已经结贴了,人去楼空,你以为人家预先就知道你要大驾光临,等着你啊?你是谁啊?
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:36:08
 
心虚了吧?尖峰怎么来的都说不清楚还消除尖峰,搞笑吗?
大大世界123
  • 积分:108
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:9
积分:108
LV2
本网技师
  • 2016-2-18 15:57:13
 
二位好,按照nc965的方法,增加了Rg,原边的电流尖峰确实改善。但是增加Rg会使MOS开关损耗加大,温升问题需要继续试验。

另外我搭建了一个saber的flyback仿真模型,为验证断续下影响这个电流尖峰的因素。
原边漏感,变压器分布电容,MOS寄生电容,这三个变量都尝试着分别、或组合增加10倍,但是那个电流尖峰的大小保持不变。只有增大Rg才有明显的改善。

按我的理解,尖峰的产生,原因无非是寄生参数或分布参数,电感或者电容,总是有di/dt、dv/dt造成的,增大Rg等于增大了dt,尖峰自然会减小,增大Rg是一个解决问题的方法,前提是效率温升要满足要求。

现在仍然不理解的是,造成这个尖峰L或者是C,就是公式前面的系数,到底是哪个部分的(也就是这个现象的根本原因)?我觉得仿真排除了原边漏感和MOS寄生电容,变压器的分布电容我是直接并在原边绕组两边,模型可能不准确,不能确定是否有影响。

请二位继续参与讨论,我们是讨论技术,不是来干仗的。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 16:05:12
 
这个问题的回复,在原帖219楼,摘录如下:
这个效应的本质,就是112楼那位兄弟认为是错误的那些原因。
二极管反压尖峰,本质上是付边漏感的一种释能方式,现在通过减慢导通,让原边MOS开通损耗增加一点,米勒一点,以这样的方式,使付边的漏感能量转移到原边来,使付边看上去就是完全没有尖峰和漏感释能损耗的理想波形。总损耗不一定会降低,效率还有可能更高,且发热转移到有散热措施的原边消耗,大幅度降低了di/dt,改善了EMC,是件一举几得到好事。

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-19 08:23:13
 
是不是很苦逼啊,一个简单的问题几十年都没有搞清,好好看看,记得要感恩,不懂感恩的是什么自己应该很清楚吧。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-19 08:20:55
 
尖峰产生的原因简单讲就是MOS管的Qg引起,或者说Ciss充电引起,下面示意图很容易理解该尖峰的成因,这与什么EMI什么的、什么二极管什么的没有任何关系,纯碎的MOS的电容造成。对该尖峰完全不必理会,所有的芯片均会忽略该尖峰,称为LEB。LEB时间一般为200nS左右,该尖峰的大小显示了MOS管的Qg的大小,而Qg是MOS的一项重要指标。
Ciss.jpg
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-19 09:21:49
 
原来就这点见识?连楼主都都比你强很多。可笑!还是建议重新从初中读起吧。
本帖最后由 nc965 于 2016-2-19 09:25 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-19 13:47:06
 
心里的阴暗面积该有多大?
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-19 13:50:21
 
真是不懂感恩,几十年没搞懂的东西,今天让你学到了不思感恩反而一付酸溜溜的样子,可悲。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 08:53:07
 
版主没有直接回击,是因为这个论点太站不住脚了,首先,实际应用中栅极电压最高不会大于20V,而提供栅极灌电流的电阻,基本都在33欧姆以上,一个简单的欧姆定律就能计算出,此路电流脉冲不可能超过1A,实测电路中的冲击电流却在数安培以上,所以论点就不攻自破了(我这边有一个实例是栅极电阻用到了390欧姆,依然有2A以上的尖峰)。另外还有一个侧面证据,当把母线电压提高后,会发现这个尖峰明显变高,这个现象用RG回路电流根本无法解释,但是用变压器分布电容去解释,却是顺理成章。另外版主也提到过,业余条件下没有电流探头,测试这个电流波形,要注意干扰,实际上如果用普通的方式测试CS波形,会被干扰得无法直视,简单有效的方法是,拆掉探头的带勾帽,在CS电阻的两端各焊两条元件脚,然后接地那端弯个大环,把拆了帽子的探头卡进去测量。波形就一干二净了,与电流探头采样到的波形基本一致。

书籍资料上的知识,不是没有用,但是如果所有的东西,都不经分析推敲,乱抄乱用,那就应了那句“尽信书不如无书”,这句话需要理解深一些才行。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 13:00:47
 
请不要代替所谓的版主表达意思,除非你与版主深入交换过意见过并且版主没有表达能力,版主似乎还没有残疾不知为何自己不能表达。至于是不是经得起推敲不要轻易下结论。

至于与什么MOS管的电容,与什么变压器的电容什么的有什么影响请参阅25楼,这是楼主做过实验的。至于为何电流比较大请参阅63楼70楼的文档。

本人已数次说过,本人没有做过实验,既没有做过实验那只能参考别人的文档,也再三说明文档仅供参考,也请不要轻易否定别人的文档,同时不要凭空推测,一切需凭实验数据说话。


你再读一遍你的帖子是否发觉前后自相矛盾?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 13:47:56
 
兄弟你就不必给他讲什么道理了,这人讲啥都没用,是个泼皮,来搅水的。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 13:54:01
 
哈哈,版主在第37楼的评论,我现在才深有体味。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 13:59:12
 
奴才相不自不觉又流露出来啦?
大大世界123
  • 积分:108
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:9
积分:108
LV2
本网技师
  • 2016-2-19 13:33:28
 
感谢lahoward!

引起这个尖峰的C,是MOS的GS电容,这个解释也很合理。增大Rg减慢了开关速度,尖峰自然就小了。

但是参考下面两个帖子:
http://www.dianyuan.com/bbs/286543.html

http://www.dianyuan.com/index.php?do=community_topic_floorShow&id=744137

1.gif 2.jpg


这种更大程度的原边电流尖峰,更适合nc965的解释?

这个尖峰是两种因素的叠加?

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-19 13:48:34
 
我不知道这个nc965是如何解释的,请nc965来说说。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-19 14:55:04
 
给你解释?你还在2位数加法阶段,就想知道怎么开方?解释了你也听不懂?你那水平远远还没有到能够理解这个问题的程度。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-20 08:33:20
 
是否有臆想症?我什么时候要你说给我听?没文化真可拍!
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-19 16:19:50
 
?? 本帖最后由 nc965 于 2016-2-19 17:02 编辑

nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-19 17:03:01
 
貌似我并没有解释过这个电流尖峰来至何处,你看的那个贴的主题是消除付边二极管反压尖峰,对这个问题只是有所涉及而已,而你果然能触类旁通,赞一个!
从你的举例看出来有相当多的人不知道这个尖峰来至何处,纠结中,那就说两句。
首先,这个问题不必太纠结,一般情况下并没有太要命的后果(特殊情况下还是有的)。
在正常情况下,这个电流尖峰主要有3个来源:
1、付边二极管反向恢复电流映射到原边,这是主要成分。至于:很多时候付边二极管此时已处于零偏置(或者轻度的反向偏置)状态,为什么还会有如此大的反向恢复电流?这涉及更深层次的问题,建议没有一点功力不要去追究,避免把自己带进死胡同。
2、(反激)原边钳位二极管反向恢复电流,次要成分。
3、MOS管寄生电容,更加次要的成分(MOS的寄生等效电容有3个哈,其中Cgs的影响更是次要到不值一提的程度)。
但是,在非正常情况下,其中某个因素可能上升到更加突出的程度。
还有一个事提醒一下,这个位置的电流尖峰的大小和形状,往往并不是你在示波器上看见的那样,实际的可能比看到的轻微很多,这是由于示波器做这种测试很容易被噪音干扰的缘故。
本帖最后由 nc965 于 2016-2-20 10:01 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-20 08:40:10
 
没文化真可怕!什么话都敢乱讲。
你这种人不说还好,可以显得很神神秘秘的,一说便露了馅,没有一句话说的是对的,可悲啊!你这种人其实搞传销到是很有天赋的。

nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-20 08:53:06
 
给你讲了,我在论坛几十万字吧,没有一句是对的,这下你有得忙乎了,使劲忙吧,别掉坑里了。
letfly
  • letfly
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:408
  • |
  • 主题:15
  • |
  • 帖子:49
积分:408
LV6
高级工程师
  • 2016-2-19 16:08:41
 
只是是GS电容引起的吗?在MOS开通时刻,CDS电容电荷也会放掉吧,而且能量会比CGS大,按照能量1/2*C*U^2来看
个人理解
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-19 19:38:25
 
是的,Cds的影响显著更大。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-20 08:49:43
 
这很容易验证的,如果改变Gate的电阻,该尖峰大小跟着变化,则这尖峰与Cds无关。更为重要的这个尖峰是是在MOS管开通之前产生,而非MOS管开通中或开通后产生。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-20 08:53:45
 
天下一级蠢货!
这下连书都没得抄了,你说出现在这番话人家才知道你是啥水平,这种幼稚园的思维还想充内行?哈哈哈,丢人丢大了,感觉你连“本大师”都不如哈。
现在基本可以判断:这厮中技校还没有毕业。
本帖最后由 nc965 于 2016-2-20 09:38 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-20 09:44:49
 
典型的狂躁症,该治治了。没文化真可怕。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-20 09:46:28
 
已经知道你水平和人品一样低下了,不想和你这种人有任何交集,88
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-20 10:09:51
 
你就一个无业游民而已,你敢说你有工作吗?没文化真可怕。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-20 10:10:55
 
已经知道你水平和人品一样低下了,你不用再证明了,不想和你这种人有任何交集,88
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-20 12:43:59
 
Qg,不是CGS。
xd285070
  • 积分:8122
  • |
  • 主题:18
  • |
  • 帖子:1091
积分:8122
LV8
副总工程师
  • 2016-4-9 22:26:30
 
用电流互感器串在D级,测量D级的电流,还有那个尖峰如何解释。。。。。。好像老一点的芯片都没所谓的前沿消隐,如uc38xx,tl494,sg3525等。。。。。。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-9 22:31:14
 
人家分析MOS冲击电流不用漏极。哈哈哈!
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-10 04:47:37
 
傻笑
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-10 07:40:29
 
留点面子,不嘲笑你了。
这种把漏极断开的事我也干过,那是想初步调整驱动电路参数的时候,仅仅把MOS 的GS当驱动电路的负载使用,免得不确定的驱动把MOS烧了。即使这样,也知道接上漏极后的驱动还很不同(还得细调),更何况MOS的冲击电流了。
MOS的电流过程一定是与拓扑有关,一定要有拓扑连接才能分析,比如LLC,一般就没有那个冲击电流尖峰,虽然此时的驱动波形还是方波。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-10 09:28:22
 
给你个忠告,尽量少谈细节,你这人一谈细节马上暴露出知识的贫乏,思路的混乱。你擅长的是装高深,知道吗,要扬长避短,装高深。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-10 09:30:53
 
我只会谈宇宙,不懂细节。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 12:02:20
 
“原边漏感,变压器分布电容,MOS寄生电容,这三个变量都尝试着分别、或组合增加10倍,但是那个电流尖峰的大小保持不变。”这个实验或仿真需要再细致些,我的仿真和实验都证实跟变压器分布电容关系最大。实际反推出来分布电容的容量在20PF到300PF之间。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:34:51
 
尖峰怎么来的都说不清楚还消除尖峰,搞笑吗?

评分

参与人数 2财富 +12收起理由
那人在静思湖吧 + 7
何仙公 + 5

查看全部评分

nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 15:35:49
 
你单独开贴啊,给大家普及一下尖峰是怎么来的哈。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:36:35
 
你说啊到底懂还是不懂?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 15:37:37
 
我不懂,不过即使我再不懂,也不会去看你那些狗粪贴。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-18 15:41:51
 
早就看出你不懂,没文化真可怕,不懂嘴还这么硬,不懂嘴里还不干不净的。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 15:43:15
 
只是不懂你嘴里吐出来的不干净的东西。
大大世界123
  • 积分:108
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:9
积分:108
LV2
本网技师
  • 2016-2-18 15:58:21
 
二位别吵了,可否看看我的回复
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-2-18 16:00:35
 
看见了,这个问题貌似在另外一个贴有回复,我找找。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-2-20 12:45:17
 
多谢支持。
tongyuanju2005
  • 积分:220
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:26
积分:220
LV3
助理工程师
  • 2016-2-16 15:43:57
 
不知道楼主用的漏感吸收电路是哪种形式,猜测是吸收电路中二极管建立反向电压时产生的电流。能否验证一下?
pizige5241
  • 积分:1299
  • |
  • 主题:37
  • |
  • 帖子:255
积分:1299
LV6
高级工程师
  • 2016-2-19 15:23:13
 
。。。。
tongyuanju2005
  • 积分:220
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:26
积分:220
LV3
助理工程师
  • 2016-2-24 20:31:12
 
是说得不对吗,欢迎拍砖
dx3230
  • dx3230
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:359
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:21
积分:359
LV4
初级工程师
  • 2016-2-19 23:36:50
 
DCM反激管子开通时的尖峰是由Cds和变压器寄生电容放电产生的
https://bbs.21dianyuan.com/thread-125261-1-1.html
这篇文档应该也能解释LZ的困惑
http://wenku.baidu.com/view/60486fad7c1cfad6195fa7f9.html?from=search
本帖最后由 dx3230 于 2016-2-20 00:00 编辑

小雨清风一点通
  • 积分:480
  • |
  • 主题:12
  • |
  • 帖子:137
积分:480
LV6
高级工程师
  • 2016-3-13 12:21:40
 
已经很接近真相了,我再细致一下,说错了请拍砖。关键词:DCM,Ids开通尖峰

1、DCM,不存在任何二极管反向恢复问题( 吸收,Mos Body Diode,Sec Side Diode),因为反向恢复是在该二极管被加反压,关断后的几百ns内发生的(基于快管,肖特基几乎没有),而DCM的Ids开通尖峰显然跟此无关吧?
2、Ids尖峰显然是正向电流(Mos 的Drain to Source),如果是某LC谐振造成的,至少会是个正弦型,有正有负,这里显然不是谐振造成的。
3、该尖峰主要因素:变压器原边绕组的匝间电容及层间电容造成的
4、为什么Qg不是主要因素,却可以对该尖峰造成影响?
Qg=Qgs+Qgd。当MOS的G/D/S三点电压都定下后,Qgs/Qgd/Qds基本可以用Cgs/Cgd/Cds来代替了。(不同于MOS datasheet中的Cgs/Cgd/Cds,因为datasheet中的三者是在低压下测的,特别是Vdrain)。
先解释Qgs,MOS是电压控制型器件,Vgs一般约10V-20V吧,可以算一下,给Cgs充电电流再怎么大也不会是安培级别的(尖峰峰值大小可以跟原边电流比较大小),因此不是主要因素。
再是Qgd,这个Qgs是米勒平台的罪魁祸首,但MOS开通时,给它充电的电流99%是从mos的Gate to Drain,当Vgd=0时才转而向下变成向Cgd+Cgs充电,最后这1%才会对Ids开通尖峰有影响,算一下大小,应该也不是主要因素。
最后解释既然Qg不是主要因素,通过调整Rg却可以对Ids开通尖峰造成影响。因为Rg大MOS开通慢,MOS的Drain to Source等效电阻Rds就大,给变压器原边绕组的匝间电容及层间电容充电的电流就小,因此尖峰减小。
补充一点:Qg与Rg也无关,但Vgs确定后,Rg与Cgs就有关系了。


有错误之处请各位同窗指出,不胜感激!
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-13 13:16:57
 

参考一篇EDN的文章,载录相关部分如下:
The RC delay circuit in Figure 1 works for most applications in suppressing voltage spikes that may falsely trip the peak-limit-current comparator. However, some applications require a leading-edge blanking circuit to suppress false triggering. Figure 2 shows the typical current-sense signal that appears across R2. The leading-edge spike at time T1 occurs when the gate drive switches from low to high and the parasitic capacitance from the gate to the source of Q1 is charging.
f1.jpg f2.jpg

全文见  leading-edge blanking
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-13 13:34:11
 
再看一篇NXP的数据手册,见8.38,已用黄色高亮,载录相关部分如下:
8.3.8 Leading-Edge Blanking (LEB)
A blanking time is implemented after switch-on to prevent premature detection of inductor peak current. At the opening of the MOSFET switch, a short current spike can occur because of the capacitive discharge of voltage over the drain and source. During the leading-edge blanking time (tleb), detection is disabled. So spikes are disregarded。

SSL5101T.pdf (151.37 KB, 下载次数: 801)
小雨清风一点通
  • 积分:480
  • |
  • 主题:12
  • |
  • 帖子:137
积分:480
LV6
高级工程师
  • 2016-3-13 18:33:33
 
谢谢分享!
根据资料1中描述应该是Qg charge造成的,这个没问题。只是觉得应该不是主要因素,我只从理论上计算认为单纯Qg不能造成那么大的spike.
根据资料2中描述应该是Qds discharge造成,这个描述显然与资料1相悖。Qd=Qds+Qdg(是否可以这么理解?),况且Mos开通时,Drain到Source电容的放电电流应该是从Source流向Drain吧?LLC那个ZVS就是利用Source到Drain的电流实现的。
至于反激MOS开通时,Cds怎么放电,我认为是走的Gate to Source,到达弥勒平台后,由Gate to Drain,同时Gate to Source to Drain dischager。我的分析就是简单的基于基尔霍夫电流定律,不知道疏漏了什么没?


lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-14 13:45:33
 
  • 两篇文档均未提及与变压器的层间、匝间绕组的电容有关,这不是别人想不到而是因为与此无关。
  • 你的推测我认为没有什么说服力,比如,你是否测量过层间、匝间的电容?是多大的数量级的?怎么测量的?等效电路是怎么样的?MOS管从栅极加上驱动电压到MOS管开通需多长的时间?尖峰的上升沿是在MOS管开通之后还是开通之前出现的?等等,有太多的问题了,你的推测里无任何数据来佐证,仅凭猜测因此不足为信。
  • 自己做实验搞清这个问题是比较困难的,我想一定有人仔细研究过,设法找到这种研究的文章是上策。
  • 百度里的那篇文章也是没有什么道理的。

本帖最后由 lahoward 于 2016-3-14 13:48 编辑

小雨清风一点通
  • 积分:480
  • |
  • 主题:12
  • |
  • 帖子:137
积分:480
LV6
高级工程师
  • 2016-3-14 20:41:00
 
你说的有道理。小功率变压器(<100W)层间电容我是测过,不过只有几十pF,用LCR metre四桥臂的探头测的(暂且这么叫)。
匝间电容没测过,不知道怎么测。
我现在觉得跟Qg、变压器分布电容都有关系,光理论分析确实不能定量,抓个波形,以米勒平台分界,应该能分析出来。回头有机会再补上

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-15 12:24:41
 
四桥臂的探头叫开尔文四线夹如下图,其原理网上搜一下到处都是。
Kelvin.jpg

其实要验证与变压器是否有关也容易,用一个电压探头测S电压,一个电流探头测D极电流,如果俞变压器有关,则S极产生尖峰的时候,D极也同时出现一个电流尖峰,然后再线性上升。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-16 04:50:16
 
再参考一篇TI的文档,相关内容摘录如下:
As the switch turns on, circuit parasitics in the power stage, output rectifier reverse recovery characteristics and high current gate drive pulses can create significant noise pulses on the leading edge of the current sense signal。

由于此处讨论的是DCM故文中 output rectifier reverse recovery 可忽略,因此 gate drive pulses  是主因。


slua125.pdf (183.68 KB, 下载次数: 729)
小雨清风一点通
  • 积分:480
  • |
  • 主题:12
  • |
  • 帖子:137
积分:480
LV6
高级工程师
  • 2016-3-24 20:21:06
 
我在Fairchild某个ic datasheet中也见过这般描述,不过上面只提到了变压器分布电容和肖特基反向恢复电流。这明显也不对啊,跟Qg肯定有关系,分布电容更撇不开。
那些IC公司写研究资料或datasheet的人,大部分也都是抄来抄去,引用IEEE还可以接受,商业上的不敢恭维。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-25 05:14:00
 
这东西除非自己做实验否则只能引用参考别人的说法。
参考一份美国的专利,只需看少量的文字,图已表达得很清楚了
spike.jpg

US6219262.pdf (808.13 KB, 下载次数: 784)
小雨清风一点通
  • 积分:480
  • |
  • 主题:12
  • |
  • 帖子:137
积分:480
LV6
高级工程师
  • 2016-3-28 21:21:49
 
对的,Qg没问题,仿真的话即使是理想变压器也是存在这个spike的。
给变压器分布电容充电也是LEB的目的之一,或许不是那个最大的spike。
谢谢分享
何仙公
  • 积分:9992
  • |
  • 主题:30
  • |
  • 帖子:1609
积分:9992
版主
  • 2016-3-23 10:14:11
 
计算!
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-23 11:48:40
 
如何计算我也不会,这里面还涉及到杂散电容什么的,我看只能定性无法定量。
何仙公
  • 积分:9992
  • |
  • 主题:30
  • |
  • 帖子:1609
积分:9992
版主
  • 2016-3-23 13:54:01
 
有本书上有计算方法,公式比较复杂,哪天闲的蛋疼,可以把漏感层间电容都计算了。当然要相信有误差是肯定的,未知的参数太多,抽离几个已经很不容易了
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-3-23 14:51:30
 
好啊,那个书弄个截图看看也不错的。
何仙公
  • 积分:9992
  • |
  • 主题:30
  • |
  • 帖子:1609
积分:9992
版主
  • 2016-4-8 09:04:37
 
漏感!
1.jpg
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-8 12:35:26
 
比较复杂,不太容易看懂。
何仙公
  • 积分:9992
  • |
  • 主题:30
  • |
  • 帖子:1609
积分:9992
版主
  • 2016-4-9 08:46:38
 
还好吧,a是幅宽  b是绕组厚度 c是绝缘层厚度  MLT是1圈长度  4*pi()是真空磁导率  NP是初级圈数
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-9 08:53:09
 
你这么一说觉得清楚些了。这本是什么书啊?能否共享?

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-9 08:53:56
 
不好意思,才发现这不是电子版的。共享的事就算了。
何仙公
  • 积分:9992
  • |
  • 主题:30
  • |
  • 帖子:1609
积分:9992
版主
  • 2016-4-9 10:31:29
 
变压器与电感器设计手册 (四)
三版应该有电子档
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-9 11:23:41
 
多谢指导,我有这本书的电子版,本论坛上下载的,抽空好好的读读。

trasformer.jpg

何仙公
  • 积分:9992
  • |
  • 主题:30
  • |
  • 帖子:1609
积分:9992
版主
  • 2016-4-9 16:06:00
 
第四版,仍然错误很多。但是很磨练人的。
书都4版了,依然那么多错误。搞技术的活的多么不容易,一不小心就被坑了
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-13 11:09:28
 
尽信书不如无书,这个现象可以用SABER仿真的到,实验也容易证实,层间分布电容很容易通过硅胶做介质来增大,同绕组的分布电容不容易测,但是绕组间的分布电容很容易用电桥测到,只需测试主绕组和反馈绕组之间的分布电容量就可以了。对比一下未灌封硅胶之前和灌封后的电容量大小,可以清楚看到分布电容的改变。再对比灌胶前后的电流波形的前沿尖峰峰值,你会看到明显的改变。

如果觉得灌胶太麻烦,也可以采取不同的绕制工艺来改变层间电容。例如三明治和非三明治绕法,也能测出不同分布电容下的不同峰值波形。

总而言之,多仿真,多做实验,就会找到真相,因为真相不一定在书里。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-13 13:45:30
 
不信书信什么?不会说信你吧?所谓尽信书不如无书,本人认为那种话是一种谬论,是不会读书的人的托词,不知你是否经常读书?在读书过程中是否经常发现书中是有谬论的?若有是否可举几例以佐证,若没有例证那此话便大大的有问题了。

另外你写下上面这段话之前有否做过仿真?有否做过试验?若什么也没做岂不是空口说白话?
所谓“未灌封硅胶之前和灌封后的电容量大小,可以清楚看到分布电容的改变” - 你认为胶能渗入绕组?不知你灌的是什么胶?有无实测数据?
所谓“多仿真,多做实验,就会找到真相” - 听上去像真的一样,但不知你做过没有?

估计上面这些问题你一个都答不上来。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-13 15:00:41
 
不知道是激将法还是真傻,算了,你如果去相信一大堆未经推敲的档案资料,你慢慢去翻吧。我们用最简单最直接的方式,仿真和实验,得出我们认可的结论就行了。也许我真的需要把整个仿真和实验过程整理成数据PDF,你就相信了。或者你根本就不可能相信,我又何苦呢?我的评论之前完全没有针对你,我也希望以后永远不针对你,跟你没任何关系。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-13 16:49:04
 
韦总息怒,他就是个实验室的杂工,携带狂犬病遗传基因,见人就咬是他的德行,你就当今天倒霉,遇见个疯子。
就我所知,韦总做的电源,数以10KK计,其中大部分是要灌封的,没点真本事,没有大量理论和实际的积累和积淀,产值能做到几个亿?是你一个实验室的杂工能够评头论足的?笑话!
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-13 18:03:46
 
李工,嘘!低调点好。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 01:16:51
 
一付奴才嘴脸,好似何坤转世。 本帖最后由 lahoward 于 2016-4-14 01:34 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 14:17:56
 
你这奴才拍马也拍不好,你是他们公司的财务还是销售?帮你算笔账:
“产量10KK,产值几个亿”,我就问你一句几个亿?亿可以乱估的吗?没文化真可拍,什么都敢乱说
假定2个亿好吗?一个产品只卖20块,这是什么东西啊?一个充电器也不是这个价。。。什么?是低端产品?呵呵,这个公司还说不定时帮我们做OEM的。




nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 14:22:45
 
傻冒,你以为你的问题别人一定会给你解释吗?不想搭理你可以吧?不喜欢你可以吧?
本帖最后由 nc965 于 2016-4-14 14:23 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 14:27:48
 
只卖20块电源是什么电源啊?还产量1000万,卖给赤佬啊?
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 14:58:53
 
以你的智商,我很难跟你解释。你跑一下市场,在实体公司做一两个案子,你就知道你的说法有多幼稚。
本帖最后由 rayson 于 2016-4-14 15:01 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 15:06:48
 
以你的智商,你觉得你能说得清问题?你怎么就知道我不在实体公司?岂有此理,是否与你的智商有关?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 15:23:46
 
兄弟真别跟他说什么了,这蠢货不可理喻,忙你自己的去吧,我来收拾他。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 01:13:03
 
本人向来反感貌似高深侃侃而谈而没有任何凭据见谅。另外还请文字中不要带有人身攻击的字眼。
本帖最后由 lahoward 于 2016-4-14 03:13 编辑

nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 07:16:19
 
不知天高地厚的东西!就知道你狗嘴吐不出象牙,这论坛像疯狗一样见人就咬,出言不逊的仅你一人,哪一次削你不是因为这个原因?还说向来反对?真是个厚颜无耻之徒!
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 07:35:48
 
奴才说话怎可如此无礼?还不跪下!
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 08:44:22
 
这厮的病根差不多找到了,对任何事情的见解,都是在错误估计形势,判断失误,难怪每次都掉坑里。
看了书说了句什么,就以为别人都不懂,刚学会九九乘法表,就以为发现新大陆,刚知道一点CCM的概念,就想找机会给大家普及,你太急于表现自己了吧?你以为别人都跟你一样只有初中文化水平?
这次你又错误估计了形势,韦总见了我,得叫我老大,他是我的小兄弟。

rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 11:28:27
 
版主对电路的理解很深刻,理论和实践都很到位,角度也很独特,是我比较佩服的一位专家。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 12:14:20
 
典型的奴才相! 见了主子摇头摆尾、阿谀奉承,见了外人狂扑乱咬、貌似恶鬼、形如疯狗。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 13:24:37
 
疯狗一定会咬人的,主子也敢咬,不信看他下一句说什么?
本帖最后由 nc965 于 2016-4-14 13:25 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 14:00:52
 
你这奴才连主子也敢咬?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 14:04:46
 
看,又咬人了,请继续表现。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
最新回复
  • 2016-4-16 14:15:46
  • 倒数1
 
讨论那里所谓产值没什么意思,因为不管做多大,那都是老板的事。我们做技术的,讨论技术就好了,我觉得如果您真执着,也不屑去做实验,那么还不如花多点心思和时间,找多点资料来证明你的观点。您说呢?
ltpzm
  • ltpzm
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1578
  • |
  • 主题:7
  • |
  • 帖子:270
积分:1578
LV6
高级工程师
  • 2016-4-9 16:46:33
 
精彩!!!!!!!!!!!!
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-13 10:24:55
 
完全赞同,因为这个电流尖峰的di/dt十分大,所以实际上是影响了EMI的辐射部分。一些产品在灌了硅胶之后,变压器的分布电容会变大,di/dt就会增加,所以会发现灌胶后EMI变得槽糕了。唉,不说了,说着说着就泄漏商业机密了。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 16:01:27
 
我倒觉得这个事还不能完全归结为变压器绕组分布电容和灌胶对它的影响。
灌胶对Ipk和EMC的影响应从更全面的角度来看,影响的还不仅仅是变压器。
其实灌胶最显著的改变就是介电常数的改变,在灌胶空间内,开关电源输入母线的连线、MOS漏极的相关连线和散热体,空间尺度都是比较大的,它们之间的等效电容因为灌胶的影响带来的改变是非常显著的,而这个电容在很大程度上等效于钳位二极管的结电容且在相同的数量级,直接影响冲击电流。这应该才是主要机制。
本帖最后由 nc965 于 2016-4-14 16:17 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 16:16:51
 
这话还有几分道理,由此可见你楼上那位也只是嘴上功夫厉害。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 16:19:26
 
大人说话小孩少掺和
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 16:26:16
 
奴才是否打算犯上作乱了?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 16:28:04
 
这里没你的事,请不要影响别人。你以为你酸几句,就成内行了?
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-14 16:37:36
 
也就两个耍耍嘴皮子的主,不信?敢不敢回答几个与产品有关的基本常识?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 16:40:06
 
不会跟你讨论技术问题,也不会跟你讨论常识问题,只想逗你玩。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 16:37:42
 
是的,这个只是其中一个影响因素。实际上我们在解灌胶后EMI难题,是将灌胶后的产品,局部挖胶再测EMI,挖了一些关键位置,的确EMI改善回来,但是总是不彻底。最终直接把变压器代换了,才恢复到未灌胶前的余量。挖胶能改善EMI的位置有,共模滤波电感,差模滤波电感,MOS漏极网络,变压器周边。因为变压器绕组内的硅胶基本很难挖,所以只能代换来考察效果。我们公司现在都是抽真空工艺灌胶,产品内部所有间隙几乎完全被硅胶浸透,所以对EMI影响比较大。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 16:41:17
 
明白了。如果只是真空浸漆呢?有没有这方面数据?
本帖最后由 nc965 于 2016-4-14 16:46 编辑

rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 16:55:29
 
版主果然眼尖,一眼看到点上去了。问题就刚好出在这里,变压器厂为了省绝缘油,一般都会采用真空浸绝缘油的方式,这样的方式带来的后果是,绝缘油浸入很理想,多细的小孔都能浸入,但是正好相反的是,因为绝缘油浓度不高,全在绕组内部的漆包线和绝缘纸表面形成薄层,反而绕组内部很多比较大的空间,空空如也,硅胶就乘虚而入,填充了那些空间。我们后来尝试用传统的浸油工艺,或者后加工浸三防剂工艺,比较浓的绝缘油或三防剂就能充分填充那些空间,再灌胶后,产品就基本没有那种情况了。实测PQ2620变压器,初级20T+20T,三明治工艺,未灌胶前,测得分布电容量是113PF,灌胶后,电容量达到180PF,怎么测,版主肯定一眼就看出来了。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 17:04:18
 
有些事就不用说出来了
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 17:08:58
 
好,让某个人使劲想
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-14 17:13:26
 
你高估他了,他一定不会去想这些,脑子不好使。我的意思,这些都是生产经验,点到即可,没有分享的义务。
本帖最后由 nc965 于 2016-4-14 17:15 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-15 01:26:13
 
奴才本性不知不觉又暴露了?

奴才就是这样,对主子摇头摆尾,对外人如恶鬼疯狗。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-15 07:05:04
 
开口闭口都是奴才,想当奴才想疯了?
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-15 01:34:12
 
看来你还不如那个奴才,说的全是外行话,还产值过亿,还产量过千万,莫搞笑了。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-15 13:29:05
 
谎言必不攻自破,问问论坛里的各位,谁家的变压器是浸油的?一个号称产量千万级的居然变压器都是浸油的,还是真空浸油,实令人大跌眼镜。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 14:45:37
 
不好意思,让您跌眼睛了,我们就这么个水平了,还在用变压器,还在浸油,而且还在真空含浸,没办法啊,条件太艰苦了。我知道你们公司早就已经不在这个乌烟瘴气的地球了,我也知道你们应该早就不用变压器了,传递能量应该是无线传递,或者也不用电磁波了,应该是以太波或者我们地球人不知道的波吧。哦,想起来了,火云鞋神应该就是你们那里过来的吧?太厉害了哟!
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-15 15:35:58
 
死猪不怕开水烫,直接开始胡言乱语了。奴才在哪?还不来救驾?
呵呵,变压器浸油,世界上独一无二的工艺。你们公司里是否到处油油腻腻的?另外有没有见过硅胶啊?硅胶配到油会怎么样?

谎言二:真空灌胶。
除了无盖的电源小模块外,有外壳的电源进行真空灌胶就是就是一句十足的谎话。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-15 15:47:51
 
谎言三:“我们后来尝试用传统的浸油工艺,或者后加工浸三防剂工艺,比较浓的绝缘油或三防剂就能充分填充那些空间”
呵呵,你们是做电源的还是做变压器的?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-15 16:20:22
 
请不要对你不了解到事情妄加猜测,喜欢猜测别人,是小肚鸡肠的女人的道理,有失男人体面。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-16 01:07:38
 
奴才的本性又暴露了是不?见主子摇头摆尾,见外人如恶鬼疯狗。
既如此迫切护主,那你先替你主子说说变压器如何浸油,浸什么油?地沟油吗?



我不了解灌胶?我猜测?我们公司的年产虽不过千万,但三、五百万还是有的,而且大多是灌胶的。说真空灌胶那是胡扯,抽真空箱你见过吗?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 07:50:04
 
之前的爆粗口到此为止,我建议大家约定,从此以后在论坛的任何贴,都不要再口出秽言,攻击别人,大家都做文明人,你是否同意?
关于你的质疑,如果你文明跟贴,我会做如下回答:
关于“油” 的故事,N多年前第一次做板,信心满满,以为自己啥都懂,联系PCB厂家,人家说:镀锡、白字、绿油。我立即质问:什么油?害得人家还把油的材质报告传真(那时还没有网络和QQ)给我确认,才知道漆就是油,是行业俗称,私下感觉有点丢人了,但还是装模作样的真还确认了一番才罢休。
关于真空灌胶设备,建议小厂可暂不考虑,当这个企业每年的设备投入(不是产值)达到3、5百万时应予考虑。
本帖最后由 nc965 于 2016-4-16 10:12 编辑

rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 18:19:46
 
我一直都不觉得多少亿产值是了不起的事情,你为什么总是耿耿于怀呢?你如果是真的对制程工艺不了解,建议你先百度一下,如果你是故意捣乱,拜托你尊重一下电源网。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-16 01:14:37
 
多少个亿与我何干?我耿耿于怀?你造什么谣,真是主仆两人一样的性格,也印验了人以群分。


贼喊捉贼,主仆两人一样的手段。因为尊重本网站,也因为要维护本网站的声誉,不得不揭露你的谎言。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 07:51:06
 
之前的爆粗口到此为止,我建议大家约定,从此以后在论坛的任何贴,都不要再口出秽言,攻击别人,大家都做文明人,你是否同意?
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-16 08:28:01
 
每次都是你首先爆粗口。先不忙约定什么,这并无约束力,首先说话要着实事求是。在此,先请说说变压器浸油是怎么回事
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 08:35:52
 
请文明跟贴
变压器浸油的意思是:变压器浸漆,行业俗称,虽然不规范,但业内人士都知道,一般无需解释。

本帖最后由 nc965 于 2016-4-16 08:39 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-16 08:55:23
  • 倒数10
 
胡言乱语是最大的不文明。
浸油是浸漆的行业俗称?没文化真可拍,什么都敢乱说,是不是?

nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 09:03:55
  • 倒数9
 
请文明跟贴,说人家“胡言乱语”、“没文化“、”乱说”,都是不文明用词,不尊重别人。
我爸说过,要得到别人的尊重,首先要尊重别人。
建议有不同意见用:“反对”,“质疑”,“不同意”,
再文明一点用“值得商榷",“请问”,
再文明一点用“请教”。
本帖最后由 nc965 于 2016-4-16 10:08 编辑

lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-16 10:58:20
  • 倒数7
 
你怎么证明你爸是你爸不是隔壁老王家的?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 11:11:06
  • 倒数6
 
请文明跟贴,议论别人的老爸老**是不文明行为。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-16 11:14:38
  • 倒数5
 
你没有搞错吧,是你把你老爸抬出来吓人的,你老爸很吓人吗?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 11:17:18
  • 倒数4
 
请文明跟贴,议论别人的老爸老**是很不文明行为。
lahoward
  • 积分:22087
  • |
  • 主题:92
  • |
  • 帖子:5595
积分:22087
LV10
总工程师
  • 2016-4-16 12:10:46
  • 倒数3
 
一个虚构的X总,一个虚构的千万,一个虚构的过亿,还有一个分不清油和漆的人假装默认自己是X总,这是你这个大忽悠师的又一杰作,呵呵。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 12:22:12
  • 倒数2
 
请文明跟贴,怀疑别人的诚意,攻击别人“虚构”、“假装”、“忽悠”,是不文明行为。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-16 09:36:02
  • 倒数8
 
变压器浸油是啥意思,我能听懂,估计在厂子里面呆过的人都能听懂,刚进厂子里的学徒可能不懂,点一下以后就懂了。
jcpower
  • 积分:1575
  • |
  • 主题:7
  • |
  • 帖子:373
积分:1575
LV6
高级工程师
  • 2016-4-14 20:15:36
 
灌胶会加大分布电容
可以利用这个特性来改善EMI ,处理不当也会增加干扰。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 07:49:07
 
那个电流尖峰,我们认为是有害的,一般都会把它抑制在最大电流的2/3以内,在264v或305v输入的时候。一方面,它太大会影响芯片的消隐电路工作从而影响原产反馈电路的电流精度,另一方面,它影响EMI辐射和EMS的浪涌测试,特别是功率管采用COOLMOS的的时候。

xd285070
  • 积分:8122
  • |
  • 主题:18
  • |
  • 帖子:1091
积分:8122
LV8
副总工程师
  • 2016-4-15 16:22:35
 
最大电流指的是斜率上升的最高点,还是说mos的最大电流?
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-15 16:29:16
 
MOS开通瞬间的冲击电流,那其实是个谐振电流。jcpower认为可以加以利用,而rayson认为有害无益,我还在琢磨。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 18:01:36
 
基本可以理解成谐振电流,将波形展开后就体现出了正弦特点了。电流有过0转负的特征,C是百多PF的级别,L是uH还小的级别,开通瞬间,表现出放电尖峰波形,然后很快衰减。C的主体是变压器分布电容,L的主体是CS电阻的分布电感和回路上的分布电感。CDS电容的能量也在掺和,不过它的电流只是在MOS内部完成,没有对外围电路造成大的影响。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-15 18:17:30
 
在你的案例中减缓驱动对削弱这个尖峰的作用不明显,你认为是何机制?
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 19:17:50
 
减缓驱动速度效果是很明显的,减缓开通速度,仅限QR模式效果比较理想,就算上升沿达到微秒级,对效率影响依然有限,因为它是谷底开通的,其它模式下,就需要慎重考虑了。一般来说,我都是以测量Gs驱动波形为依据,而不是以RG大小为依据。
xd285070
  • 积分:8122
  • |
  • 主题:18
  • |
  • 帖子:1091
积分:8122
LV8
副总工程师
  • 2016-4-15 20:32:05
 
所以ccm的拓扑得外串个漏感来限制咯
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 21:27:08
 
其实LLc在启动瞬间也有类似的前沿电流尖峰波形,危害还不小呢。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 17:50:14
 
前者,就是常说的原边的IPK
xd285070
  • 积分:8122
  • |
  • 主题:18
  • |
  • 帖子:1091
积分:8122
LV8
副总工程师
  • 2016-4-15 18:03:40
 
dcm的时候还好,但是ccm的时候,就不好处理那个脉冲吧,加大驱动电阻,牺牲效率太多了
zq_indigo
  • 积分:98
  • |
  • 主题:3
  • |
  • 帖子:20
积分:98
LV1
本网技工
  • 2016-3-23 09:07:28
 
抱歉,我不懂
xueyiranpiao
  • 积分:5679
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1181
积分:5679
LV8
副总工程师
  • 2016-4-14 19:21:42
 
楼主你好,说明你对反激还是没有吃透,首先建立模型,然后分析,就会迎刃而解:
MOS管漏源间电容命名为:Cds,还有变压器杂散电容命名为:Cp
1.CCM模式下,当MOS管为截止的时候,Vcp电压为和MOS管相连的漏极为“正”,另一端为“负”,当MOS打开的时候,这个Vcp就会通过MOS管然后在通过前面的铝电解然后流回Cp“负”端,从而引起电流尖峰,于此同时副边二极管反向恢复区内也会映射到原遍,同样会产生这个电流。于此同时VCds也会产生电流,只不过这个电流只流经MOS管内部,它不会流经前面的铝电解。
2.DCM分析同CCM,只不过把反向恢复时间这段去掉就可以了。
在不明白,论坛上回复你在。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 22:56:28
 
分析得好,只不过应该会得罪某个人了,他的理念是:“敌人支持的,我们都要反对!”
jcpower
  • 积分:1575
  • |
  • 主题:7
  • |
  • 帖子:373
积分:1575
LV6
高级工程师
  • 2016-4-14 23:13:45
 
老李说你都是做过亿的老板了,怎还这点心眼?不应该呀!
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 23:24:58
 
我只是个打工的
jcpower
  • 积分:1575
  • |
  • 主题:7
  • |
  • 帖子:373
积分:1575
LV6
高级工程师
  • 2016-4-15 09:54:53
 
谦虚了!什么说也是高级职员嘛
我又重看了下贴子,两位大师各执观点,互不相让,原因是都有对的地方。
我记得以前看过一个MOS驱动的资料,资料达100多页,显然一个小小的问题水很深。
DSX_QuickPrint13.jpg

这个看起来是一个很简单的图,但包涵的细节不少。
关于RG,楼主早也说了改变电阻可以改变那峰值,我也试过从47R到270R时峰值小了约10倍,你说你试过没有改变,也不能说你是错的,必竟与电路关系很大。
所以说很多事要多分析。

另外我想说两位大师过招真的很不错,这贴里放了非常多有用的资料。
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-15 10:49:17
 
首先感激兄弟你的评论,其实总结一下,此贴焦点在MOS源极电流前沿部分那个尖峰的成因。基本上评论可以分成两种观点,1是支持栅极到源极电流造就那个尖峰,2 是支持漏极到源极的电流通道造就那个尖峰。
支持观点1的证据是:
    A 多种技术文献支持
    B 栅极Ciss在数千pF级别,远比变压器分布电容的百多pF大得多
    C 更改RG电阻,电流尖峰明显改变
支持观点2的证据是:
    A 电流探头套在漏极,依然看到电流尖峰
    B 变压器分布电容虽然容量级不够,但是能量级别更大 ,W=CU^2/2
    C 母线正经变压器分布电容再经MOS到地,回路阻抗更低,更容易产生电流尖峰
    D 母线电压越高,尖峰越高,刚好能证明跟变压器分布电容直接相关,原因一样 W=CU^2/2
    E 更改RG电阻,电流尖峰改变明显(这条在56楼的兄弟阐述得很清晰)


我基本是赞同观点2的。观点2证据E,我让jcpower兄弟误解了,实在对不起。我的案例是比较特殊,虽然用到了很大的栅极电阻,但是开启速度并不慢,而且母线电压高达400V,所以那个电流尖峰很明显。当然,如果把栅极电阻换成47欧姆,那尖峰我就不好说增加了多少倍了,这实例引入的目的,是20V电压经过390欧姆的电阻再通过Ciss向源极放电,尖峰的峰值不可能达到安培级。
nc965
  • 积分:82051
  • |
  • 主题:114
  • |
  • 帖子:24668
积分:82051
版主
  • 2016-4-15 11:06:07
 
兄弟别太较真了,在这里、在个别太细节的问题花太多精力不值。
xueyiranpiao
  • 积分:5679
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1181
积分:5679
LV8
副总工程师
  • 2016-4-15 12:10:48
 
xueyiranpiao
  • 积分:5679
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1181
积分:5679
LV8
副总工程师
  • 2016-4-15 12:11:23
 
jcpower
  • 积分:1575
  • |
  • 主题:7
  • |
  • 帖子:373
积分:1575
LV6
高级工程师
  • 2016-4-14 23:17:05
 
“敌人支持的,我们都要反对!”


你知道这话出自哪里吗?
rayson
  • 积分:93
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:25
积分:93
LV1
本网技工
  • 2016-4-14 23:27:29
 
虽然是伟人出的,但是我不认为它是对的,太过片面和偏激。
xueyiranpiao
  • 积分:5679
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1181
积分:5679
LV8
副总工程师
  • 2016-4-15 08:45:03
 
呵呵,我一般不去看别人的分析,或者只是浏览大概,然后把我自己的分析写给楼主,另外其他人也可以得到提升,这是初衷,技术就是这样,不能碍于面子。
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)28285637 /(13823562357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2022 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号