|
|
| | | | | | | | | 请教个问题,如果接入的是直流电压,那个C1可以去掉吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 此图为示意图,图中Ui为直流电压,后面的C1容量较小,如果输出改交流输入,需要加整流电路+C1,C1的容量较大,一般宽范围输入,按照功率/容量比为:1:3uF,窄范围比为1:1uF。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 宽范围一般是85~264Vac 或者90~264Vac,更有甚100~277Vac等等窄范围一般176~264Vac 187~264Vac以及195~264Vac,或者347 +/-20%等等
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 反激变换器,在轻载时的原边主功率MOS管的应力为啥还比满载时的大 呢?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 你指的应力是电压还是电流,推测你指的电压应力。
你的这个说法不符合理论依据,或者是没有调试好的个例,有图吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 请问C1这样决定的依据是? 新手上路,想从头到尾拜读
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 上面那个是示意图,直流的话容量比较小;交流的话前面加整流电路,容量看具体的拓扑和功率等等
|
|
|
| | | | | | | | | | | C1的作用与交流和直流没关系。 线路上没有电容,电源会有暂降和巨幅波动。效率、EMC 性能指标会较低
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 前级有PFC线路和大电容,C1应该可以去掉。如果输入直接是直流电压,前级没有大电容,次级抽载会导致初级直流电压波动较大
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 那就是个反激示意图而已,大家不要在这方面讨论了,把重点放到其他点上。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 去掉这个滤波电容应该不行,开关管工作的时候,回路必须提供一个交流通路!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 还是留着好,“不让高频跑进电源里” ,
此话,上世纪的书已有这样写着,现在知道,这其实就是 去耦,不过,电解电容的去耦能力太差劲了。
|
|
|
| | | | | | | | | 楼主,你好!请教:反馈电压是如何选取的?和输出电容规格的选取标准?谢谢! |
|
|
| | | | | | | | | | | 自供电电压我一般选取12V,输出电容的规格需要在计算变压器的时候看输出的有效值电流,CLC滤波的话,第一个电容纹波电流满足输出有效值电流,L后的C一般会比前一个电容小一些。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 你好,我想请教下,关于反激变压器同名端的问题;目前发现有两种标注方式,从原理上来说是不是两种都是正确的呢?
|
|
|
|
| | | | | | | | | 请问
反激变压器 绕组电压 不按变比来 主反馈绕组电压是准的 起它绕组比计算的理论值1.5-2倍升高 是什么原因?
谢谢
|
|
|
| | | | | | | | | 我们在实验室做的直流输入的,前面没有滤波电容,直接到变压器,老师你们最后做的是怎么样的?
|
|
|
| | | | | | | 反激式电源,工作在CCM模式,变压器如何计算?能否举个例子说明,比如说,一个反激式的电源,Vin=90~264vac Vo=12V 2A 频率65KHz,磁芯推荐使用PQ2620, 这个变压器的参数,该如何计算,能否详讲一下,谢谢。
|
|
|
| | | | | | | | | 你通读一下整篇关于变压器的设计,就好了,有例子的。
|
|
|
|
|
| | | | | 反激相关技术内容的大家都可以跟帖交流,记得先收藏哈,学习机会,不能错过。
|
|
|
|
| | | | | 老师讲讲现在流行的反击恒流,包括单级PFC恒流,BUKC-PFC恒流,BUCK-BOOST-PFC恒流,无PFC-BUCK恒流,无PFC-PSR恒流等等 ,顺便撸一下L6562D这类的BOOST PFC谢谢啊 |
|
|
| | | | | | | 本帖是专讲反激的,关于反激的恒流有很多,最常规常见的就是后面 检测电阻+运放恒流;其他PFC恒流需要看IC本身是否支持;PSR原边反馈恒流目前做的有两种模式,一种是在MOS管关断漏感引起震荡后面平台的那段电源取点来实现恒流,另一种方式就是在电流斜线上升的过程中取点恒流,无非就这两种,具体的看哪家的IC了。
|
|
|
| | | | | | | | | 那大师能否撸一下单级PFC,小弟一直看不懂,上次电子古董大师也讲了下没讲清楚,楼倒了,谢谢大师 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 老师,有开单激PFC的贴子吗?想学习相关的知识,谢谢!
|
|
|
| | | | | | | | | 非常感谢楼主;这是我第一次进论坛;看完楼主精辟的见解和大家的讨论,有种豁然开朗的感觉!真的很感谢大家!
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 不好意思,今天刚抽出时间来,滞后了,抱歉。
讲反激变压器之前,先说明两个定义:
1.Vor定义为反射电压。
2.Krp定义为电流的波峰比,即峰峰值:峰值。
反激是由Buck-Boost电路演变而来,最苛刻的点为最低输入电压,输出满载时,所以我们要选择这个点来设计。
一、选定反射电压Vor
选反射电压就是确定最大占空比
D=Vor/(Vor+Vs),D为占空比,Vor反射电压,Vs最低输入电压(此电压一般为输入的交流Vac*1.2,因为整流后的电解电容不会无穷大)。
此公式由以下推到可得:
当开关管开通的时候,原边相当于一个电感,电感两端加上电压,其电流值不会突变,线性的上升,有公式上升了的I=Vs*Ton/L,这三项分别是原边输入电压,开关管开通时间,和原边电感量。在开关管关断的时候,原边电感放电,电感电流下降,同样要尊守上面的公式定律,此时有下降了的I=Vor*Toff/L,这三项分别是原边感应电压,即放电电压,开关管关断时间,和电感量.在经过一个周期后,原边电感电流的值会回到和原来一样,不可能会变,所以,有Vs*Ton/L=Vor*Toff/L,,上升了的,等于下降了的,上式中可以用D来代替Ton,用1-D来代替Toff,移项可得,D=Vor/(Vor+Vs),亦是最大占空比。
二、确定原边电流的参数值
无非三个值:平均值、有效值、峰值。
上图为原边电流波形图
前面已经说过,Krp的定义,我们来解方程吧,今天先说到这,方程如下:
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 19:01 编辑
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 没有办法,公式和图片都上传不上来,只能文字继续。
开关频率的选取不用讲了吧。
三、选定变压器磁芯
选磁芯有两种方法,一个是用AP法计算,这个计算繁琐,而且也不是太准确,二是经验法,我一般靠经验。如果没有经验也没有关系,先选一个磁芯如果不行在换大一点的,慢慢经验积累起来以后,就好了。
四、计算变压器原边匝数、线经等
计算匝数、线经首先要选一个B值,这个B值一般选取在0.1-0.25之间,当然了要以最后核算的B值为准,一般情况不要超0.3,特殊情况可以,一般作为锰锌铁氧体,B值也就到4800GS,即0.48T。说到这里有个法拉第电磁感应定律公式,V*T=L*I=N*B*S,各个字母代表意思就不用说了吧。
线经的载流密度一般4-10A/mm2,如果是铝基板的那种或者强冷风散热另当别论,如果多股线的话,最好不要超过0.4mm并饶,趋肤效应。
五、计算变压器次边匝数、线经等
所有的公式和第四步基本一样,载流密度亦同。
六、计算变压器反馈绕组匝数
计算匝数原理同上,线经选取0.2mm的即可,因为IC一般吃电流也就几个mA,线太细了容易断,太粗了成本受不了。
七、计算变压器电感量
公式还是法拉第电磁感应定律公式。
八、核算以上参数
至此变压器设计基本算完毕。
下面把用到的公式看看弄成PDF格式是否可以上传。
图片可以上传了:
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 19:05 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 最后大家自己编一个表格,根据上面我的公式,这样变压器设计基本就完成了。
我只能给出模板,PDF的,大家自己动手做。
图片可以上传了:
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 19:07 编辑
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大体看了下,反射电压的选取和KRP略有差异,不做太多评价,环路那部分的计算取值以及穿越频率和相位裕度,理论值,和实际在板子上测试的有很大出入,所以还是以实际实物作出后,用环路分析仪测试穿越频率和相位裕度较准确一些。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 贴主,我现在就是想问那说的那个反激式开关管的频率是依靠什么来选取的,小白刚学习,望回答一下
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看EMC 要求,或者板子尺寸决定。尺寸小就得频率高点这样变压器小。EMC 要求较高就选40K左右,EMC要求稍微宽松就选65K左右,EMC没要求就可以100K左右
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好像不是你取的这么小的频率哦,,现在的MOS管频率都一般不会太低的,,不过确实,频率高了辐射不好搞定,想想办法,努努力还是可以的嘛
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,想请教一下前辈:您给的表格中 其中那个输出电流有效值, 气息长度,电感系数,都是如何计算出来的啊,怎么算都不对啊
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 6666666666666666666666666666666666666666666
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢楼楼分享,小白一个,可以问下CCM和DCM哪种更通用吗? |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 只能说是看了一遍了,如何计算还是一头雾水,下次继续。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 撸主,辛苦了!
问一下,初级线圈匝数是否可以通过以下公式计算?
Np=Lp*Ippk/(B*Se)
初级线圈电感Lp,可以用下面公式计算吗?
Lp=Uin*Ton/Ippk (我是根据基本的关系L=U*dt/di 来计算的,Uin是 220v*1.414)
不知道Lp这样理解对不对。撸主给的公式,还有krp。为什么要加这个系数,不是很明白。
Np和Lp的计算有差别,请大师指点。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | Krp=1是临界模式,<1是CCM模式,>1是DCM模式。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 断续模式下,电流波形“虚线”在0基线以下,画梯形后,根据Krp定义,习惯上我们认为是>1。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 波形无法上传,等我研究下是什么原因,上传波形后就一目了然了。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 虽然套用的是法拉第电磁感应定律,但是对公式没有理解透,电流是上升的电流,非峰值电流,Np=Vs*Ton/Bset/Se来算,这个时候你还没有到计算电感量的那一步,另外Lp=Vs*Tona(核算后的)/[Ippa(核算后的)*Krp],Ippa*Krp才是上升的电流,我们前面已经定义了,Krp为峰峰值/峰值电流。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 恩恩,学习了。这种设计方法,已经有投入市场的产品了吧?
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | CCM模式,Krp一般在0.6左右设计,不能一概而论的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,我现在用的就是你这种方法,但是我就是不知道怎么取Krp的,我现在所有反激都用0.4。楼主有什么经验吗
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,CCM的Krp一般取0.6,那么DCM的K值一般选多少呢?还有根据那个图K=Ippk/Ipk , DCM模式下K大于1,那么Ippk大于Ipk,是不是可以理解成开关管导通瞬间,电感电流是反向的,然后慢慢变为0再增大到Ipk值???望大师解惑,谢谢! |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我从2009年开始和我老恩师学电源(学了整整一年),就一直用这个设计方法,设计了无数款反激电源了,到现在2016年了,久经沙场了,放心用。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大湿,非常感谢。我也用你的公式,验证了我们公司的一些开关电源部的参数。很接近。
受益匪浅。
还有两个问题,还请分享一下:
1)国内常用的开关电源ic有哪些阿?
非隔离和隔离电源,我常用罗姆和三肯(sanken)的,其他的没有用过,有机会想买来自己做做。
2)不知道大湿在pfc 这块有没有搞过。
我只知道提高功率因数和过高周波实验的时候最好有这回路。但实际参数设计并不了解。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.如果是初学者建议把3842吃透,然后无论哪家的IC原理都差不多,只不过集成了很多其他的功能,如OLP\OTP、软启动等等的。用哪家的IC无所谓,关键IC的datasheet你的吃够,这样就OK了。
2.PFC在2009年学习的时候就玩过了,当时玩的MC33262和NCP1654,前者是CRM模式,后者是CCM模式的,无论哪种,把datasheet看懂,然后自己编写一个表格方便以后用。
本帖是讲单端反激的,如果想听PFC方面的,以后我会在开新贴。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器的设计是反激的核心,不过从回帖来看,貌似大家不敢兴趣,或者没有问题,下周开始讲除变压器外的元器件的设计。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 恩,辛苦楼主分享了。
我比较感兴趣,哈哈~。~
技术这东西,多吸收点肯定是好的,哪怕自己很熟练,看看别人怎么搞,也是一种历练。
支持!
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器设计到此基本就讲完了,没有问题,下周开始讲其他部分了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 终于捉到大虾一只,你是想被红烧还是清蒸.....
楼主,请问反射电压Vor 如何选取,有么有理论依据,
饿是电源小白....
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 生吃是否可以?
选取反射电压的过程也是选取最大占空比的过程,上面已经有说明,在着重说明一下:
反射电压的选取和以下因素有关
最低输入电压,如果你电源是85~264Vac输入,那么85*1.2=102Vdc(一般电解电容由于成本的问题要*1.2,如果电解不惜成本可以*1.414,看情况了,这个电压是整流滤波后的电压,它是有纹波的,按照波谷考虑),我们选取100Vdc,D=Vor/(Vor+Vs),如果你反射电压选取80V,那么占空比D就是80/(80+100)=0.44,一般在最低输入电压的时候最大占空比不要超0.5,超了0.5,会有个右半平面零点,必须加斜坡补偿来抵消,环路不好调试,初学者建议不要尝试,有经验了可以设计最大占空比大于0.5,那么Vor可以选大点,但是选大Vor有一问题,在最高输入电压的时候264Vac,264Vac*1.414=374V,如果你反射选取的大,在MOS管关断的时候可以计算峰值电压为:374V+Vor+漏感和杂散电容谐振引起的尖峰=...,MOS的耐压就要选的高一些,这样成本又上去了,当然你可以选择RCD+TVS的方式做吸收,这个还是折中的问题,性价比最大化是根本。
现在这种反激电源,恨不得能省个贴片电阻,绝不加贴片电阻,成本拼的太厉害了。
综合考虑,如果还有不明白的,我在“被生吃”,哈哈
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢楼主热心回复, 还是Vor取值的问题,按照楼主的说法,我只需要根据给定参数中的最低交流输入电压就可以计算Vor取值,
我不是使坏,只是想把楼主给定的输入电压范围:85Vac~265Vac,修改成138Vac~265Vac,
按照上面的取值方式,Vin_dcmin=138Vac*1.2=165.6V, 我取Vor=160V( 这种取法没问题吧),
Dmax=Vor/(Vor+Vin_dcmin)=0.491,.....
啊, Semiconductor, TI...他们的3845不能用了耶(duty_max<=0.46/0.47),
我好想说错了什么
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电压范围:85Vac~265Vac,修改成138Vac~265Vac,这个不是包括的关系么,直接按85V计算不就好了,干嘛非得按138V来计算
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | NO, No, No...
给定参数里要求最低电压138Vac才能开机,不可以吗
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 138V开机不开机这个是由于IC有输入电压检测吧,IC检测到低于这个电压就不开机,与计算变压器关系不打我觉得,你85V占空比估计0.46那138V的时候占空比小点了啊 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一个是设计变压器的时候,138V输入的时候就在重启,这个点是需要反复设计几次的,以前给青岛某公司设计的一款电源就是这样。
要不就加输入欠压保护电路低于138Vac的时候不启动,只有高于这个值才启动,办法很多。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 按照 你的计算方法 算出来的数据 用saber 2007 仿真 老是出现图片里面的错误 求老师指教
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该是不收敛了,你的把仿真参数设置一下,步长/时间/以及后面很多参数都要设置,瞬态仿真前,先DC方针,无问题在瞬态仿真。
我saber早卸载了,哪天装上我在看看。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢 老师 我先去设置设置参数看看 不懂得 在请教您
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 在吗 您有空能教教我saber2007 仿真时 参数设置吗 自己捣鼓好几天啦 还是出现不收敛错误 谢谢
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我找了saber软件,不再电脑上,等我抽空下载个,装上。
你先别急,最近我太忙,会抽时间教你设置参数。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | saber2012的安装包,我们21电源网就有啊,你搜一下,只不过破解步骤麻烦,你耐心点就可以破解,如果破解有问题,可以找我远程给你破解。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我saber2012已经装上了,也仿真了,给你截图看看。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 你能把你仿真的文件发给我吗?我研究研究 谢谢· |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 我用你给的附件 仿真 得不到 你给的仿真截图的结果 求指导 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该是你参数设置问题,你先找找网上资料,仿真设置那一块多看多揣摩,相信就好了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 你好 你能把你设置的参数截图给我看看吗?解决了好长时间 都没出来结果 跪谢
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师 你给我的文件老是出现图片中的问题 我从网上找啦好多 解决这个问题的方法 还是不行 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 先运行DC分析,然后在运行瞬态分析,主要是设置参数的问题。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师有没有系统讲这类电源的书籍,我想从基础开始看,有些词汇我都不懂,没法继续 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 3845要求占空比不大于0.5,实际使用的时候不能超0.46,这个很多产品都验证过了。
如果经验丰富,MOS管不惜成本,吸收回路不嫌麻烦,效率又不要求很高,反射电压可以取到130-150的,这个没问题。
反射电压,是你自己选的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,已经是热帖了呀
选择反射电压的过程就是选择最大占空比的过程,那么问题来了:
a. 要用3845,使用时最大咱空比一定要<=46%, 取Dmax=0.4,那就可以得到一个Vor值是不啦?
b. 主开关我用650V或者老板任性可以用900V(除了薪水),那么Vds> Vin_dcmax+Vor+Vlk+margin
一般margin取100V, Vlk取0.3Vin_dcmax(实际上非常反感一般,二班的取值,又是经验值 ),
则也可以得到一个Vor值?
难道没有一种理论支持的方式,根据输入电压大小或者是功率大小选择一个很小范围内的Vor吗,
而且Vor=n*(V0+Vd), 就是用来找出原副边匝比的关系(先挖个坑).看似也没什么用...
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我已经说过,选取反射电压以最低输入电压D不超过0.5最好,而且兼顾吸收回路、MOS管耐压值来衡量,如果非的死板硬套这个反射电压给确定的值,肯定给不出来确切的值,80V可以,70V可以,等等(85-264Vac常规输入),这就如同,人吃饭一样,我吃一碗米饭比较好,吃一碗多点也行,多半碗也行,但是你吃3碗肯定不行,把胃撑坏,不知道这个比喻是否合理。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这几天天拧螺丝,手上皮都脱了 ,
谢谢 楼上楼 hotdll先生指点,
那本书中提到的选取Vz/Vor=1.4,为最优比应该以原边能量损耗小给出的(page97),本质上是以MOSFET DS耐压为依据选取的过程,
其中Vz是副边导通期间MOS Vds电压, Vor 反射电压(就这货最坏),
这种情况下,取得Vor值有一个小问题,不明白:
a. DCM或者DCM+CCM模式(轻载)时,当副边整流二极管关断后,mos Vds电压波形会是什么样的呢?
Vor > Vin_dcmin,这时会出现Vds 为负值的情况吗, mos体二极管钳位-0.7V?(这是在猜测)
另外,关于D取小于0.5的占空比,容易实现环路调整(这个坐等楼主好戏) ,
反激可以看作是buck-boost变形对吧,
针对电压增益VO/VS 与原边MOS 导通占空比的关系可以看出大概在D=0.7左右是仍然是线性变化的过程,这个是不是也可以选取ne?
-
Vz
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a.轻载时,副边二极管关断后,D极电压震荡后回到你的输入电压*1.414,回家找个图片给你。
如果出现Vor反射电压大于最低输入电压整流后的,并且漏感和砸散电容谐振后的波谷低于0,这个时候必须加反向二极管,不至于电流反向流;但是常规我们设计的时候不会选择反射电压大于最低输入电压整流后的,偶尔会大于,但是已不能谐振波谷低于0或者接近0为好,不能倒流。
占空比大于0.5,会出现右半平面零点,需要加斜坡补偿的,这个资料网上一搜会很多,所以初学者不建议占空比D大于0.5。
反激是由buck-boost演变来的。
至于反射电压选取多少,我前面已经说过了,至于你的选取方法,我不做评价。每个人都有一套理论。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-4-26 23:33 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢楼主,之前看到很多选择Vor等于80~100V, 输入电压范围标注的是85ac~265ac, 这就很是疑惑,输入变成升高或者降低时Vor是否仍不变,
现在我理解选择Vor时:
a. 尽量控制占空比 D<0.5,此时Vor<Vin_dcmin;
b. 根据所选的控制IC允许的占空比选择一个尽可能大的占空比,此时原边电流Ipk会小一些.
另外,楼主能否在详细讲解下B的取值问题?
B值得选取在0.3以下,以铁氧体来说,与磁芯形状,功率大小关系如何呢?
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前辈 DCM MOS关断的时候 为什么Vds会出现台阶了 就是红圈里面的 台阶
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刚下课,所以来简单的回复一下,如果最低输入电压是85Vac,那么直流电压我们一般是85*1.2,因为后面的电解因成本问题不会太大,一般*1.2,反射电压的取舍,一般以最大占空比和MOS管耐压兼顾选取,如果Vor>85*1.2了,并不一定会出现反向流,的看具体的情况主要还是漏感和砸散电容谐振的波谷会不会振到0以下,具体看实际情况。
B值的选取,已不大于0.3为宜,但是有的可以到0.4,也不能一概而论。 反正铁氧体一般到0.48就饱和了,而且在60度左右是个最低点,高于60度,会越来越严酷,一般夏天很热,而且加上本身的磁损热,可能铁氧体到了100或100多度,这个时候就危险了,所以我们一般选取别高于0.3,当然你的看我那个表格,最后面核算后的B值,不大于0.3.
B值和磁芯的形状以及功率基本无关系,这个B值先选取一个,到最后有一个核算,以核算后的B值为准,具体见我上几楼的附件。
对了Vor反射电压,一旦砸比确定了,Vor=Vout*n,是个定值,不会随你输入电压的高低而变化的。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-4-26 23:42 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 别的先不说,楼主,大半夜去上课,应该是学习吧 ,
身边总有一些,工作方面很优秀还很努力的人,这日子没法过了, ,我摔,
如果楼主还比我们帅,只能排队去天台了.....
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前辈 85*1.2 那个1.2和后面的电解 有什么关系啊 为啥要*1.2了 是和后面的哪个电解有关系啊
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主建设社会主义现代化去了,
那个85*1.2是交流输入经过全波整流后滤波电容两端带载的电压结果,若空载就是1.414倍关系,因为滤波电容不是非常大,所以一般是在1.2~1.4倍关系
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 事实上,可以得到精确的整流后电压波形的最大及最小值
已知参数是输入交流电压,滤波电容容值,输入功率
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问这个有计算方式吗?输入滤波电容两端有时候会并联大电阻和小的陶瓷电容,这个有选者的依据吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有计算公式的,贴子里有专门的计算方法
并电容是减除高频纹波,一般是EMI的对策之一
加电阻是为了关机放电,现在一般是不加的
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对了Vor反射电压,一旦砸比确定了,Vor=Vout*n,是个定值,不会随你输入电压的高低而变化的。 这一句是点睛之笔,解决了我的疑惑。Vout包含次级整流管压降吗?
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 今天在从头到尾看有漏网未读信息,看到这个,版主,这个Vor是个定值,输出电压是你设置好的,输出电压怎么会变呢?在乘以咋比,就是Vor了。输出电压为定值,砸比是定值,所以Vor是定值。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你使出蛮荒之力设置好了它也会变,比如恒流、比如空载、比如短路、比如开机、比如温度、比如雷击。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我只能呵呵了,恒流/空载下反射电压是定值,短路 开机瞬态 雷击这些异常状态如果也纳入的话,那反激还咋玩啊? 版主,关于反射电压的问题,就到此吧。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 他这个是静态分析,兄弟不要纠结,动态分析要牵出高等数学, |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 貌似不能把反激变压器看成一般的变压器,mos开通的时候,次级是不会输出能量的,只有在mos关断时次级才有电流.
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那是二般?呵呵。先把反激基本原理去理解透,理论搞懂了,设计反激才会知所以然。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Vor=N*(Vo+Vfo),确切的加二极管的压降,定性分析的话,就是输出电压*砸比。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Vor 从计算公式来看 不就是只与初次级匝比 以及输出电压有关系么???
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 弱弱的问问,你这个图片咋贴出来的,我怎么贴不出来?
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我也是这个步骤,但是其他格式的只能以附件的形式附上,不能直观的看出来,我在学习英语。
不要想歪了。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在变压器设计完成的情况下,反射电压是不是指反馈回路电压VF*匝比呢?
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器定了,反射电压就定了,Vor=n*(Vo+Vd),Vo是输出电压,Vd是整流二极管正向压降;电源的最低输入电压决定了最大占空比,Dmax=Vor/(Vor+Vdcmin);电源的最大输入电压是为了选MOS的耐压,即最大输入电压下,MOS不能击穿。比如700V的MOS,留100V的余量,也就是Vdcmax+Vor+Vis<=600V,Vis是漏感尖峰电压。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,CCM模式下duty大于0.5会有次谐波震荡问题,现在一般的IC都会带有谐波补偿来消除次谐波震荡的问题,而右半平面零点在CCM模式下都会存在,和duty大小无关,而DCM模式又不会有这个现象了 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,我先假设Dmax=0.45,等算出Np,Ns,n,和辅助绕组后再去重新计算Vor和Dmax。再利用新生成的Dmax算线径啊!这种方法可不合理。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还不是很明白Vor的来源根据,好像大家都有自己的取值方式! 本帖最后由 jaxon 于 2016-5-25 11:45 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实大多是根据实战得出的结论或是经验值
有的人是先假设Vor,有的人是先假设Dmax
其实都一样
当明白为何很多资料会建议Dmax=0.4-0.5,也就明白为何Vor要在80-120V之间
本质就是为了平衡初级MOS和次级DIODE的电压应力
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个公式是基于宽电网2-3uF/W 和窄电网1uF/W of PIN 的算法,你的电容取小了,按照飞兆的说法,你的是宽电网输入,电容应该取2-3UF/W,你的电容应该是32-48UF,按照这个来算,你的 VDCmin=90-104V。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大湿,在反激式多路输出的变换器方面有没有这方面的书本提供参考??求推荐。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的, 。
有问题直接联系我即可,不用客气,我会抽时间解答。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主 你好,有个疑问,在你上面的表格里 d是小于0.5的krp取0.7 这个krp的取值该怎么确定呢?一直觉得d小于0.5 dcm模式下,krp=1
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高PF和低PF的计算一样还是有区别?有区别又该怎么计算?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 低PF值,一般是没有加PFC矫正电路的,波形见相关图片,所以只有0.5-0.6,如果加PFC矫正电路,一般PF值达到0.92以上很轻松。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感觉Krp的选值对输入电流有效值影响不大,看我发的mathcad画的图
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 微积分推导出来的公式中含有Krp,但是这个值的选取,对最终的有效值的数值,影响小而已,看公式就能知道,开篇有计算有效值的公式。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我想问一下大师,为什么在CCM模式下设计反激变换器时,要用最低输入电压,满载的情况下来设计电感。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个问题在开始有很多人问,其实已经回答过。 反激是由buck-boost演变而来,在最低输入电压,输出满载,是最苛刻的点,主要是考核变压器的ΔB,变压器不能饱和。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 是否是这样?CCM模式Lp=Uin*Ton/△I
DCM模式为Lp=Uin*Ton/Ippk
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 你好,这个公式里Bmax验证这一步按照你上面的计算,能确定是你原来的值?依CCM模式来计算。若不加Krp的话,验证值不对吧?请指教。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 您好,对于一个变压器来讲,磁通密度B以及面积S分别应该是指什么呢,还有气隙应该是怎样设计呢?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 您好老师
请问老师,公式(6)中的Vfo不是很懂是什么量,是整流二极管压降吗?还有公式(7)中出现的Ippa与之前的Ipp是一个量吗?学生党一枚,刚接触电源不久,请老师不吝赐教。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 你好,我想请教一下,这里第一步求最大占空比,那个反压是Vor=Vin+(Vo+Vf)*N 那么匝比N 是怎么来得啊
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 选最大占空比,就是选取反射电压,这个反射电压是你自己选的,以最大占空比不超0.5为宜,当然有的为了获取大的占空比,要到0.6几,这个时候我们需要加斜坡补偿。
Vor=(Vout+Vf)*N
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 有个问题。你上面说的那个B,是△B还是峰值B?看你的公式应该是变化量吧?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 66666666666666666666666666666666666666666666666
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 总共,您好,这个是反激式变压器CCM状态的计算公式吗?那初级线径,次级线径怎么计算?我看里面有个参数Ipp,还有个Ippa,这两个是同一个参数吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 从式子(2)开始,能把推导过程展示出来吗?想推导最大占空比一样。菜鸟一枚,要一步一步看才懂。谢谢哈
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 后面的式子就是梯形基本公式推到,以及法拉第电磁感应定律推导过来的式子。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 图片能看到了,楼主你来了,我兴奋呀
但是图片上标注看不到
本帖最后由 小白he小黑 于 2016-5-4 18:57 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 真不好意思,过了个五一假期,滞后回复大家了。
刚吃饱饭,一一回复。
|
|
|
| | | | | | | | | 老师请教您一个问题
就是大家都说输入电压最低时,应力最大
为什么呢?
非常感谢哈
|
|
|
| | | | | | | | | | | 输出功率一定的时候,输入电压最低的时候,输入电流最大,无论是平均值,有效值,还是峰值,当然了和你取的Krp等参数有很大关系,总体趋势是这样,然后这个时候变压器磁芯最容易饱和,所以反激需要取最低输入电压,简单来说是这样,这是定性分析。 也可以这样理解,反激是有Buck-Boost演变来的,是个升压电路,既然是升压,当然是在最低输入电压的时候应力最大了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 另外,大家都不用这么客气,什么大师之类的称呼,不敢当,我只是近我微薄之力来帮助大家。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 单级PFC兼顾一部分PFC理论,所以这个我会在另开新帖在后面PFC精讲里面讲解,包括CRM CCM等,耐心等待。
|
|
|
|
| | | | | | | | | 老师你好,
请教您一个问题
如果先设置好了反射电压
那么最大占空比就已经定死了
那为何按《开关电源设计第三版》的设计方法,要先假设45%的最大占空比呢?
非常感谢哈
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我没读过这本书,我只能推测,占空比先假设45%,应该是这个占空比大部分选取反射电压后,都在这个值附近(宽输入电压范围例如85-264Vac)先假设也未尝不可,只是思维逆向,只要不影响计算,而且后面的计算是正确的,也是可以的。
|
|
|
| | | | | | | | | 楼主,你126楼回复的问题,我拿到上面来请教了 ,
既然反激变压器最恶劣的条件是在最低输入电压,最大负载时,那么:
a. Kr取值的前提就该是最低输入电压条件对应的是吧?
b. 若非要任性使变换器轻载工作在DCM,重载工作在CCM,分界条件是不是选取Kr对应临界模式呢?
c. 若是变换器CCM+DCM工作,此时选取Kr值需要考虑哪些因数呢,换句话说,区分重载与轻载在变换器中需要考虑哪些因素呢?
d. Kr如下图描述,应该与楼主说的是一个参数吧 :
Kr
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我们设计反激变压器的点是:最低输入电压,输出满载,所以这个时候选取Krp<1,就是工作在CCM模式下,随着负载慢慢减小,肯定会有一个点为Krp=1,这个点就是CRM模式了,即临界模式,负载在减小,就是DCM模式。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 谢谢楼主,一般最大150W输出功率的反激变换器大概在多少时定义为重载与轻载的区分点呢?有没有特别的要求或者是需要考虑的因数,尤其是负载中有非线性负载存在时.这样我可以选取这个点为临界模式.
还有一个问题,因为是在最低输入电压条件下确定的临界模式,例如设备正常工作时,输入电压是Vin_dcmax,不会工作在低压范围或者仅在启动时,输入为低电压,这样变换器可能就会完全工作在DCM 模式,这种情况下,如何设定Kr呢?另外楼主你提到的一般CCM时Kr取0.6,这样对应的梯形波Ia_avg=0.43*Io, 而delta I / Ia_avg=0.86?(是不是我算错了 )
本帖最后由 小白he小黑 于 2016-5-4 22:31 编辑
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 亲,请解释一下为什么最苛刻的点时输入电压最低的时候?为什么苛刻呢?会影响什么?小白刚接触反激,望大师耐心讲解
|
|
|
| | | | | | | | | | | 反激是从Boost演变而来,是升压,压差最大的时候是输入最低的时候,简单理解是这样。
举个例子,个子矮的打篮球,投篮肯定不如个子高的,道理类似。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 反激明明是从buck-boost演变来的。。。另外,为什么压差最大就苛刻,感觉没说到点上呀。苛刻在哪里?还有,输入最小的时候谁说压差大了,很多时候明明是输入小的时候压差小。求大师不忽悠。 本帖最后由 gy200812 于 2016-9-1 14:39 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 我们说Boost,Buck-boost也好,原理是一个意思。
建议你翻看张占松的开关电源书籍,看看基础知识吧,论坛上我们是兼顾有一定基础的,希望理解。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 这样吧,比如输出是5V 2A的电源,输出功率Po为5*2=10W,假设效率为0.8,那么输入功率Pi=10/0.8=12.5W,假设PF值为0.6,那么输入电流为12.5/0.6/输入电压,所以输入电压越低,输入电流越大,相应的MOS管开关的峰值电流会越高,当然和你的Krp等等参数的选取有关,我只是定性分析,峰值电流越大,变压器就越容易饱和,一旦变压器饱和就成了空心电感,是要“炸鸡”的,不知道这么讲你是否明白,在最低输入电压下最苛刻了。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “这样吧,比如输出是5V 2A的电源,输出功率Po为5*2=10W,假设效率为0.8,那么输入功率Pi=10/0.8=12.5W,假设PF值为0.6,那么输入电流为12.5/0.6/输入电压,所以输入电压越低,输入电流越大,相应的MOS管开关的峰值电流会越高,当然和你的Krp等等参数的选取有关,我只是定性分析,峰值电流越大,变压器就越容易饱和,一旦变压器饱和就成了空心电感,是要“炸鸡”的,不知道这么讲你是否明白,在最低输入电压下最苛刻了。”
一口气读完以为你要表达这个意思。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | PF值低,是由于大约在90度角左右的时候,二极管才导通,电流波形严重畸变,和电压不同步,造成的PF值低,波形示意图如下。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-9-2 14:32 编辑
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 输入电压越低,峰值电流就越大吗?我本着就事论事的态度,呵呵,没有恶意。
我以为讨论反激的设计之前应该明确是准备工作在哪种模式,如果以定频DCM为例的话。只要输入功率确定,不管输入电压大小,那么原边电流Ipeak应该是定的,因为P=0.5*L*Ipeak2*fs. 可见,这种模式下Ipeak根本和输入电压没关系。所以不能用“输入电压越小,输入电流峰值越大”来解释吧。
本帖最后由 gy200812 于 2016-9-2 17:03 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 输入电压越低,峰值电流越大是没错的。Ipk=Pin/(Vdcmin*D)+ΔI/2
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | hwx哥,我说的是定频DCM模式下,这个模式下Ipeak不随Vin变化。你说的这个公式是定频CCM模式的,并且不是反激的,我推了一下,应该是buck在CCM模式下计算Ipeak的公式。
本帖最后由 gy200812 于 2016-9-5 09:48 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 建议你先看看我的那个word文档,以及里面的公式,如果你理解这些,基本就会明白反激的设计了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 说实话,我一直是做光伏逆变器的,呵呵, 。小的开关电源我一个都没有动手做过, 。但是所有的公式我几乎都推过,也都用仿真软件仿过。所以就是实干的经验几乎没有。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 反激电源公式适用于DCM和CCM的Ipk=Pin/(Vdcmin*D)+ΔI/2
ΔI=K*(2*Pin)/(Vdcmin*D)
K=1时为DCM
K>1时为CCM
了解下其原理,再推导下你会明白的
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ipp=Iavp/[D*(1-0.5*Krp)],Ipp为输入电流峰值,Iavp为输入电流平均值,D为最大占空比,Krp为峰峰值比峰值电流,即电流波峰比。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 分解下公式。Pin/(Vdcmin)=Iin 输入平均电流 Iin/D=IL 斜波中心值
IL+ΔI/2=ipek
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这一部分的计算公式可以看我的那个图片计算平均值 有效值 峰值那部分文档, 。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哥们,你这是峰值功率,你没有搞清楚平均功率和峰值功率。
|
|
|
| | | | | | | | | 大师您好!能说说后面两个公式怎么推出来的,或者那本书上有详细的推导过程,谢谢!
|
|
|
| | | | | | | | | 高手你好!看了您发的帖子很受用。我现在在做一个5V2A、PSR、ACDC,有一些问题想请教一下,望不吝赐教。1.开关电源系统的工作频率选多大合适呢,因为计算变压器的时候会用到。网上有的说65KHz比较合适,单芯片规格书上最大支持100KHz,有什么限制因素吗?
2.变压器计算的时候初级匝数有个公式Np=Vinmin*Tonmax/(Ae*deltaB),
这个公式中Ae指的是哪个值呢?deltaB我看网上有的说0.2~0.3T,有的说0.1~0.25T该如何取值呢?
在Lp=(Vinmin*Tonmax)^2*【效率】/(2*T*Pomax)定的情况下,初级匝数Np会影响到变压器或电源系统的什么性能呢?3.变压器计算的时候初级匝数有个公式Np=Vinmin*Tonmax/(Ae*deltaB),
这个公式中Ae指的是哪个值呢?deltaB我看网上有的说0.2~0.3T,有的说0.1~0.25T该如何取值呢?
在Lp=(Vinmin*Tonmax)^2*【效率】/(2*T*Pomax)定的情况下,初级匝数Np会影响到变压器或电源系统的什么性能呢? |
|
|
| | | | | | | | | | | 年会刚回来,明天回家,提前祝大家春节快乐!
1.关于B值得问题,以严格状态下,不超0.3为宜,当然也不能一概而论,还是具体问题具体分析,比如你的环境条件等等。
2.65K的频率开关损耗会小很多,但变压器的体积会大一些,频率高了开关损耗会大,但变压器的体积会小,这个还是折中的问题,以及一些其他的差别。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 在Lp=(Vinmin*Tonmax)^2*【效率】/(2*T*Pomax)定的情况下,初级匝数Np会影响到变压器或电源系统的什么性能呢?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 你这个式子,不清楚是怎么来的。
如果是变压器磁芯选定了(Ae定值),初级匝数的多少直接反映你所选deltaB的大小,是个反比关系,匝数越少,B值所选越大,磁损会增加,铜损减小,磁芯会在短路时容易出现饱和情况,常规我们一般核算后不要超过0.3,如果匝数越多,B值所选越小,磁损减小,铜损增加,磁芯不容易饱和,但是有的时候变压器会绕的很慢,而不得已“压件”。这两个有个交叉点,为最低损耗……
单独讨论Np影响变压器或电源系统啥特性,感觉这个问题很模糊……
|
|
|
| | | | | | | | | 菜鸟问下,你这里最大占空比Dmax=VOR/(VS+VOR)=TON/(TON+TOFF) 这里的TON+TOFF不一定等于T啊,在断续模式这个小于T吧。 |
|
|
| | | | | | | | | 想问一下这个原边感应电压是不是就是反射电压?如果是为什么你在这里称呼它为原边感应电压??
|
|
|
| | | | | | | | | | | 对于初级电感单独作为研究来说,我们就说是原边感应电压,对于整个变压器来说,这个原边感应电压就是副边的反射电压,即Vor=N*(V0+Vf),分别为反射电压,匝比,输出电压,输出二极管压降。
|
|
|
| | | | | | | | | 楼主Krp 和 峰峰值,峰值不是一个概念。Krp=△I/IL,也叫纹波系数,三哥认为对于CCM模式,取0.4最佳,但是在飞兆的设计里认为0.2最佳。Krp=1,(for DCM);Krp=2,(for BCM);Krp<1,(for CCM);Krp>2,(for FCCM)
|
|
|
|
| | | | | | | | | 老师,你好,请教一下这里的Ton为什么能用D来代替,Toff为什么能用1-D来代替,还请不吝赐教。谢谢 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | 大师 请问 反射电压怎么选?是经验还是百分比? 谢谢!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 反射电压我楼上有讲到,可以参考。
初学者,对于输入宽范围85~264Vac的电源,选取反射电压就是选取最大占空比,以选取的反射电压占空比不大于0.5为宜,如果是有经验的可以设置到0.6几都可以,兼顾MOS管的耐压等等因素。
|
|
|
| | | | | | | | | 老师你好
刚接触反激电源这一块,有些基础的东西不是太理解,跟你请教一下。
看你这边的讲解和其他资料上的原边电流波形都会看到:在开关管开通的时刻,MOS或者变压器原边有一个初始电流,MOS关断时电流为0。
我理解的是,在MOS开通时,因为原边作为一个电感,此时的电流不能突变,电流会是从0线性上升,而不是有一个初始电流。
以上疑惑,希望能帮我解答,谢谢!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 这个要看你是工作在CCM模式还是DCM模式。
拿CCM模式为例:当MOS管开通瞬间,其实是副边的二极管关断瞬间,副边的电流是从“某个值直线下降到0”,所以倒影到原边的时候,电流是“从0直线越到某个初始值的”,这样不知道你是不是理解。(你可能存在某些疑问,需要理解对于单个电感磁通不能突变进而电流是不能突变,而对于变压器你理解为互感或者多个电感来说其实它是满足安匝不能突变)
DCM就好说了,原边电流都是从0开始以一定的斜率上升到某个值。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 非常感谢,是我的想法先入为主了。从磁通不能突变去理解就很容易想通了
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 你举的例子应该是临界模式的情况,实际上在CCM模式下面,不管是原边还是副边,电流都不是从0开始的。在MOS动作瞬间,两侧的电流应该满足N1*i1=N2*i2的关系(忽略漏感)。我这样理解对吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 建议你先买本电源书,然后先从基础学起,慢慢的去理解会好一些。
如果一股脑的去给你灌输,你最终还是不理解,每个人都有这个阶段。
|
|
|
|
| | | | | | | | | Vor的能量是由谁产生的,是因为MOS管开通时初级传递给次级的能量,关断时,次级的漏感感应过来的电压吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | Vor为反射电压,等于(输出电压+输出二极管压降)*匝比
|
|
|
| | | | | | | | | @ xueyiranpiao, krp 是峰峰值还是?是定义为Vpk 与平均值的比值呢?方程没有看到。
|
|
|
| | | | | | | | | 大师您好!小弟想请教您几个问题,希望您能解惑一下。谢谢!
1.计算交流转换成直流输入电压的时候为什么我看见有很多人都用Vac*1.414的,而也有的人像您这样是Vac*1.2倍的计算来的。这个到底是用1.414倍精确点还是用1.2倍来计算精确点呢?
2.原边电流下降公式I=Vor*Toff/L,公式中的L指的是原边的电感量还是副边的电感量呢?
3.计算原边的平均电流、峰值电流、有效值电流的这几条公式都适用于DCM、CCM和BCM工作模式的电路吗??
|
|
|
|
| | | | | 第一次登陆,怎么看这个精讲反激电源,在哪呢,是下面的评论里…… |
|
|
| | | | | | | 请教老师:在第一的那个反射电压中讲的,最大占空比是临界状态时的占空比么。那断续和连续时的该如何计算呢?
|
|
|
| | | | | | | | | 我这方面确实是小白,可能问的问题相对各位有点简单。开关管关断时,此时原边电感电流最大时,那后面的电流的流向哪了?是钳位电路么?还是通过变压器传递到了副边。如果是传递到了副边那这个公式I=Vor*Toff/L又是怎么回事呢?
本帖最后由 fhpdxgd 于 2016-4-23 16:12 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | 这是两个问题点:
先简单说一下,反激就如同一个水缸,先把水缸注满水,然后把水缸的水倒出;即MOS管开通的能量储存在,分两派,一派是储存在变压器气隙里面,很多资料讲过论证过程,貌似有道理,另一派是针对能量储存在气隙里面的反对派,说能量还是储存在电感里面,我们无需纠结到底存在哪里,不过我们从初中学习电感储存能,我们先认为MOS管开通时储存在电感里面,MOS管一管断,这部分能量会绝大部分耦合到次级,极少部分漏感能量丢失,所以反激要控制漏感,并且,在MOS管管断时,在MOS管D极,漏感和砸散电容谐振,引起的尖峰很高,如果没有吸收电路或者MOS管耐压低,极有可能会击穿MOS管,回归正传,MOS管管断后,能量耦合到次级,次级释能。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 反激,能量的呑吐是交替的,负载吃的,是电感吐的,电感吃得少,负载得到的也少,这很合理,但是,电感吃得愈久,吐的时间就愈少,负载得到的也多不到哪儿去,这就是『右半平面零点』现像的缘由,大概是这样吧?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 我们可以用伏秒积的模式来理解,就是MOS管开通的那段时间*V=MOS管关断那段时间*V,当然两个V是不同的,看面积,这两个参数的乘积面积始终想等。
反激在MOS管开通这段时间内,完全靠次级储能电容来提供负载能量,至于右半平面零点的出现,传递函数中分子的一个部分,零点为正,所以叫右半平面零点,(如果在左边的话为负),我高数以及数字信号处理学的不怎么好,所以在建模以及传递函数方面爱莫能助。
环路这部分,我都是实际测试,不是理论计算,就算是理论计算完毕,最终得到的补偿参数和实际值大相径庭,我是实干家,不是理论家, 。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 向实干家致敬。
能否介绍下反激电源是怎样实战来确定环路稳定的,从示波器波形 负载动态,还是其他的什么办法呢???谢谢!!
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在不同的输入电压不同负载下,如果听到很尖的叫声(变压器叫),一般会是环路不稳造成,可以示波器交流档,测试输出看是否有次谐波,然后测试频率是多少,一般是环路太快导致。
解决办法:如果是修改431补偿的话,一般把电阻减小,或者电容增大都能很好的改善,光耦4脚对地电容加大也可以改善。
一般取值:431补偿,电阻串联电容型,电阻在1K-几十K取值,电容一般473-225取值,光耦4脚对地电容152-104取值。根据不同的情况调试最佳状态。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢你的回复,现在刚好遇到另外一个问题,是一个充电器,输出5V 5.4A,在空载或者轻载时有较大音频噪音,带负载0.05A就没有的,在整个输入电压段,和大于0.05A的电流段,都不在有声音。怀疑是IC的绿色模式跳频引起。对于这样的空载(轻载)声音,应该通过修改哪些地方减小噪音。再次表示感谢。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果是进入BURST模式的这种芯片,频率已经进入到人耳能听到了,发声一般是变压器发声,中柱点软胶,然后浸漆多浸一些,一般可以解决。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高工,您好,看到补偿这块有个问题向您请教一下,TL431那的PI补偿那个电容(即环路补偿那的电容)加大,往往更容易稳定,小弟的觉得是不是这个电容会增加稳定余量,降低动态性能呢?从您回复中,将与电容串联的那个电阻减小也能改善,降低电阻也会增加余量吗?问题比较基础,您给回复一下,谢谢
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | TL431的补偿有I II III种类型,常见的是II型补偿,即一个电容//电阻串联电容,去看II型补偿的传函,我里面有讲到,如果看式子分析不好分析,可以实际自己动手试试,电阻加大或者电容减小,环路会变快,电阻减小或者电容增大,环路变慢,单独并联的电容,修改数值不太明显。
网上II型补偿,很多资料,最好是看一些国外的资料,很多资料翻译成中文,会引起人的误导,英文不行就google翻译。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果把光耦第四脚对地的电容加大,那响应速度变慢后对各种短路过流保护机制是不是有影响。此电容一般取多少范围合适。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 楼上说的另一派,是觉得漏感值很小,电感值相比很大,才是储能的主力军吧。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 关于派系就不纠结了吧,哈哈,因为这些都是人眼看不见,也是摸不着的。 就像电流是从正流向负,只是人为规定。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 反激的伏秒积平衡,V*T=L*I,即Vs*Ton=L*I(上升),Vor*Toff=L*I(下降),在一个周期里面,I(上升)=I(下降)。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 那个这Vor就应该不只是有反射电压了吧,应该是反射电压再再上Vs之和吧?我是这么觉得的,不知道对不对。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 不对,我想明白了,应该就是Vor。谢谢前辈啦,我差不多明白这点了。但是如果有原边电感的电流的周期内变化状态图和副边电流变化状态图对比就更清晰些了。因为关断时钳位电路也会导通,这时也会有电流,我开始有点弄混淆了。呵呵,谢谢啦 |
|
|
| | | | | | | | | 那个是CCM模式下的,宽范围输入电压的一般都是CCM模式,窄范围的,有极少设计者选择DCM,即Krp>1,查看Krp的定义,上面有讲解,不明白的话我在具体回答。
|
|
|
| | | | | | | | | CCM CRM DCM定义是:
Krp<1,CCM模式,Krp=1,CRM模式,Krp>1,DCM模式。
计算按照我的那个表格计算就好了,如果想叫电源工作在CCM模式下,Krp<1即可,即我们定义是这样定义的;如果不想叫它工作在CCM可以选取Krp>1,工作在DCM模式下。
关于什么时候设计Krp<1什么时候>1,一般情况下宽范围输入的时候Krp<1,如85-264Vac,窄范围Krp可以设计在Krp>1,如176-264Vac。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 您好,请问一下,我是要设计一款15V转150V(就是直流转直流)的反激电源,那么其中所用到的反激变压器也可以按照你所说的设计方法进行设计吗?
期待您的回复,谢谢。。。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 是滴,可以,不好意思,帖子太长了,有时会遗漏,已经站内回复你了。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 大师您好!为什么你说的跟我看到的这份资料的有点不一样呢?
|
|
|
| | | | | | | 这个反激电源的讲解,是分块讲解的,先讲变压器的设计,后面会讲解,防雷、EMI滤波、吸收电路、整流滤波、控制IC、反馈环路以及保护电路等等等等。
|
|
|
| | | | | | | | | 从明天开始会陆续增加其他部分,先讲防雷和浪涌部分。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 本人觉得楼主有关:1 :变压器的存储能量及释放过程。圈数很少初级线圈相当是电感,电流不能突变。。。。等等有关开关管动作形成的电流变化过程的观点是根本站不住脚的,无法用实验证实的。并且原边电流波形图也看不见!电工学原理:一个变压器存储的无功电能只能向上级变压器线圈释放。
本帖最后由 shiyunping 于 2016-4-25 17:30 编辑
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个图不对,整流后没有滤波电解电容,所以那个波形是“馒头”,正常加滤波电解电容,是个有纹波的直流电压(或者你从saber软件里面直接放直流电压源),后面仿真的波形就都不对了。
回家给你个saber的3842的反激图,你仿真下吧。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个图应该是我2011年玩saber的时候画的,仿真的是整个反激电源的,如果电脑速度够快,可以把穿越频率 相位裕度都仿真出来。
有什么问题随时沟通。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 我画了图,打印成了PDF格式了,手工画的,不是很工整,可以下载看看具体的波形,这个波形是理想的波形,如果画实际的,太费时间了。
贴出波形来了
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 20:55 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 画出电源工作的输入波形图没有什么必要,因为电路元器件参数设计和输出负载不同,电源可能工作在开路、轻载、重载、过载保护等等不同状态下。不存在什么理想波形。一种电源的输入、输出特性都是个体化的。所以实际测试电源的电流特性用来了解电源的工作过程的可信度才高。比如用示波器用最小的负载效应介入电源回路获取电压电流坐标来解释电源工作原理,
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 想要实际波形,我回去给你整套的白盒测试波形,你说的这些只是冰山一角。
我上面的理想的波形,是个示意图,只是用来说明问题的,并不是其他用途。
如果讨论技术,我双手欢迎,但是我现在不是很明白你的具体目的,你具体想学习反激的设计,或者来讨论技术,还是其他目的?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 当然是讨论技术。我的问题是AC-DC电源。AC-DC普遍性的情况输入电流的脉宽是多少ms。输出电阻在什么范围下电源进入保护状态。什么电阻范围处于截止状态?这几个基本问题弄清楚再讨论问题就不会错。
本帖最后由 shiyunping 于 2016-4-27 10:09 编辑
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有为什么AC85V, 开关电源开始启动。电源在供电85V--260V范围内。输出为什么是一样的。工作原理是什么?波形如何?这是讨论技术问题的关键点。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 史厂长?
现在不都叫CEO或者CTO吗, 公司公司老板也有时间关注论坛,
中午休息聊一句,
还是好好开整吧。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 回复在下面,我开贴是为真正想设计开关电源的人而开贴,其他人员请绕行,谢谢。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 日本电压是110Vac 美国是120Vac民用 工业是277Vac 欧洲是230Vac,如果不考虑美工工业电,那么85-264Vac是宽范围电压的通用范围,输出为什么一样,工作原理,我楼上已经讲了,去看变压器的设计,以及我发的附件公式,和遍的表格,波形链接也给了你,你不看我没有办法。
建议你先看看开关电源的设计以及工作原理,推荐书籍 张占松的书。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 通用没错,50HZ或60HZ也可以乎略。我意思你把70V开始的输入波形讲清楚。260V的波形也讲清楚一点。最好是自己的经验,不是书本上直接来的。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 去看我105楼的附件,是个单级PFC LED电源的白盒测试报告,写的很详细,2011年设计的无电解LED电源,你先看测试报告,有个了解,然后我在讲单级PFC的设计原理, 。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我一般白天比较忙,偶尔空里登上回复一下,我一般下了班回复。
好滴,我近几天找个输入的点,配合波形讲一下。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我喜欢这样理论联系实际。如此才能真正帮助人理解电源工作过程。
本帖最后由 shiyunping 于 2016-4-27 14:42 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 兼顾赵日天网友想着要个单级PFC的,所以放这个白盒测试报告,保证数据的真实性,有效性,这是我2011年做单级PFC无电解电容LED电源的测试报告,每一步骤都写的很详细,如果有不明白的我们在具体讲哪一块。
关于单级PFC电源的设计我会开新帖,赵日天网友不要着急,后面慢慢讲。(本来是按照自己的计划慢慢讲反激电源,看来这个计划泡汤了,只能以网友的问题为重,哪里不会讲哪里,****再也不用担心我的学习了,so easy!和大家开个玩笑。 )
五一将来了,所以工作比较忙,节后我会细讲,提前祝大家五一快乐。
我这人性子很值,貌似搞研发的都这样,说话不委婉也。
详见附件,不明白的,我会一一回复大家的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 下载了楼主产品测试报告,包括电参数、对应波形图等非常详尽。很佩服!但是本人觉得你所做的一切努力考虑不周,特别是波形测试完全没有掌握示波器测试开关电源的要点。请你仔细想一想你做实验时的电路结构吧。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问大师,你的测试报告里的 输出电解电容的电流波形,怎么测的呢?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电流钳都很大,只能划断,用粗线连接,串入电流钳测试。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,善意提醒下,贴波形要慎之,之前看见过有些“大si”会根据自己的喜好提出一些问题,问题是实际的存在的问题,但是讨论着就偏了方向(好尴尬 ),
好像之前有因为示波器死的很惨,所谓凭借经验而来的东西,说的不好听一点,是因为个人当前掌握的理论没有办法完全分析清楚的,这玩意比友谊的小船更容易翻~~
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我说的是2相电是120 277Vac你非的弄个 208 480Vac三相电,这样我们还怎么沟通讨论, 我指的中国的电压也是两项电220Vac,三相电当然是380Vac了,如果老这么挑字眼咱们无法往下进行了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 纯技术交流,楼主马上套上挑字眼的帽子似乎不太妥当吧?
话说楼主这楼的话又全错了:举例说,中国的供电单相是220Vac,两相是380Vac,不是2相220Vac,余类推。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我指的是相电压220Vac 线电压380Vac,这样说可以了吧。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 另外小日本的输入电压是110Vac,做PSE认证额定输入电压就是110Vac可以去查日本国家标准的。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 确实是100Vac,不是110Vac,我记错了,这个像大家道歉。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-4 20:59 编辑
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问DCM模式的多路输出反激电源的交叉调整率应该怎么调,怎样设计交叉调整率会好??
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器采用双线并饶法,尽量整层绕,如果一路加重载,另一路轻载,会抑制轻载那路电压漂高。
目前绝大部分厂家都采用这种方式。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 请问按照这两张图纸的话,DCM模式下输出电压的公式还是按照下面这个计算吗?Vin*Ton=Vo*N*Tdiode,N为原边对副边的匝数比,Tdiode为二次侧二极管导通时间。如果不是这个公式的话请问是怎么计算的?
|
|
|
|
| | | | | 楼主,这论坛有些人喜欢找人家漏洞的,真要让他发个贴,系统讨论某个问题,就没词了,你不用介意。还有些人是想来找机会推销自己的学说的,你也不要介意。希望你排除干扰,继续!
|
|
|
| | | | | | | 版主此话差已。如果不是为了寻求电源真正的工作原理及交流合理的开关电源测试技术,谁会在这里耗费宝贵时间还不断招人蔑视呢?你应该感谢热心参与技术探讨的网友才对。不应该固执己见、小看同行!本人觉得楼主在测试LED驱动电源的电压,电流波形结构电路方面存在问题。你觉得是否合理呢!
本帖最后由 shiyunping 于 2016-4-28 10:43 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | 我觉得吧,史厂长你的东西是一套一套的,自成体系的,而且比较另类,你可以发专贴阐述你的理论,集中讨论,这样效果是不是更好呢?
这里的人一般都比较正统,发帖也是阐述些经典的问题,也许你觉得所有这些经典的议题都与你的理论有关,都来插话,不知道的人会觉得唐突,容易喧宾夺主,你觉得呢?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 如果楼主此贴不冠以精讲两字,我不会积极参与讨论。因为我知道获开关电源。特别是LED驱动电源的输入、输出电流特性非常困难。圣经说:神使之为曲的,谁能变为直呢?。但是楼主的测试却把电压曲变为直线电流了。(见楼主上传文件)。
|
|
|
|
| | | | | | | | | 这个图是测试辅助电源的示意图,我有时对史厂长也是很无奈,你是否通读了我白盒测试报告了,如果通读了,而且对电源有一定的基础,不至于提一些匪夷所思想法,对史厂长的回复我就到这里来,否则后面的计划全打乱了,请理解。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 楼主,针对报告 page 05中关于输出纹波电压的测试, 有两个小白的问题请教下:
以我为例,使用无源探头测试时,AC 耦合,带宽20Mhz,采样率选2Gs/s,探头接地用“小弹簧”,很短很短很短... ...
a. 高频开关频率时(3~5周期)测得的电压波形峰峰值,是不是直接可以用作输出电压纹波大小?
b. 还有一种方式,再加一个探头量低电位的纹波,两者相减,这样哪里不对吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 因为我这个LED电源是无电解电容的,都是CBB电容,所以这里的纹波我们无需考虑噪声了,50HZ*2的纹波都是,自供电和输出都是100HZ的纹波。
如果是常规电源测试纹波的话,一般纹波和噪声都要测试的,方法有两种:
第一种,靠测法,就是把示波器探头的地线夹子和帽子都摘掉,靠测输出端口或自供电那一路,这种方法个人认为不可取。
第二种,常规法,这个也是有据可查的,就是用双绞线,并上104瓷片电容和47uF的铝电解,测试,这个很多参考书以及资料都有讲到。
另外说一下,噪声一般是由MOS管关断以及输出整流二极管反向恢复时间造成的,我们一般叫做前沿波或前沿噪声;后沿波或后沿噪声,这个是噪声;纹波是类似小馒头的那个纹波,广义上纹波是小馒头纹波+噪声一起的,狭义上就是小馒头没有+噪声,不过规范上馒头纹波+噪声都要考虑的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 小馒头+噪声波形本身就是因为示波器参数选择,示波器信号获取方式与扫描时间不同步造成的假相。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 假象,太好了,以后电压纹波都不用担心了,
那真相是什么样子的波形,来个看看顺便分析下呗
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 示波器测试一款开关电源:空载电压5.2V
示波器CH1(蓝色)交流50mv档测试开关电源输入端。示波器直流档2V档测试开关电源输出端。
本帖最后由 shiyunping 于 2016-5-5 15:21 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 史厂长不要误人子弟,馒头纹波是真实的,开关噪声前沿波后沿波也是真实的,没有假想一说。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这是是德科技示波器测开关电源时用1:1电压探头测试电源纹波图片。图片中有馒头纹波吗?
本人一直担心你会延续教科书的错误测试方法来误解电源真实工作状态。反倒是你先指责本人的良苦用心。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果你没有看到过馒头波,我只能呵呵了!!!!!!!测试方式不同显示及不同,
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | |
关于:”第二种,常规法,这个也是有据可查的,就是用双绞线,并上104瓷片电容和47uF的铝电解,测试,这个很多参考书以及资料都有讲到。“
可否指点一下哪一本书或那一份资料上有讲到。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢,看了一下链接,那个文档中采用的是10uF电解,与楼主说的不同,这就带来一个问题,有没有相关的规定?如果大家各自为战则测试结果可能就是五花八门的。再看那个文档中的图片,并没有并联任何电容。
个人意见是不认可并联电容的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 当国外的电源电源工程师发现示波器不能测试开关电源输出特性的时候,反应到示波器生产商。示波器生产商千方百计想办法解决这个问题。玩出许多许多花样。包括加添电容器进行测试。其实完全是糊弄人的把戏。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问一般测试开关电源输出电压纹波用什么方法呢?(fs=20k~60kHz)
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1 用示波器一个通道介入开关电源输入端。探头的地线夹,夹住N线。这是要点。真正正确测试的要点!!!。2,用示波器的另一个通道靠接在开关电源输出端。如果开关电源输出电压在5V一下,用直流档测试。开关电源在5V以上用交流档。
其它的还有示波器扫描时间选择,等等需要特别经验。示波器的功能中:信号获取必须有加速功能键。如此多方面都周全了才会把开关电源纹波准确测试出来。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 原副边如果隔离呢? 都用无源探头,不是把原副边地直接短接在一起了
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个不用担心。很多开关电源里有Y电容同样把原边与副边连接了也没有关系的·。如果你不想测试开关电源输入端也可以。但是必须首选CH1直接测试开关电源输出端。不能用其它通道单独测试。当波形不容易稳定的时候。选择电源所带负载的电阻阻值波形就可以稳定下来。
下面这3个测试。探头接电源输出侧。分别用交流、直流正(反)向测试。波形完全一致。
本帖最后由 shiyunping 于 2016-4-29 22:13 编辑
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 无并联电容的是靠测法,我已经回复了,靠测法和常规法两种,绝大部分厂家用常规法多一些, 不要断章取义。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关于纹波的测试,我不想和你争,这个帖子本来是讲设计的,慢慢的偏离了主题,如果你觉得我说的两种测试方法,不对,你大可去开新帖子来讨论纹波的测试方法,我双手欢迎。
我并没有给任何人戴帽子,那是你自己的理解,我只是尽微薄之力,去帮助那些想着设计反激电源的人而开贴的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 纯技术讨论并非为争什么,正确测量在开关电源的中也是很重要的一环,我想也不算怎么偏题,当然你不想交流也是你的权力,我只是觉得你无论谈哪个话题都应尽量确保信息的正确性。并联电容的做法也不是没有的,但为何要并联电容?从你上面的观点中我觉得你不太清楚的。但说并联电容的做法称为常规法并且大部分人都是用这种方法我觉得不靠谱。
再附一篇纹波测量的文档,TI的资深工程师写的,供有兴趣的网友参考。
Accurately Measuring Power Supply Ripple.pdf
(442.39 KB, 下载次数: 974)
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 给你截图,输出纹波电压的三种测试方法:
铜轴电缆测试方法,测试的是最低的纹波,这种方法全球貌似没有用的,没去考证。
但是靠侧方法和双绞线测试方法现在很多厂家都在用,包括一些国内外著名企业。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-5-5 13:02 编辑
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你总把话说得很过的,诸如你对我已“仁至义尽了”,好像我犯了什么十恶不赦的大罪一样。
好吧,关于纹波测量我也说最后一句,你们公司自己都不是采用什么双绞线的方法测量为何又建议别人采用双绞线方法测量?所谓己所不欲勿施于人。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 地线夹子在探头上绕几下,最大化减小耦合其他的纹波噪声尤其是噪声,然后20M带宽限制,X1的档位,不要X10,并接104瓷片+47uF电解电容即可。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不并联104+47uF的电容,那就用靠测法吧,虽然这个算是耍赖法,但是很多厂家都这么用,而且许多培训的讲师也这么讲。 不要叫我去找是哪个讲师,在那次培训会上讲的。 后面也不会在此方面花费太多的时间,我开贴是照顾绝大多数人的,请理解。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关于测试方法,没有国家标准,都是一个企标而已,或者根据客户提出要求来,这个问题我们也不要在纠结下去了,要不一些人又要钻空子了,理解, 。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 我抽时间找找资料,很早了看这个资料,2009年的事了,找到后我贴到论坛上。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我经常搞电参数测试工作所以对你的白盒测试报告中有关在不同负载状态下波形测试我基本都读通了。我认为绝大部分波形我一样可以测试出来。但是这些波形绝对不是真实的工作波形。是因为采用了浮地测试而出现的假相。
|
|
|
|
| | | | | | | | | 有以下几个关于波形测试的问题问楼主:
示波器介入位置示意图,采样阻抗多少欧,多大功率。采样电阻介入电路后是否影响了电源参数变化。示波器信号获取方式?是否关闭附近电器设备、仪器?测试现场的市电干扰情况?为什么要用电子负载。不用电阻箱?测试为什么不直接用LED灯珠?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 首先测试LED如果不用灯珠,那必须用CV模式进行测试,很多厂家卖这种模拟灯珠的仪器,CV模式很接近灯珠模拟,你哪只眼睛看见我用的电阻箱测试的,我已经说了,对于你的回复就此为止,后面不会回复,但是请不要误人子弟,且行且珍惜吧。
|
|
|
| | | | | | | | | 问下楼主,在一个开关电源中重载工作在ccm,轻载工作在dcm,那设计变压器按那种模式来设计,是临界模式吗? |
|
|
| | | | | | | | | | | 关于设计变压器的,我们常规都是这么设计:
如果你做85-264Vac输入,或者90-305Vac输入类似这种宽范围输入电压的,我们设计变压器一般选Krp<1,工作在CCM模式,Krp一般在0.6选取(不能一概而论也),如果你是窄范围输入,如176-264Vac等,这种的,可以选择DCM模式设计,Krp>1,这样有个好处,就是输出整流二极管没有反向恢复问题了,因为你最大负载是都是叫它工作在DCM了,轻载空载也是DCM了。
CRM临界模式,只是一个特例,一个很特殊的点了。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 楼主罢贴了!!!
跟着楼主学习反激变换器计划泡汤鸟
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 贴主是在哪家搞BMS?我也是搞这个,面向小型储能应用。。。
|
|
|
| | | | | | | 哪家不重要,我们主要是针对中高端客户,电动汽车/高铁以及一些保密的客户。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 楼主最近忙于备展 May 24th-26th, 2016. The 12th China International Battery Fair. 后面回合大家一起交流探讨的,谢谢大家的关注 。
大家可以同步关注微信公共账号,关注最新更新。
搜索“世纪电源网”即可。
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 还是希望老师按自己的方式详细的讲一下反激电源的设计与计算,最好弄个目录,那样看着不会很乱 |
|
|
| | | | | 楼主,请讲一下断续模式和连续模式下MOS管漏源极电压波形分析,还有钳位电路原理及不同钳位电路的区别,不要被干扰啊! 本帖最后由 hjxue200611 于 2016-5-17 22:03 编辑
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 请史厂长 离开此贴, 别扫大家的兴。 楼主讲得很好,我支持你,不要理他。请继续, |
|
|
|
| | | | | | | | | 谢谢鼓励。我们可以在示波器如果测试开关电源波形方面进行探讨。
|
|
|
| | | | | | | 我建议你把楼主105楼上传的一个电源测试记录下载出来。仔细研究一下。自己对照方法测试几个电源,再发表你的意见。
|
|
|
| | | | | 输入300-400Vdc,输出200w,12vdc,能用反激变换器设计吗?如果不能,建议使用什么电路? |
|
|
| | | | | | | 中新工联新员工前来学习,太阳能行业,光伏光电,新风
|
|
|
| | | | | | | 100W以上不建议用反激拓扑,因为在MOS管开通期间,负载所需能量,全部由次级储能电解提供,得并一堆电解,现在都追求小型化。
建议使用双管正激电路,久经沙场,而且一般不“炸鸡”。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-6-1 03:00 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | 不单 电容多又大,也浪费磁材,好处是,反激本身就是复位机制,问题是,占空比如果 大于0.5,铁芯复位会否不完全?
本帖最后由 nk6108 于 2016-6-1 09:47 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我做过占空比到0.65的,国家电网电表电源,超宽输入范围的,没有问题的。
|
|
|
| | | | | | | | | 楼主,我现在是三相的输入,全波整流之后的dc有500多伏,但是要求的功率只要30W,我这个可以用反激的拓扑吧!三路输出的?望指导一下
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 好的,谢谢,那样我的输入整流后的直流电压范围是376-646V,这么宽的电压输入可以吗?这是没有讨论缺相的时候?望指导一下
|
|
|
| | | | | | | | | 100W以上不建议用反激拓扑,变压器储能,尺寸会比较大。
|
|
|
| | | | | 反射电压如何取?您讲的内容是针对DCM还是CCM? |
|
|
| | | | | | | CCM模式,当然你也可以在DCM模式下,看Krp的定义。
|
|
|
| | | | | 前辈,我要做一个从市电取电的反激电路,从市电过来加个整流桥再加个电容就给反激电路当输入,这样可以吗,Saber仿真出来的滤波效果太好了,不敢相信啊
|
|
|
|
| | | | | | | Saber仿真,里面都是模型化的东西,最好实际做个电路测试。
|
|
|
| | | | | 楼主,那个导线截面积怎么计算出来的? 有人知道吗? |
|
|
|
| | | | | | | | |
版主你好,我把我会计算的都算了,这些没填的是我不知道公式是什么,求一份excel文件,或者发来公式也可以,让小白研究一下,不胜感激。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 今天中午,我把公式给你,其实大部分公式我都贴出来了,在一开始讲变压器设计的时候。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 选在六一节下班前,抽出点时间把反激变压器设计举例在讲一下。另外在啰嗦一下,有相当一部分参数计算,是用核算后的数值计算的,因为变压器圈数必须是整数,不可能是5.2圈,5.1圈的这种必须取5圈,一取整,一些参数就变了,所以有一部分人说和我的有一点点的差别算出来的数值,另外有一个人,喜欢先算L电感量,再算其他的等等吧,我和他说这么算不对,他还和我急,说道不同不相为谋,后面遇到这种人,我将不予回复了。大家理解万岁吧。
更正,下面:这个面积等于,峰值电流*KRP*D少了/2,在此更正,谢谢这位网友发现错误,这是我的失误,写的时候漏掉了,在此像大家道歉!
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 至此,关于反激变压器的设计就告一段落了,从明天开始继续保险丝以及防雷部分。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 保险丝的选取:
保险丝慢断速断以及电压选取无需多讲,在这我们主要讲I2T这个参数。
首先我们需要在最大输入电压下,分别测试冷机、热机启动时浪涌电流是多少,取最大的,这个当然和你的热敏电阻的选取有一定的关系,热敏电阻我们一般选取25°C时,电阻为2-5欧姆,,额定功率Pr=耗散系数δ×(最高使用温度Tmax-25℃),可作为选取的依据。
下面选一个老图片,如下:
那我们去查保险丝的I2T,只要比求得的大一些,留有余量就OK了。
(修改了很多次,一保存I2T中的2就自动下来,也是醉了,大家知道这个意思就行了。)
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-6-2 22:11 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 雷击试验:
雷击一般按照GB/T17626.5分为两种:一种是8/20us的电流波,一种是1.2/50us的电压波。
无论是电流波还是电压波都是分等级的,比如你的电流波要过多少KA,电压波要过多少KV等等。
具体分线-线,线-地,单次波过多少,混合波过多少。
一般我们常规接法如下:
线-线,一般火线-零线串如一个20A的保险丝,压敏的选取一般按照Vinmax*1.414*1.2-1.4倍选取,线-地,一般是火线到地也借用20A的保险,压敏和气体放电管配合使用,,零线-地,无需保险丝。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-6-2 22:33 编辑
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ,不用客气。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-6-2 22:52 编辑
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 市电引狼入室,法拉第笼不管用,
抗雷后的MOV已受重创,反而成为安全隐患TMOV。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有时为了收拾残压(漏网之鱼),会在一级EMI滤波或者二级EMI滤波后整流桥之前加压敏。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个压敏的通流量怎么选择的?比如打差模4KV用多大通流量的,保险管F1的大小和通流量有没有关系?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一种是8/20us的电流波,一种是1.2/50us的电压波。无论参考哪个标准,要看单次波和混合波,同流量去查各自的规格书需要。 保险丝一般选取20A以上。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主:打扰了,1. 什么叫热启动,什么叫冷启动?
2. 那个启动波形是如何测试得到的?
3.I2T=3.912是怎么计算得到的?
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 老师您好,我是学生初学者。请教你一个问题。我现在设计一款反激电源充电器,输入电压不是从市电取电,有一定限制。设计输入直流电压70-90V(最低输入,当然大一点没问题),输出48V,2A充电电流。按照您的设计方法,匝比为11:10,Lp=115uh,这样的参数导致我的磁芯 气隙非常小,已经小于了0.3.核算的 Bmax也大于了0.3,很容易饱和。我这种情况是不是不适合使用反激拓扑结构呢?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 100W的功率,建议用正激拓扑,当然你也可以用反激,但是后面的储能电容很占地方,如果尺寸没有限制,可以用反激。
调整其他参数,选择合适的B值和变压器磁芯,祝你成功。
有任何问题,可以call我。
明天我给你算一个吧,告诉我你邮箱。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1547320733@qq.com
这是我的邮箱,非常感谢
后面的储能电容我就用的普通的63V/471uf点解电容,尺寸不是很大,是不是我用的有问题呢
本帖最后由 华_南 于 2016-8-29 20:56 编辑
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的开关频率是多少?还有磁芯选的是什么样子的?我给你算一个。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开关频率 70K ,磁芯选择的是PQ3535,谢谢!
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 作为100W的电源,你如果用PQ的PQ26的完全可以胜任的,没必要用PQ35的,附件是按照70K开关频率以及PQ35的磁芯计算的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 可否把此excel发我一份 qq 1066434999,谢谢老师了
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 100W(考虑损耗应该是110W左右)电源用PQ26有点紧张,但也不是不能,但也不至于用到PQ35,PQ32应该最妥帖。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 公式我都写在开题的部分了,最好自己编写,这样记忆深刻。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 版主,你好!上面表格 初级电感量Lp的计算按照上面提供的公式Lp=Vs*Ton/(Ipp*Krp)怎么不对,其他的参数用公式都能对上,是哪里出问题了?谢谢!
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大于100W的功率,建议用正激拓扑,小于100W建议用反激,这主要决定说空间大小及成本。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 你好,楼主,想请教几个问题:1. 前文有提到功率因数0.6这个值,在这里实际上计算时怎么不用?
2. 副边的有效值电流计算公式是怎么样的?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 你好,楼主,我想问下,那个副边的电流平均值就等于我们设计要求中的输出电流,那输出电流峰值和输出电流有效值怎么计算?我根据《开关电源设计》第三版中的计算公式来算,与用你给的公式来算,得出的结果相差有点大了。而且你这里提供的公式与书上的不一样。
还有因为有集肤效应,根据经验来的话:当算出来的线径大于多少时,应当用两股或者三股较小的线径来并联使用?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 公式不清楚为啥不一样,我也没看过那本书,但是我可以很负责任的告诉你,我的公式是没有错的,另外0.35mm以上需要多股并联,趋肤效应越来越明显。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 请问:
1.反激原边电流没有回到0,那么次级的续流电流一定也不会回到0 吗?还是说有可能到0?
2.是否可以通过控制输出二极管电流的上升斜率来设计电源,以满足纹波要求和次级器件应力问题,具体如何实现?
谢谢!
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 帖子太多,现在找不到你这两个问题对应的哪个问的,请在把问题重新具体的写一下吧,我好具体回答。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 楼主,你好,刚在看这边r(纹波系数)定义的时候有一点想请教一下,您这边定义的是r=△I/Ipk 我看精通开关电源或是网上的一些文档 他们定义的是r=△I/IL IL是电感的腰线电流=Pin/(效率*Vinmin*Dmax) ,所以这点想请教一下,这个r定义是应该选哪种?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 怎样核定这个峰值电流Ippa啊?看得不是很懂,这个Ippa的值跟前面计算的Ipp不一样吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 怎样核定这个峰值电流Ippa啊?看得不是很懂,这个Ippa的值跟前面计算的Ipp不一样吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 计算的基本式子是一样的,只是核实,因为算出来的和你取的数有稍微一点差异,所以需要核算一遍。
看我的计算表格截图就可以很好理解了。
|
|
|
| | | | | 老师,可以给我讲讲半桥LLC PFC电容 就是大电容为什么会发热了很烫,我设计的是53V5A 可是空载输出时70V 往下降而且PFC电容很烫 空载输入功率是249W,我带载1A也是很烫 输入功率没有变化
|
|
|
|
| | | | | 谢谢大师共享!一口气翻完了!之前也逛了很多论坛大概知道反激的变压器怎么设计,但是一直不是很清晰,看完楼主的帖子后顿时明朗了。虽然不深入但是思路很清晰~十分感谢!
本帖最后由 suiyi3 于 2016-6-14 11:40 编辑
|
|
|
|
| | | | | | | | | 本来今天想继续EMI滤波部分,但是关于这部分的帖子太多了,而且有很多精贴,所以就不班门弄斧了。
简单的说一下:
1.标准依据如下
根据不同的行业,不同的类型的电源,稍有差别。
2.常规EMI滤波器组成
对于一些小功率的电源,可以采用X电容+差模电感(L N上各一个)+X电容的方式,一般10W以下,Y电容甚至可不加,差不多能过。(X电容一般473-224之间,电感几个mH)
10W-30W,一般用一级就可以了,X电容+共模滤波器+X电容,两个Y电容入地,差不多能过。(X电容一般104-474,电感10-几十mH,Y电容一般102-222)
30W以上,一般用二级,一般前面的共模滤波器如果用环绕,最好是单层绕,电感量要小一些,5-10mH,如果多层绕高频一些东东就通过杂件电容跳过,所以必须的单层绕,目前一般用10K高U的料也有用15K的料的,甚至有的用非晶纳米晶材质,看具体情况了,如果是分槽的也比多层绕效果好一些,但是单层绕是最理想的;二级滤波器一般用环多层绕或者分槽的绕制,电感量一般在20-47mH。这部分X电容一般也是104-474,Y电容102-222,太大了漏电流大。
3.小结
EMI这部分,不是算出来的,是实测出来的,所以必须一般测试一般修改,最终达到理想的效果。
本帖最后由 xueyiranpiao 于 2016-6-14 20:27 编辑
评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | | | | | | | 论文、答辩刚过了,今天抽时间把快速启动电路简单的说一下:
下图为70-700Vdc超宽电压输入的一个电源快速启动电路,这种快速启动电路为大家所常用。R12-R26这串电阻考虑两点,第一耐压问题,因为最高输入电压为700Vdc,所以我们选用1206封装4个串联(一个1206耐压最大200Vdc),第二功耗问题,一旦启动后,IC的供电肯定用自供电绕组方式供电,所以要把这部分电路关闭,一般这串电阻用几M欧姆的阻值;Z1的取值需要看你选什么IC了,如果选用古老的UC3842的话(最大启动电压16Vdc),所以此稳压管需要选最低18V的,因为在低温下18V的稳压管会降低稳压值,同时还的考虑误差问题,所以选取最低18V的稳压管;R10-R23这串阻值根据客户要求的启动时间来定阻值了,一般几百K,有时甚至几十K,不能一概而论;MOS管选取800V耐压值,因为高耐压值电流较小的MOS很少,所以找了个3A的;MOS管源极连接一个LL4148二极管去Vcc;Vref用于启动IC后通过电阻R33 R35分压,然后通过Q6拉低MOS管栅极,关闭这部分电路。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 这个VREF是芯片上的吗?还有,稳压管的选取和IC的VCC电压没关系吧,它只要大于MOS管的阈值电压就行了吧,VCC是通过DS回路充电的吧?是这样的吗?版主。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 是IC上的。
和稳压管有关系啊,因为你稳压管如果是18V的话,也就是MOS管栅极的电压是18V,然后栅源有压差,看用啥MOS了,一般按2-3V算,还有个后面的反顶二极管,也就是18V-(2-3)V-(0.5-0.6)V,如果IC是高启动电压的,你看看是不是IC就永远不能wake up了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 请问滤波器是放在哪的?是放在变压器前面还是后面的?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 滤波器分两种,有共模滤波器,电感有的人也叫滤波器,而常规我们说的滤波器都是指共模滤波器。
整流桥前面的一般有一级两级甚至三级的共模滤波器,根据不同产品而不同,输出端也有加共模滤波器的,所以你的问题问的很泛泛,没有针对性,所以我只能做上面回答。
|
|
|
| | | | | 有没有哪种仿真变压器的软件,可以对比下,设计变压器参数的好坏,导致效率能差多少个百分点?
前提是都能正常工作的条件下。
大家有对比过的吗?
|
|
|
| | | | | | | 方案探讨:QQ:775033039 LLC方案群组: 116760409 (可提供样机测试。。。。并协助开发)
|
|
|
| | | | | | | 专业的仿真软件没有,以前用saber仿真也是仿真电路方面。
|
|
|
|
| | | | | | | | | 求教:《精通开关电源设计》P114页,有个求磁心体积的公式,求推导过程。V=0.7*(2+r)^2/r*Pin/f
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我也看到过此公式,Z选取的是0.4,同求推导过程。 |
|
|
| | | | | 前辈,我自己绕了一个反激变压器,但是漏感测不出来。当我把副边连在一起的时候,测出感值与原边感值差不多,甚至大于原边感知。我又绕了一个一样的结果,请问这是为什么?
|
|
|
| | | | | | | 漏感测试:
短路次边绕组,测量主绕组的感量即为漏感。
(注意开机要校零,测试会准一些;另外你的测试频率/电平、串联还是并联测试都有影响的)
|
|
|
|
| | | | | | | 感觉都是在讨论变压器怎么设计,跟主题《精讲反激电源》的标题有些不符合,请教一下,输入高压电解电容、输出电解电容的纹波电流怎么确定(设计到电容的选择)。不要说根据经验值来选择的哦,MOS管的损耗、变压器的损耗、肖特基的损耗等等都没有设计到啊!说来说去就是一个变压器的几种模式吗,这些方面的资料我想大部分工程师的电路里面至少有N多资料,但是这么多资料也没有谁敢100%说哪个就是绝对的,按照这个上去100%可以,不需要调试了。都是需要根据实际情况来调试,比方说EE16的有些工程师做5W,有些做10W,还有些做12W,甚至更大的功率都有。个人觉得没有绝对,需要根据实际应用的情况来调整。反而设计到电源真正寿命的——电解电容这方面的资料不是很多,市场上电源实际也没有几个电源的电容(适配器)符合要求,基本都是随心所欲的在使用,看了几篇相关的文章,自己按照文章上的理论去实际测试,最后就是根本就不是一回事,再仔细推导,理论都不成立,不知道哪位大师能帮我解答一下迷惑,我非常感谢(主要涉及到输出电容)! 本帖最后由 山巅之峰 于 2016-7-19 11:21 编辑
|
|
|
|
| | | | | | | | | 按道理来讲,现在因为是涉及到成本问题,所以电容基本上都是在狂打折在用
次级的滤波电容
1.耐压,基本上就是要大于等于OVP电压
2.容值,基本上就是考虑纹波及系统的稳定度,不过事实上更多有时是先定下纹波电流值和电压后再选择容值
3.纹波电流,根据变压器设计过程中,得到的次级电流波形,然后可以计算出流过电容的纹波电流,按正常理论,选的电容的纹波电流规格要大于这个计算值。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 请问耐压中输出陶瓷电容的那呀如何选择,还是按OVP吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 纹波电流有具体的设计理论吗,比方说12V5A PQ2620变压器,初级电感量480uH,初级绕组27Ts,次级绕组4Ts
请教一下,输入BUCK电容、输出电容怎么设(实际用的是120uF/400V 1500uF/16V*2)实际选择对不对就不去理论它
如果都要满足器件的要求(各指标参数怎么保证)理论参数方向是对的,实际测试时,稍作调整就可以满足要求了
不至于说我实际测试出来的参数同理论参数相差很远。以至于怎么调整都不能符合要求,导致设计失败!需要从头再来
很多工程师在设计时,基本没有理论,都是靠经验值来判定,问怎么选择,答,差不多就是这个参数吧!再问差不多是多少?就不说话了
|
|
|
| | | | | | | | | 铝电解电容,国产铝电解耐压按照0.7降额,如果是小日本的铝电解,耐压可以用到0.95降额。
容量方面查规格书后面都有纹波电流数值,但是需要看条件(频率)。如果你是工频,需要在原来的基础上*0.6,有的资料是*0.65。
具体你电源的纹波电流是多少,在计算变压器的时候,就已经得出了,我原则上选取这个值的1.2倍,这是理论值,具体还得示波器测试纹波电流,得到的实际值,然后选取比这个值大的。经验值的话一般输入铝电解,工频的,选取1W3uF宽电压范围,1W1uF的窄电压范围。
输出铝电解要看你是一阶还是二阶了,即是C的还是CLC滤波。如果是二阶,L前面的C要满足纹波电流的选取,L后面的要满足在MOS管关断期间储存的能量能够满足负载需求。
当然也的看客户的具体使用年限,如果是3年质保,那就要测试温升了,按照10度翻一倍的寿命去算,如果是105度铝电解,最高使用环境+温升到了85度,原铝电解寿命在105度时是5000小时,那么理论值就是20000小时了,一年365天,折合到小时为8760小时,20000/8760=2.28年,原则上质保不了3年,但是客户可能不是一天24小时工作,并且我们是按照最高使用环境算的,折中应该满足3年质保。
具体的要根据客户的使用环境来定,很多因素不定的情况下,不好说。
如果用钽电解耐压按照0.5降额,容量选取参考上面。
陶瓷电容,有压电效应,随着电压的升高,容量会降低,每家的压电曲线都不一样,目前最好的是TDK的,但是小日本的东西不想用,现在两国关系紧张;同样铝电解也是小日本的好,也不想用。
能支持国货就用国货吧,为祖国做点贡献。
以上说的有点乱,以后开贴吧,专门讲电容的。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 0.7耐压降额很大,目前一些一线品牌也没见有这么大的降额。。。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 国产电容就是这样了,0.7降额,举个例子,输出12V电压,12/0.7=17.14V,我们都选25V,没有选16V的,因为选16V的早早的电容失效了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 请问常见电解电容的使用寿命是多少?薄膜电容的寿命又是多少?请给出文献依据。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 查电解电容规格书,上面都有的,几千小时,甚至1万几千小时,然后按照每降10度寿命翻倍,在根据实际测试的温升,就可以计算得出。薄膜电容,无论是聚酯还是聚丙烯,都是以图表曲线给出的,并且远远大于电解电容的寿命,也就是电解电容电解液干了,失效了,薄命电容肯定是不会失效的(前提是使用必须正确),所以在开关电源中不太关注,如果想知道,可以通过查表曲线得出。
文献就是去查每个厂家的规格书。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 常见电解电容的使用寿命一般是2000Hr,3000Hr,5000Hr.
|
|
|
| | | | | | | | | | | 请问,您所说的一阶或者二阶的输出电容值是如何算的呢,有什么具体计算公式吗?最近正遇到这样的问题,望您回复
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 简单理解,一个C是个一阶,两个C就是二阶,第一个C的纹波耐量需要耐得住在计算变压器的时候的变压器次级的有效值,第二个值,可以取相同的也可以去小一点比前一个C。 这样设计出来的C不会因为发热而过早失效。
当然了,最好是用示波器探头实际测试以及温升测试,这个是最准确的。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 感谢楼主的无私,电源是很系统的知识体系,需要长期积累学习,努力,加油@ |
|
|
|
| | | | | | | 滴确实少了/2,三角形面积A*H/2,应该写的时候漏掉了,大家也请更正。谢谢这位网友。
|
|
|
| | | | | | | | | 楼主,请问下我有款电源12v1a的,做货有些空载会变低,用烙铁烫下431空载就好了,冷了又不行了。换431可以解决,不换431,换串光耦的电阻510r换成1k也可以,431旁的电容104接一个1k电阻也可以,请问下是哪里有问题啊?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 你好,能否把你的问题在详细说一下,这样能更准确的捕捉信息,找到真正的问题点。
|
|
|
|
|
|
| | | | | 新人刚接触电力电子和反激,刚接触mathcad,现在导师分配一个任务让我们做一个反激 我怎么样才能快速的入手呢 |
|
|
| | | | | | | 如果是快速的话,有经验的人带一下,比自己摸索会快很多。加油
|
|
|
| | | | | 大神,我设计了一款电源,输入电压AC180—500v,输出12v5A 满载时在30度的环境下,输出电解电容上的温度达到80度,有什么方法可以把温度降下去 |
|
|
|
|
| | | | | | | 因没有看到实物,所以推测有以下几种原因:
1.选取高频低阻的电解电容,你查一下ESR是多少,同时容量是否满足需求,推测是反激拓扑,在MOS关断时,负载需要的能量,需要抽取电解,容量不足,会造成电解发热严重,早早的失效。
2.电解是否离发热元器件太近了,如变压器/输出整流二极管等,是否是这些发热器件烤的,需要逐一排查。
|
|
|
|
|
| | | | | 突然想到个问题,可以通过纹波电压来看出此时电源进入的是CCM,还是DCM 状态?
|
|
|
| | | | | | | 应该不可以把,纹波电压应该由多种原因导致的,CCM,DCM的判断方法不应该是测副边电流吗?
|
|
|
| | | | | | | 看纹波电压这个判断不好判断,可以看MOS漏极波形电压,输出整流管电压波形,最准确的还是看MOS管下检测电阻(互感器)等的电流波形,比较准确。
|
|
|
|
|
| | | | | | | 吸收电路部分:
1.RCD吸收
关于RCD吸收网上资料很多,而且讲的都很到位,所以不再嗷述。
2.RC吸收
次级整流二极管的震荡为LC震荡,此震荡引起的尖峰电压严重时会对二极管造成击穿,(对EMI造成一定影响)所以必须加以抑制,一般我们都是加RC吸收来抑制,那么如何来抑制呢?很多人是凭经验,这种办法我认为不是太好,加的轻了不足以最大限度抑制尖峰电压,加的重了效率又会大大损失。
下面我来介绍一下我的方法:
首先,这个LC震荡的L和C指的是什么呢?L是次级变压器漏感,布线杂散电感,以及滤波电解电容的ESL,C是次级变压器杂散电容,二极管结电容等。
震荡频率为F=1/(2*π*sqrt L*C),我们令其Z为R,则最大限度地抑制此震荡,阻尼震荡。 那么L C都是未知数,无法求得R,所以我们用实验法来求得R值。
R=2*π*F*L=1/(2*π*F*C),因为我们主要来得到我们的RC值,L值无需计算。
我们在二极管两端加一个电容C,区分为C1,原来的C次级变压器杂散电容,二极管结电容命名为C2,两个C综合起来为C3,此时频率命名为为F3.
我们叫F3为原来F的1/2,那么C2=1/3*C1,我们加的C1是个已知数,那么C2就可以求出来了。再由公式R=1/(2*π*F*C),带入可得到R值。
求出R值后,我们在来确定吸收C,这个C就是使得尖峰电压最小化,起到阻尼震荡。
至此,RC吸收讲解完毕。
配图如下:
|
|
|
|
| | | | | | | | | 你好,我想问下你的推导里面,
F3为原来F的1/2,这个是怎么得到的?
还有为什么寄生电容是我们加的吸收电容的1/3,我们加的电容多大为好?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 加电容是为了求电阻,然后电阻求得以后再去试验电容做到几乎无尖峰电压。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | “我们叫F3为原来F的1/2,那么C2=1/3*C1,我们加的C1是个已知数,那么C2就可以求出来了。”
还想问一下,这句话不知道怎么推导出来的,特别是C2=1/3*C1
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 高数中某个公式吧 忘记了。
你可以代数验证数值的正确性。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | F3=1/2F1,也就是说1/[2π*sqrt(L*C3)]=1/2*1/[2π*sqrt(L*C1)],
那应该是C3=C1+C2=4C1,也就是说C2=3C1,“C2=1/3*C1”这个怎么推导出来的?
|
|
|
| | | | | 老师您好: 我设计了个反激式开关电源,100K开关频率、DCM设计模式、5V/3A、12V/1A输出,现在电压输出和功率都基本达到设计要求,就是输出纹波大!测量方式是正确的(例如探头接地线很短、20M带宽限制),从论坛里得知(你这大纹波是多高的频率,如果远低于开关频率则是环路问题;如果就是开关频率,就是输出级滤波电感或电容太小,或电容ESR太大.),请问老师图中空载纹波是不是470HZ,是不是布线问题?输出滤波为2个1000UF/10V的高频低阻电容加个4.7uH的功率电感!
因为文件大于5M,我只能上传原理图,PCB板只能以图片上传给老师看了!
-
主路5V输出空载纹波
-
主路5V输出满载纹波
-
3D图
-
反馈端5V输出
|
|
|
| | | | | | | 太客气了。
我们说的纹波严格意义上讲,是纹波+噪声,纹波分为基波和开关纹波,噪声是MOS管开通关断和次级整流二极管反向恢复等综合在一起的,前沿噪声+后沿噪声。
基波就是你如果是输入交流50Hz的频率,那基波纹波频率就是100Hz的“馒头”,开关纹波和你的开关频率相对应,上面夹杂前沿后延噪声。
频率是多少,示波器标尺一量,即可得出。
如果是降低波纹,主要还是你的输出电容的ESR上着手,如果是噪声,可以从以下入手。
1.内置mos的集成IC,无法调你的驱动电路,所以这是内置mos的一个缺陷,外置mos的IC可以通过调节驱动电阻减小dv/dt,进而减小开关时的噪声。
2.吸收电路可以减小噪声,无论是初级侧吸收还是次级侧吸收。
3.Y电容
4.输出滤波电感
5.偶尔也可以MOS管、整流管加“母猪”。
希望可以帮到你。
|
|
|
| | | | | | | 必要时可以留下联系方式(私信),论坛打字描述很费劲,我可以具体的告诉你更改方法。
|
|
|
| | | | | | | | | 老师您好: 非常专业的回答,我按您说的找找方法! 非常感谢您!!!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 好滴,另外解释一下,那个“母猪”就是磁珠的意思,我习惯叫法。
|
|
|
|
| | | | | | | Ippa是核定后的初级电感峰值电流,我上面那个表格上有的。
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 感谢师傅!虽然性子有点急,但人非常好,敢于贡献所学所知,真心感谢师傅!
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | , 电源这条路,师父领进门,修行在个人,必须自己钻研。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 大师,请问这是按CCM模式设计,这是在100VAC时,空载情况下的漏极(D端)对GND的波形,
从图中得知占空比为26%,反射电压约为88V!请问这个波形应该算比较好的吧!!!
|
|
|
|
|
| | | | | 电源说简单也简单,说复杂也复杂,想要把电源做精,还需要下点功夫才行! |
|
|
|
|
|
|
| | | | | 最近也在做反激,遇到效率比较偏低,想深入了解提高效率的各方面做法 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | mos管vds short 状态,峰值超了,额定电压650v,short时取110%规格,也就是715v,需要将short时Vds降下来,一般有什么办法(除了换料) |
|
|
| | | | | mos管vds short 状态,峰值超了,额定电压650v,short时取110%规格,也就是715v,需要将short时Vds降下来,一般有什么办法(除了换料)
|
|
|
| | | | | | | 可从以下方面着手,变压器漏感尽量小一些,常规一般都在2-3%最大,如果漏感已经控制在这个范围,那么TVS可以收拾短路尖峰问题,短路时的尖峰,一般都是几百ns到几个us甚至几十us级别的,TVS是ps级别的反应,响应速度很快,而且几百ns到几个us甚至几十us峰值电压,直接给砍掉到TVS的击穿点,一般P6KE这个级别的完全收拾的了。
|
|
|
| | | | | | | | | 请问一下將R054阻值(10Ω→39Ω),R050,R050-1(75KΩ→47kΩ)後,Q050 VDS SHORT 為什麼會下降,
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 变压器制作还不错,漏感比较小了,漏感和杂散电容震荡,这个是不可避免的,调整RCD吸收电路,这个RCD的网上有很多资料,你先自己看,试着调调。
我一般在输入标称电压,输出满载下调试RCD,已R不过吸收为佳。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | C图好,只是说在下一个周期开始的时候,C上的电压刚好通过R放完,这是最理想。
实际我们用的时候,负载不同,这个是变化的。我们只要在标称下,完成这个波形就好了。你不可能在任何情况下都是这个波形的。
在说一下,你上图的时候重点的值都标出来,波形展开一些,方便别人看。
|
|
|
| | | | |
空载时反馈引脚波形
满载时反馈引脚波形
大神们,请问反激电源芯片中反馈引脚VFB的波形在空载和满载时的波形合理吗?也这是光耦的第4脚波形!!!芯片的频率为100KHZ
|
|
|
| | | | | | | FB脚电压,为很小波动的直流电平,这个电压和你CS脚的三角波来切,就出来占空比了。
你这个脚空载波动太大了,满载的时候上面的耦合的东西“尖峰刺”太大,也许是你示波器探头“被骗”,不是真实的,也许是,不在现场不好说,你把示波器夹子去掉,拿个细铜丝绕在那个探头的负上,很短的铜丝,然后铜丝焊到你IC的接地脚,在去测试FB脚电压,排除太多的干扰。
|
|
|
| | | | | | | | | 今天测试了下,波形如下:空载VFBB反馈引脚波形
空载VFBB引脚波形
满载VFBB反馈引脚波形
满载VFBB引脚波形
波形似乎还可以,不应该是满载时电压比空载时电压高吗?为什么实测的不是?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 这样吧,你去把IC的datasheet在读20遍,然后多找一些电源类的书籍看看,把基础知识学一下。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 请问下楼主,做60W,比如12V5A,不用同步,用PQ2620做UL认证温度可以过么?盼回复,谢谢! |
|
|
| | | | | 昨晚到今天早上,把所有的都看了一遍,学习了。问一下楼主可否把计算表格给一下,谢谢!1147230142@qq.com |
|
|
| | | | | | | 你好老师 我下载啦你给的 UC3842的saber仿真 不能仿真 有错误 |
|
|
| | | | | | | | | 上面我已经回复你了,如果还不行,我装上saber在告诉你参数设置。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 我saber仿真过了,没有问题,你去楼上看我的截图,应该是你设置的问题。
|
|
|
|
| | | | | | | 晚上加班,周六周天加班。
最好你自己根据我的公式编写,这样很更好一些。
|
|
|
| | | | | | | | | 老师您好,
关于公式,我在选取B值时选在0.2左右(没什么依据,单纯凭感觉),最后演算B的时候计算值为0.29几乎快到0.3,想问下老师我的计算方法和过程上问题出在哪。。。学生党刚开始学习不久,还请老师多多指教。
-
我是先确定的占空比然后计算的VOR
-
|
|
|
| | | | | | | | | | | 看着太草了,能弄到word里面吗?整齐一点我看看。
|
|
|
| | | | | | | | | 老师 你好 最近有空吗 想请教你有关Saber 仿真 参数设置的问题 谢谢
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 计算单股线径,首先你选取你的载流密度是多少?然后π*r2是截面积,得到r,2*r就是直径。
|
|
|
| | | | | | | | | 你好,这个表格没有趋肤效应的解释,你选择线径的时候,怎么避免趋肤效应?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 趋肤效应的选取,其实也是综合来考虑的,一般线径到0.4mm趋肤效应已经不能忽略了,但是考虑到整层排布以及骨架绕制的限制等等,有时也会折中,只要温升在设计合理范围内,也是可以的。
制作变压器的初期,最好制样,分3种变压器,实验。除了温升效率外,EMI也要考虑进去,最终找个合适的。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 如果最低输入电压,输出满载还要设计在断续模式,Krp要大于1才可以。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | DCM模式,KRP>1,有没有上限呢?通常设计DCM的时候,KRP选择多少? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,KRP=△I/IP,在断续模式的时候,KRP=1,楼主,为什么在计算的时候选择KRP>1?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前面已经定义Krp了,Krp小于1CCM连续模式,Krp等于1CRM临界模式,Krp小于1DCM断续模式。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主和我设计方法是一样的,台达一般也这么设计,关于KRP的取值我有个疑问,我取值没有取过大于1的,KRP小于1,CCM,KRP=1,CRM,DCM为什么会取大于1,我认为DCM和CRM,delt IP和IPPK都是相等的。所以我设计为DCM是这么设计的,先按CRM设计,算出电感量,然后实际取电感量比这个电感量小时,就能保证DCM了
所以想请楼主解释下KRP>1的含义
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个设计方法是和我老恩师学的,其他参数不变的情况下,CRM得出的电感量,在小一些确实是进入DCM模式,但是具体小多少,你还得看Krp的取值,开篇已经讲过了Krp的定义。而在实际应用中,没有人会特意去把反激电源设计到DCM模式,或者说很少设计到DCM模式。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我认为KRP大于1是不严谨的说法,在得到变压器的参数后我可以用函数的形式把变压器的电流波形完全表示出来,这样当我设计DCM时,我取的电感值大小可以很直观的看出来效果,而不是让KRP大于1,因为你很难解释大于1的含义,许多情况下我们是有必要让变换器工作与DCM模式的
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,能不能给新手分享一个设计实例?让新人学习一下。设计完成后,怎么判断磁芯是否绕的下?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主,你好,我公司做光伏逆变器辅助电源的,输入300V-1000Vdc,一般是3到5路输出,输出电压5V,12V,输出电流都是1A以下,我测试发现,几乎都是工作于断续模式,楼主说不设计在断续模式原因是什么?断续和连续各有什么优点?按你的方法设计后,我怎么判断这个磁芯是否绕的下?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师,你好,按你的方法设计了一个输入300Vdc-1000Vdc,输出12V,3A,工作频率20K,KRP选的1.1,磁芯PQ3230。原边136,副边9,感量6.5mH,楼主帮我看一下,是否合理,第一次做项目,还是很紧张。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 建议如下:
开关频率太低,这样你的变压器体积太大了,建议选65K,Krp不清楚你为啥选1.1,设计在DCM状态,建议Krp0.6左右,工作在CCM模式,不到40W的反激电源,EFD30绰绰有余,然后核算B值别超0.3就OK了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师,你好,krp选择1.1,是按你的描述,在DCM模式下,KRP>1,频率选择20K,是担心1000Vdc输入时,MOS管温升过高。按你的建议修改后,KRP也是不能选择0.6的,选择CCM模式的话,磁芯B值大于0.3(附件我计算WPS表格)。
按我之前的算法,装机测试发现,在高温70℃,输入1000Vdc,输出空载时,输出电压由12V上升到18V,需要加40mA的电流,输出电压才能降到12V?前辈帮我分析一下,是什么原因?
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老师,你好,光伏逆变器的风扇电源板,工作环境温度-30℃至70℃,输入300Vdc至1000Vdc,输出12Vdc,输出电流3A,目前的方案,工作频率20K,选择20K的原因是,环境70℃时,1000Vdc输入时,MOS的温升过高,因为这个电源是在无风环境下工作的。断续模式,磁芯是PQ3230,匝比是136:9,感量6.5mH。
关于正激的,还有个问题向你请教,计算最高输入时的纹波电流,麻烦老师给我写一下公式,一直没弄明白0.26925102,是怎么计算出来的?非常期待老师的回复。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不好意思,才看到帖子,按照你的参数:输入300~1000Vdc,输出3A,20KHz,PQ3230的已知参数,设计变压器如下:
原边圈数:130Ts,副边圈数:7Ts,自供电圈数:8Ts,Lp:10mH,气隙大约0.3mm。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开关频率太低,变压器体积太大了,一般建议选大于100K,这样磁损会比较小些。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | PI的反激应用指南中有Krp>1的描述。个人理解按照最低输入电压设计,Krp=1,就是临界模式,如果你按照Krp大于1设计,比如1.3.那么计算出来的感量就会比临界模式小。所以你按照临界模式计算后的感量,实际在取小,能保证肯定在DCM模式。我现在就设计过一两个案子。关于KRP的取值,ccm和dcm模式经验还不足。有些电源是设计成低压CCM高压DCM的,krp的取值会影响到最终变压器的感量。感量会影响CCM和DCM的临界点。楼主的帖子说CCM设计成KRP=0.6,不知道你是按照哪个值设计KRP的。krp的取值最终还会影响效率,因为初次级的电流变化了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 设计反激以最低输入电压,输出满载为最苛刻点,以上我也讲过。
在这个点如果你设计CCM,必须KRP<1,具体你选=0.几,将根据自己的设计具体选取。如果你想设计CRM,KRP=1即可,这个是你自己设定点(CRM是临近点,输入电压在提高或者输出负载减小,就进入DCM模式)。
不清楚你具体想知道那些方面?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我就想知道凭楼主的经验KRP值在CCM模式下设计多大合适,0.6左右?我公司有一款60W(12V 5A美规恒压LED电源,低PF产品),要求低压90V输入工作在CCM模式,高压230V以上工作在DCM模式,180V到230V之间的某个点工作在临界模式(工程师和我说一般都这么设计,不知道是否合理,楼主对于此类电源是如何设计的?)。最后我根据最终变压器数据和实测开关频率,初级电流等数据反推KRP在0.62左右。我公司这边设计的电源功率都比较小,60W的工作模式就按照上述例子设计的。100W以上的就用LLC了。不知道有没有电源全电压都设计在CCM模式的?然后对于小功率的产品20W以下的,全电压90-264范围都会只工作在DCM模式,不知道楼主是按照KRP>1的哪个值计算的(有个工程师和我说国产的取1.5以上,国外芯片做的好可以1-1.5,这样利用率高),还是根据KRP=1计算后感量直接取小来保证90V不会进入CCM(如果是这种算法,取小多少比列合适)。以上就是我的疑惑,目前我还是助理工程师,感觉现在设计一款高性能低价的电源还是蛮难的,因为好多参数基本都已经设计到极限了,请楼主指导下,不胜感激。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前面我已经说过,如果非要给个值,建议初学者在最低输入电压,输出满载时设计CCM模式时,Krp=0.6。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问30W反激,80V到550V直流输入,12V输出,电感量取240uH如何?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个输入电压范围,叫我想起了三项电表电源。
你的这个问题,无法回答,和你设置的工作模式以及选取的工作频率反射电压磁芯B值等等有很大关系。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 频率115K.磁芯pq3225,余量很大的,准备低压工作于ccm模式,你看这感量如何240uH |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 见过败家的没见过这么败家的啊,用PQ3225的磁芯, 。
按你的要求:输入80~550Vdc,12V 2.5A,115KHz,PQ3225,反推你的240uH,没有问题。
14:3:3,原边副边自供电圈数,不知道你的IC用啥,请确保3圈的自供电没有掉到UVLO以下。
其他分别为 Vor:60V Krp:0.75 B:0.168 气隙约:0.15,反推出你的240uH的电感量。
|
|
|
|
|
| | | | | 大师,你好!你的计算表格我在复制,在计算输出电流峰值那里跟你的计算结果对不上啊,公式不是2Io/(1-D)么??求赐教 |
|
|
|
| | | | | | | | | 你好,兄弟,还请赐教输出电流有效值的计算公式
电感的气隙计算公式,
Ln反馈绕组电感量的计算我用比例法计算出来跟楼主也不相同,请赐教。
感谢。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 输出电流有效值和反馈绕组的计算公式如下,至于气隙都是由供应商帮忙计算,量产的时候,供应商对这个处理很有经验。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 老师,什么时候有空,回答一下我的问题啊,在510楼,非常感谢。
|
|
|
| | | | | | | | | | | Fs:65K EFD30磁芯 Ae:68
Vor:150V Krp:0.7
Np:106Ts 0.25mm
Ns:9Ts 4*0.45mm
Nb:10Ts 0.25mm
Lp:3.4mH
|
|
|
|
| | | | | | | 昨天有一个网友问:
反激拓扑,100KHz开关频率,输出5V 10A,输入85~264Vac。
问题为从85~264Vac输入电压升高时(此时条件输出满载,Ta25度),变压器磁滞损耗和涡流损耗如何变化,MOS管的开关损耗如何变化,次级整流二极管的损耗如何变化?
欢迎大家来讨论
|
|
|
| | | | | 请教一下:全电压96-264 AC输入,反激拓扑,为啥在低压的时候比如110V AC 是工作在联续模式在 220VAC 就是工作在 断续模式了 为啥? 帮我解释一下可好? |
|
|
| | | | | | | 全范围一般指85-264Vac,不过有的做到277Vac,主要是兼容美国工业电压。
这个就要从反激变压器的设计说起,我简要说一下吧。
反激是由buck-boost演变而来,在输入电压最低,输出满载下为最苛刻点,所以我们常规选取最低输入电压,满载输出来设计,选取最大占空比,也是选取反射电压的步骤。这里引入一个Krp的定义,见我开篇的讲解。Krp小于1即为CCM模式。
然后回归正题,随着你的输入电压的升高,这时输出电压电流不变,占空比慢慢的减小,迟早会进入DCM模式,这是必然趋势。
|
|
|
| | | | | | | | | 反激辅助电源,输入电压180-375Vdc,输出12Vdc,输出电压12V,当输入电压大于330Vdc时,MOS管的驱动波形会出现大小波,即驱动波形左右抖动,是什么原因啊?IC 是UC28C42,
|
|
|
| | | | | | | | | | | 你查一下反馈脚,看看电压是不是有异常了,如果是查环路;或者是输入电压高了,占空比在比较小的时候,波形分群,可以加补偿来解决。
|
|
|
| | | | | 非常感谢精彩的讲解,对我很有帮助,希望以后有机会多多想您请教。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 您好,我是开关电源技术的小白,请问要从哪里学起呢?注重理论知识还是实践啊,自己画板、做板、测试!
|
|
|
| | | | | | | 电源小白给你推荐用这个智能整流器,没有外围器件,装上去就工作,效率PK同步,像二极管一样简单,高效简单。
|
|
|
| | | | | | | 先学拓扑结构和元器件知识,然后实际做个反激的电源调试测试。
|
|
|
|
|
|
| | | | | 感谢老师的精心讲解 公式都验证过了 和我们公司的电源差得不多 我看资料说小功率电源最好设计在DCM 这样可以减小变压器体积 大功率要设计在CCM 因为在DCM下 IPP较高 MOS等功率器件要求更高 选择CCM可以减少成本 |
|
|
| | | | | | | DCM CCM的选取,考虑的因素很多,只是满足性能要求,安规以及EMC要求就好。
|
|
|
| | | | | si9110 大佬有没有用过? 这个可以在saber软件上仿真吗?
|
|
|
| | | | | | | saber库自带IC都是很老的,如UC3842等,一些新的IC需要自己建模。
|
|
|
|
|
| | | | | 大师,小弟搞单片机板级硬件设计的,大师能不能指点下,现在转开关电源路线怎么走,如何入门? |
|
|
| | | | | | | 大师不敢当,先把基础知识打捞,常规的拓扑了解,然后实际做做产品,并且有工程师带带,应该会走捷径快一些。
|
|
|
| | | | | | | | | 反激电源,输入电压180Vdc-425Vdc,三路输出,5V,12V,10V,主路是12V,常温,高温工作是无异常,
低温,输入电压440V,模块输入过压保护后,12V的主路输出电流由150mA减小到50mA,输出电压上升到12V,怎么解决?
附电路图。
-
辅助电源电路图
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 输入过欠压,一般由分压电阻和一个运放或者比较的基准电压比较来做,然后去拉低IC 28C42的1脚,这是常规做法。
但是我从图上没找到这一部分电路;或者你大体说一下你的输入过压是如何做的,在做分析。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 你好,是我没描述清楚,这是整个电路中的一个辅助电源,输入电压范围180Vdc-425Vdc,过压是模块的主电路控制的,对辅助电源的影响就是过压后,辅助电源的VCCP12的输出电流从148mA降低为48mA,然后输出电压从12V上升到20V,低温﹣30度到-50℃就会出现这个情况,我现在的做法是在8脚和3脚接15K的电阻,给3脚提供一个固定的补偿。其它同事不太认同我的做法,不知大师还有没有别的方法(原理图中的参数基本都不正确,暂时没时间修改)。
另问,你有没有做过BUCK的拓扑?
|
|
|
|
|
|
| | | | | 很不错,传道授业解惑,谢谢讲解,概念清楚、重点突出,难点很透
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 这部分超标,一般都是高频共模杂讯从你的滤波器的匝间电容“蹦”过去的。
请先附上你的产品的大体原理图,这样更有针对性回答,这一段超标有N多种办法解决。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 楼主,对于反激式变压器 CCM模式的设计,能否发个完整的文档出来共享一下,包括变压器的设计,线径的选取,MOS的选取,电解电容的选择,输出整流二极管的选取,谢谢。本人的邮箱:liuzhigang021@163.com. 谢谢。
|
|
|
| | | | | | | 变压器的设计在上面都有讲到,变压器里面的参数都有了,其他的MOS 二极管 电容选取就出来了。
|
|
|
|
|
|
| | | | | 楼主,你好,看了你的帖子学了很多东西,非常感谢。你在文中有个关于Krb的设置,一般宽电压85~264V用CCM,Krb<1,一般取0.6,窄电压176~264V用DCM,Krb>1,能否说一下这个大于1是多少,你设计一般取多少,我看了一些其他文章,有说是DCM模式,Krb=1,所以觉得比较迷惑,忘解答一下,谢谢! |
|
|
|
| | | | | | | | | 谢谢,我还有一个问题:我想做一款输入是AC85V-264V,输出是140V/0.35mA的电源,用你给出的公式用CCM模式计算,Krp=0.6,磁芯用PQ2620,Ae:119mm2,最后得Np:Ns:NF是25:44:6 Lp=718uH ,可是最后验证BM=0.42T,不知道哪里出错了,好像必须要Krp>=1以上,验证出来的BM才会小于0.3T,麻烦帮我看看哪里有问题。 |
|
|
|
| | | | | 您好请问您一下,150W反激NCP1377B用PQ3535还没PQ3220效率高怎么办?
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 最重要的核心是反激变压器,变压器的设计可以参考我前面的讲解。
|
|
|
|
|
| | | | | Master您好!
前几天参加面试,面试官问了我两个电源方面的问题,他对我的回答不满意,所以想请教请教您,跟您交流交流。
第一个问题:开关电源输出5V/8A。这个磁芯要用多大的(面试官当时就是这么问的)
我看过玛尼克塔拉写的《精通开关电源设计第一版》,这个问题,用的拓扑应该是反激,第一版书中99页有
关于反激变压器铁氧体磁芯体积的公式。(面试官对我的回答并不满意)
第二个问题:离线式开关电源整流桥后面的电容怎么选取。面试官没说窄范围还是宽范围输入。这个一般要考虑机器的保持时间,
然后按3uF/W来选取。
他对我的回答不是很满意,然后就呵呵了。
Master,我想跟您交流交流,我哪里没回答好,感谢!盼复!
|
|
|
| | | | | | | 今天刚看到信息,滞后回复了。
这两个问题,面试官给的条件太少,所以想要个满意的答案只能是自己把几种可能性都加进去。
1.如果说只给5V 8A,叫你去回答选磁芯多大的,答案太多了,因为前提条件太少了
如使用的工作环境,散热方式是自冷、强制风冷、还是水冷等等,输入电压范围,输出带负载是感性还是容性还是啥,如打印机、电机启动器类的产品,都需要peak load功能的,效率指标、成本。。。。。。一大堆不确定因素,并且选的磁芯的形状用啥样子的,这本身就是个“陷阱”题,就看面试官的当时的出发点了。
举例:-20~50°C,自冷(PC+ABS塑壳),90~264Vac,打印机适配器,效率90%(四点平均),输出24V 2.5A(peak load 10A,持续时间大于300ms),成本含税控制在42以内。。。。。。等因素确定好后,反激拓扑如果用PQ的磁芯,选择PC40材质,PQ2620的即可。
2.第二题也是“陷阱”题,有无APFC功能,用的啥拓扑,输入电压范围。。。。。。一堆的未知条件,无法作答。
如果是简单的常规反激,经验值是宽范围2~3uF/W,窄范围1uF/W,但也不能一概而论,计算式子可以百度搜索,仿真也可以,办法很多。
|
|
|
|
| | | | | | | | | 针对有peak load的产品,比如音响类的,在设计变压器的时候要注意哪些地方。如果18V 1.3A的额定功率的音响电源,峰值功率可能要用到1.3A*2.5倍,在PQ2020的变压器,需要怎么去设计?按常规设计的话,峰值功率做不大。请大师多多指教。
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 过来研究研究大神的思路,学习学习大神的想法。。。。。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | 计算公式在上面,PDF的格式也有,最好自己编写,印象深刻。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 楼主,你好,按你的公式也做了一个表格,请教一下,怎么来确定哪个设计的参数效率要高一点?谢谢!
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 技术这东西,多吸收点肯定是好的,哪怕自己还算是可以,看看别人怎么搞,也是一种历练。嘿嘿 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 不知道是现在做电源的人越来越少了 还是大家都太忙了 好帖子越来越少 |
|
|
|