| | | | | 可以选择用全桥LLC吧,就差一篇驱动;管子数量相同;半桥的话你要并联管子,最好选择TO247的吧;谐振电容费劲些!
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| | | | | | | TO-247封装是肯定的了,散热效果会好很多吧,用单个管子不行还是这样风险比较大?Rdson为0.07欧姆的管子如果还不行我就选用更小内阻的,不过价格确实也贵很多,但是再怎么样也没有双管并联这么高价格吧?
谐振电容确实费劲,容值大,过电流也大,要N个电容并在一起才搞的定。
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| | | | | | | 李版你好!对于发热的处理我一直没有什么很好的计算方法,用多大的散热器,多高转速的风扇才能满足,不知道如何合理评估。但是仅凭经验而言,一个MOS光是通态损耗就已经达到13.5W(而且Rdson还是正温度系数),个人觉得很不靠谱,心里发虚。所以一直在犹豫是采用更低Rdson的管子还是采用双管并联,用双管并联肯定在发热这一块好处理很多,但是会占用更多的体积这样还不如做全桥算了。现在管子以及散热的基本情况是这样的,请帮忙评估一下,谢谢:
一、管子基本参数:45A 500V,Rdson为0.07欧姆 TO-247封装
二、两个管子用一条长度80mm,高度50mm,厚度为16mm的铝散热器(散热器基底厚度大概5mm,均匀分布锯齿散热条),前面用一个3600转的12V /0.2A小风扇对着这条散热器强制风冷。
散热器示意图如下:
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| | | | | | | | | 导通损耗应该是两只管子分担的,单只仅几W而已,不必纠结。考虑散热工时,首先要保证MOS的正常工况,没有意外热损耗,热传导要利落,除了散热器大小外,风量是可以控制的,相同规格的风扇风量可能相差很大,还有风道的问题。最后落脚到MOS铜头温升不超过50度即可。
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| | | | | | | | | | | 感谢李版!
风道是有考虑的,散热架后面无其它阻碍风道的东西,也经常听很多人说MOS的温升控制在45~50°C左右,但是实际使用中,如果室温30°,成像仪测试MOS得到其温度为80°C,这个时候不知道其内核温度去到哪里了,还是觉得头皮发毛,担心爆管。
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| | | | | | | | | | | | | 一般按铜头温度控制就行了,结温可望不可及。
关于散热器,有这样一种设计思想,散热器的体积占电源整机空间的比例越高,越是好电源。感觉你80mm的长度有点短,与整机尺寸大致接近吧。
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| | | | | | | | | | | | | TO-220封装的结到壳体的热阻一般是2.5度/瓦, TO-247的更小。所以结到壳体的温差是可以算的。我们一般对结温用80%的降额使用。比如最大结温是150度,那么实际以不超过120度为宜。
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