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未解决

TEA1892TS同步整流IC的驱动波形

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1

Fo法无边

Fo法无边
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主题：54
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帖子：204

积分:1171

LV6

高级工程师

2017-5-7 17:28:04

10问答币

请教，为什么TEA1892TS外驱MOS的开关波形不是方波，有个台阶? 如附图

BX.png (7.97 KB, 下载次数: 19)

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		2 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109874 \| 主题：142 \| 帖子：45925 访问空间发消息积分:109874 版主 2017-5-8 12:32:41 倒数5
		因为电流降低到一定阶段后，MOS管导通压降会小于12mV（没细看不知道是不是12)所以只能是降低驱动增大内阻，保证压降是这个值了。这是IC的控制方式，但不知道为什么要这样。回复 \| 举报 \|

			3 Fo法无边 Fo法无边离线 LV6 高级工程师积分：1171 \| 主题：54 \| 帖子：204 访问空间发消息积分:1171 LV6 高级工程师 2017-5-9 00:01:47 倒数4
			谢谢! 回复 \| 举报 \|

				4 huhongli huhongli 离线 LV4 初级工程师积分：323 \| 主题：8 \| 帖子：15 访问空间发消息积分:323 LV4 初级工程师 2017-5-23 21:17:37 倒数3
				mos管导通后，当电流减少使mos管Vds=42mv（或者30mv，可选择），降低驱动电压Vgs，目的是为了mos导通后期，加快关闭速度。这款芯片对于很低Rdson的mos管，效率影响比较大，正准备换方案。回复 \| 举报 \|

					5 Fo法无边 Fo法无边离线 LV6 高级工程师积分：1171 \| 主题：54 \| 帖子：204 访问空间发消息积分:1171 LV6 高级工程师 2017-5-24 23:36:37 倒数2
					谢谢! 回复 \| 举报 \|

						6 micm_matlab micm_matlab 离线 LV1 本网技工积分：65 \| 主题：0 \| 帖子：15 访问空间发消息积分:65 LV1 本网技工最新回复 2017-5-25 10:49:42 倒数1
						上面说的有道理，应该是为了降低MOSFET的关断能耗。你查一下MOSFET的Cres曲线，当Vds很低的时候，Cres很大。这会使关断变慢，Eoff增大。回复 \| 举报 \|

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