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| | | | | | | 多年以前的笔记了,下面是一款2000瓦机子,实测数据波形,有感兴趣的我在陆续上传关断损耗,开关波形,电流波形等波形图,便于同行分析学习
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900Vdc输入下
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1000Vdc输入下
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1150Vdc输入下
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| | | | | | | | | 开关MOS关断损耗
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MOS关断损耗(900Vdc)
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MOS关断损耗(1000Vdc)
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MOS关断损耗(1150Vdc)
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| | | | | | | | | | | 楼主上传MOS的损耗波形时,可否说明下选用的MOS管型号及应用
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| | | | | | | | | | | | | 感谢提醒,上下管均为:STF11NM80 11A ISDM=44A,电源输出功率1800瓦
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| | | | | | | | | | | 前辈您好,看了您的帖子,是否是开通和关断损耗都用公式:Ipk*Vpk*Ts*Fs/2计算,然后将它们加在一起呢?另外:关于MOS的真实结温(第一张图片中提及的)的计算有些不太明白,能否举个例子加以说明。
谢谢。
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| | | | | | | | | 楼主,你这三种颜色的都是什么波形啊,说明一下比较好吧。驱动,DS.... |
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| | | | | | | | | | | 绿色和蓝色一个是电压一个是电流,他们交叉的位置就是红色的面积,就是开关损耗
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| | | | | | | | | | | | | | | 最近忙项目,这个就是测试损耗用的,一个是高压探头一个是电流探头,然后通过示波器来计算那个面积
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高压探头和电流探头
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢楼主好心贴图!
电流探头,好厉害啊,我都没用过。多少大洋啊?
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| | | | | | | 感谢仁兄点赞,后面我会陆续上传些可靠性测试的波形,希望对可靠性测试感兴趣的朋友研习。
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| | | | | | | 多年对PCB文件审查的总结,希望大家喜欢
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PCB文件设计审查表
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| | | | | | | 在网站上回复了几个帖子,都是关于驱动的,那么驱动波形什么样是最优的呢?这个谈几点心得,不足之处大家补充
1.驱动波形幅值:驱动波形幅值以正负15V为佳,大多数MOS的GS电压在正负20V或正负30V
2.驱动波形的上升时间和下降时间:MOS管开通有个阀值Vth,这个取决于MOS的栅极电容以及驱动电流,实际重要根据EMC来调整驱动限流电阻调节,MOS关断同样。
3.如何看波形?
驱动电压过高,驱动波形成三角波状态,驱动损耗增大,MOS管GS存在隐患。
驱动电压正常是方波,效果最佳。
驱动电压不足,波形会先上冲,然后曲线下降到一个值。
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| | | | | | | | | | | 这样的改善,估计可以很好改善EMI啊;楼主有原始资料吗,传上来看看把,谢谢!
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| | | | | | | | | 对于MOS来说正负压驱动是有助于提高其开关速,降低过渡损耗。如果+15V开通,反向负压不需要-15V,太快关断对MOS本身也不好。 |
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| | | | | | | | | | | MOS驱动为什么有负压的时候比较好呢。+15V----0V和-15V----+15V比较,后者更快么? |
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| | | | | | | | | | | | | 如hwx-555所说,正负15只是一个区间,负压不需要太大,这个和驱动芯片相关。从拓扑结构来讲,单端反激直接驱动;双端反激,驱动变压器前一半也会做削波处理,单正也是直驱,双正小功率直接用驱动变压器驱动,大功率加扩流芯片经变压器驱动。但是如果你选用的是IGBT,那么负压就是必须的了。
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| | | | | | | 这是截取 STF11NM80 MOS管PDF文档里的数据
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STF11NM80 MOS
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| | | | | | | | | 功率MOSFET,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,栅极驱动器的负载能力必须足够大,以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。 实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算。 QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下: QG = QGS + QGD + QOD 其中: QG--总的栅极电荷 QGS--栅极-源极电荷 QGD--栅极-漏极电荷(Miller) QOD--Miller电容充满后的过充电荷
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| | | | | | | | | | | 典型的MOSFET曲线如图所示,可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高。栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通),用公式表示如下: QG = (CEI)(VGS) IG = QG/T导通 =QG*f (MOS管所需要的驱动电流就计算出来了) 其中: ● QG 总栅极电荷,定义同上。 ● CEI 等效栅极电容 ● VGS 删-源极间电压 ● IG 使MOSFET在规定时间内导通所需栅极驱动电流
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MOS栅极充电过程
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大家一起学习进步,欢迎探讨,我会把以前一些好的文档资料陆续上传上来.
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| | | | | | | 开关电源常用器件,降额裕度表
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元器件降额表.pdf
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元器件降额表
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| | | | | 又拜读了一遍,可能是现在的水平较第一次读略有提升,感触更多了。再次感谢 |
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