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未解决

【问】反激拓扑如何让效率做的更加高,体积做的更小?

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vbnm1477
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LV3
助理工程师
  • 2018-8-28 16:22:35
10问答币
比如,提高开关频率,优缺点:主牛的体积可以更加小,但是主MOSFT.磁性损耗会增大,EMI有变难,如何规避这些问题,现在各位的开关频率做到了多大?
比如,不用RCD吸收效率,把吸收线路的损耗利用起来,才用有源嵌位,优缺点又有什么?
比如大家用QR反激励,MOSFET的开通损耗会降低,又会带来什么不利因素在调试中。
欢迎大家指点和探讨。
世纪电源网-九天
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超级版主
  • 2018-8-28 16:40:28
  • 倒数8
 
帮您改了一下格式~欢迎技术交流~!
Coming.Lu
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版主
  • 2018-8-28 18:50:37
  • 倒数7
 
这些东西要自己体会。
每个人的着重点不一样,看法也都不一样。
vbnm1477
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LV3
助理工程师
  • 2018-8-29 14:32:32
  • 倒数6
 
你的话是对的。但是对于追求更高的效率,更高的功率密度是研发的终极目标。对于以前的定频65K,已经是很老的技术咯。希望大家说说,不管案子是否成功,起码有一些方面是经验积累,好给后人乘凉,或一起想办法看是否能解决带来的阻碍。
Coming.Lu
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版主
  • 2018-8-29 18:41:27
  • 倒数5
 
去看看各大公司是怎么走吧。
比如某某公司出了颗什么IC,那就是方向。
或者直接看同行做得比较小体积的,人家是怎么做的。
比如,VICOR 的电源,看看人家怎么做。
xgnl520
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LV3
助理工程师
  • 2018-9-26 10:38:32
  • 倒数4
 
在之前公司做了一个 从PFC取电,400V转13.8  90K hz,副边同步整流 效率91,原本用TVC加rc吸收。不算高 但应该算凑合了吧?
mingchristian
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LV8
副总工程师
  • 2018-9-27 08:29:12
  • 倒数3
 
你掌握了你问题的答案,你就掌握了行业发展前进的命脉
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2018-9-27 15:26:55
  • 倒数2
 
不计成本,单纯追求体积小,频率干到500kHz以上用3F4磁材平面变压器和GaN。
vbnm1477
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LV3
助理工程师
最新回复
  • 2021-12-4 08:28:51
  • 倒数1
 
这几年GaN很火啊,平板变压器也用的多,避开空间距离,灌入导热胶,EMI器件减小,很多产品密度好高。
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