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| | | | | | | 国产的英集芯么?他们的方案是反激+BUCK,就是反激输出24V固定的,然后按照手机电压电流需求,用BUCK实现恒压恒流。
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| | | | | | | | | 用BUCK 电路实现是否会有以下问题:
1- 成本会不会比较高。
2-动态应该很难做到很好。
3-效率和温度怎么样?
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| | | | | | | | | | | 我记得在哪本书上看过,buck电路,动态是最好的。
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| | | | | | | | | | | | | 你说的没错!反激,boost都有右半平面零点,环路带宽不易做高。buck没有此问题。 CPU等动态大的负载都是用buck供电。 |
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| | | | | | | 应该是英飞凌的方案,挺贵的,你可以去网上找拆解看看,希望能帮到你
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| | | | | | | | | 苏州东微MOS目前在国内各类电源厂商中大批使用,性能在充电桩模块、通讯电源、白/黑家电、医疗电源、PD快充、LED等多行业中得到一致好评,具体请联系深圳市鑫驰创科技有限公司,0755-82791456。谢谢!
东微的竞品是英飞凌、ST等国际一线MOS品牌厂商,CooL MOS,目前在PD快充行业,很多客户使用东微超级硅产品,性价比非常好。刚在华为、O\V、小米等知名客户通过认证,进入代工厂商的MOS品牌供应序列。
如有东微MOS需求、咨询,请联系深圳市鑫驰创科技有限公司,0755-82791456。谢谢!
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| | | | | 楼主,请问你这个电源的效率是多少呢?输入电容是多大的呢?
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| | | | | | | 用了4只18uF/400V的电解电容并联,主要是受体积限制无法继续增加容量
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| | | | | | | 采用正激+反激供电的方式 没看明白, 另外输出电容用固态电容时相对电解电容如何选 取,能讲下你的经验吗?谢谢!
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| | | | | | | | | 这个简单,因为输出电压3.3V-20V调节,辅助绕组电压=(Vout/NS)*Naux,容易烧坏IC,所以辅助绕组可以用2个线圈,正激+反激 |
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| | | | | | | | | 输出电容选择有一个很宽的范围,不是计算出来的,是根据客户需求,比如客户需要纹波100mV以内,调节输出电容容量满足即可
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | 1)增加米勒电容10pF~22PF,可以改善因dI/dt造成的EMI问题,修改栅极驱动电阻可以改善因dV/dt造成的EMI问题
这个怎么理解?
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| | | | | | | 增加米勒电容会增加米勒平台时间,电流上升率和下降率相对减小,就是所谓的改变di/dt.
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | | | |
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| | | | | | | | | | | 几乎不变!改变栅极电阻会改变MOS管开启时间,对米勒平台的宽度影响很小
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| | | | | | | | | | | | | 加组USB5V2.4A输出有没有可行吗,PD改30W,总功率42W,
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| | | | | | | | | | | | | | | 做不到的~~,C口调整电压5V,9V,15V,20V,A口做要一直稳定在5V,这个方案实现不了。
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| | | | | | | | | | | | | 这个观点是不对的,栅极电阻即会影响MOS的开启时间也会影响米勒平台时间;而增加米勒电容对di/dt没有影响,受影响的是dv/dt,你的说法刚好反了 |
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| | | | | 楼主,请教个问题。
最近做了款PD45电源,输入230V发现5V输出次级尖峰很高有100左右,9V/12V/15V/20V都没有尖峰,这是要调什么参数合适?谢谢
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| | | | | | | | | 37:6,感量是500UF,刚测试了PD5V3A+USB5V2.4A峰值110V左右,单独PD5V3A是峰值80V左右,调了下吸收没有改善,准备得新算变压器
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| | | | | | | | | | | | | 楼主
也问一些朋友,匝比跟感量也没有很大问题,要怎样调整呢?谢谢
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| | | | | | | 东微MOS目前在国内各类电源厂商中大批使用,性能在充电桩模块、通讯电源、白/黑家电、医疗电源、PD快充、LED等多行业中得到一致好评,具体请联系深圳市鑫驰创科技有限公司,0755-82791456。谢谢!
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| | | | | | | ”初级33匝(0.1mm*20三层绝缘线绕),次级5匝(0.25mm*15三层绝缘线绕),初级感量430uH,磁芯:RM10。三明治结构“
版主,初级是0.1mm*20 TIW,确定是20股吗? 还有次级0.25mm*15 也是15股吗? 看你的变压器次级也不像是15股的样子,还请再次确认下?
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| | | | | | | 真的复杂VCC,不知道现在有VCC做到80V了,太复杂了。VCC电阻关断还要用外围电路,日,一般人用不起IW的。不能集成吧,这样去推广,不会工厂怼的无言以对。
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| | | | | | | | | iwatt的方案在业界是非常低的,这也是其市场保有量的一个重要影响因素,如果觉得麻烦,说明你还没有完全吃透方案。。。
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| | | | | | | 可以给出具体例子么?比如哪款充电器用的贵司那款型号?
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| | | | | | | | | 国产GANFET和超级硅MOSFET 性能优越,欢迎联系方案设计和销售商19812011928
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| | | | | | | 能否发一份资料lizhiyou2011@163.com
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| | | | | 请教楼主现在的快充一般用单级反激还是APFC+反激?
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