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| | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | 闭环之前,变压器不符合伏秒平衡,你测原边电流也会很大的,变压器漏感大,吸收弱就会造成这个问题,想简单更改就是在RCD吸收的的R上并联一个TVS,正常工作TVS不起作用,只有开机瞬间吸收过高尖峰。
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | 100%有效。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | 加大MOS管驱动电阻,比如加到到100欧姆左右试试。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 加了100R 也没用 尖峰电压还是一样的 估计要整变压器了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 版主您好!
1 变压器原边330UH 副边90UH 批量漏感3%-5%(我连续测了50个变压器)。
2 驱动电阻我也调试了,加大到200R也没用。
3 启动的电流我也测试了,并没有饱和现象。
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| | | | | | | 您好,想请教下,这个TVS的选型要注意点什么?谢谢 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | 耐压高于反射电压,留一定余量,同时耐压+输入电压峰值要低于MOS管额定电压也留一定余量。
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| | | | | | | | | | | 版主您好!请问反射电压取多大合适呢?以前用650V的管子,有批量生产时老化直接炸机情况,现在用的是800V的管子。没有出现炸管情况,但800V的管子价格贵很多,想降低一些成本。
输出电压是42-48V 整机功率120W-150W。
感谢回复!
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | 是老化过程中炸鸡还是开机过程中炸?如果是开机过程中炸,那就要考虑楼主这样的问题,
如果是老化过程中炸,那反射电压取多少合适,需要结合你的尖峰电压来说,比如你要用650V,最高直流输入400V,那么留50V管子余量,再最恶劣条件下,反射电压+尖峰电压就不能超过200V。反射电压取多少,就取决于你的尖峰电压能控制再多少。
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| | | | | | | 版主 ,请教下问题,关于这个启动的Vds尖峰,我发现在启动时和重载时是差不多的,再比如做短路保护的时候。这个尖峰加缓启动解决不了根本问题?
最近在测试发现启动和重载时都到了300V的尖峰了 ,加上输入电压和反射电压就700V了 600V的MOS竟然没炸鸡
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | 1、你所谓的缓启动是哪里的缓启动,是占空比慢慢展开的缓启动吗?
2、你将示波器的带宽限制打开,也许尖峰就不会那么高了,有些可能是测试的问题。
3、不是说尖峰超过耐压就坏,还是要看能量的。
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| | | | | 从起机波形可以看出,至少有两个问题:
1. 没有软启动。
2. 初级MOSFET电流非常大,估计磁芯有饱和。巨大的电流对应产生的漏感能量产生极大的尖峰电压。
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| | | | | | | | | 没波形只能猜:
1. 变压器漏感大。
2. PCB布局,次级绕组,肖特基整流管,滤波电容组成的电流回路太长。
3. 初级MOSFET导通速度太快。
4. 次级肖特基吸收电路参数不好。
5. 初级没软启动。
。。。
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| | | | | 楼主,目前我也遇到同样的问题,请问你最后是如何解决问题的呀,是什么原因导致的这种情况呢? |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 最新回复 | | | | |
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