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关于MOS变压器隔离宽占空比驱动

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真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-25 11:20:17
前段时间古大侠贴了个变压器隔离的驱动仿真,我这里上些实验波形一起探讨下
arronwe7
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高级工程师
  • 2011-2-25 11:36:06
 
这个主题开的好期待中!
blueskyy
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总工程师
  • 2011-2-25 13:10:40
 
waiting for ..
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-25 15:37:56
 
这是一个典型的驱动电路,但它无法适用于占空比大幅度变化的场合,即使是按固定占空来设计,当PWM输出为负且超过钳位电压(一般负压设置在-5V)的时候,稳压二极管和缓冲电阻就承受了整个toff的能量消耗,不要小看这部分损耗,他可能比有用功大多了





看看占空比变化时的波形情况





wumeiping
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副总工程师
  • 2011-2-25 16:02:17
 
真武阁制作室??
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-2-25 16:22:40
 
有什么办法可以使这种简单的驱动适应占空比大幅度变化,而输出幅值稳定呢?
把这几幅图连起来看看,可以看出不管占空比如何变化,输出摆幅Vpp是相对稳定的,即等于Vcc乘以匝比N

可见,只要把Vs锁定到下边的那条黄线就可以使输出幅值不受占空比影响,but,how to do?
蒋江黔
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版主
  • 2012-9-27 17:49:01
 
晶体管电视机的视放部份, 有一个电路叫直流钳位的, 可以解决这个问题
tianyuandifang1980
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助理工程师
  • 2015-1-30 14:23:04
 
不错,很详细,贴一些仿真的图更好。
能源消耗
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总工程师
  • 2015-8-14 17:12:00
 
就你这个驱动电路,看不出负压5V在那里,别误导新人子弟,有负半波之说,没有负压的存在,这个典型电路可以用在宽变化的占空比的应用.占空比越宽,驱动电流(能量)就要越大,这是肯定的,这有什么好讨论的呢?一点意义都没有..大家都知道驱动变压器后面波形都有开通和关闭的速度不理想.如果探讨后级加速电路才有真正的意义.整个电路能设计出即不损耗又能波形加速整型那才是有技术有水平.
q610860616
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高级工程师
  • 2020-9-23 11:56:42
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今年是2020年,回头看你的这个回复 感觉你很幼稚。你应该是没做过这种隔离驱动。难道你不知道驱动变压器输出不做任何处理的时候,输出总幅度不变,但是输出中点电位随占空比变化吗? 占空比越大,中点电位越高,正半周幅度越低。
真武阁
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副总工程师
  • 2020-9-23 18:43:47
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你都知道有负半波了还怀疑没有负压,难道变压器在负半周出来的居然是正压?
别说你有没有做过变压器隔离驱动,连工频变压器我猜你都没摸过
gaohq
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总工程师
  • 2011-2-28 18:32:14
 
负压是指G极到S极的电压吗?
麻烦先讲一下这个负压是怎么产生的好吗?
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-28 20:50:00
 
(第1个图)原边是一个图腾柱(或称推挽)驱动器,隔直电容(或称耦合电容)把Vcc 分成一个正电源和一个负电源(以隔直电容和变压器交点处为0参考),这种单电源的推挽使驱动变压器副边得到一个正和负(G-S)的驱动信号,根据秒伏积平衡,Vton*ton=-Vtoff*toff,举个例说,Vcc=10v,变压器匝比1:1,在占空比为50%,时,副边输出为+5V和-5V,占空比10%时输出+1V和-9V,占空比20%时输出+2V和-8V....依此类推(看2-4图)
gaohq
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总工程师
  • 2011-3-1 18:15:04
 
明白了,谢谢耐心讲解!

又想了下,我觉得应该是占空比10%时+9V和-1V,占空比20%时+8V和-2V,才对
不知对否?
真武阁
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副总工程师
  • 2011-3-2 09:01:18
 
是这样,我上面说反了
zhangzhanglili
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助理工程师
  • 2011-3-9 19:30:35
 
大哥这么不继续了啊???
lan_0216
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本网技师
  • 2012-9-4 10:52:01
 
能及时醒悟还是好孩纸,MOS交流群QQ:212540350,可以加一下
能源消耗
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总工程师
  • 2015-8-14 17:14:54
 
你别误言.纸上谈兵会误道你的.
liu100149
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高级工程师
  • 2011-9-22 23:23:27
 

绿色是3525的输出波形,黄色的是三极管Q3和Q4的BE波形,为什么Q3和Q4的BE是这样的波形呢优其是红色圈起的地方,是什么原因导致的。高工
真武阁
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副总工程师
  • 2013-6-25 20:48:18
 
看样子好像是谐振了,调整c2c3看看
chenyu2010221
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高级工程师
  • 2014-5-14 17:20:14
 
chenyu2010221
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高级工程师
  • 2014-5-14 17:26:09
 
有一事不明,比如Vcc=10v,占空比为10%,那么输出+1v和-9v,那么+1v如何驱动MOS或IGBT呢??
520_520
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本网技师
  • 2011-3-28 17:35:04
 
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ymshine
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助理工程师
  • 2011-7-29 20:42:03
 
您好!我问一下,我的控制频率在5-10KHz,那这个变压器怎么设计呢?有没有现成的买?变压器的电感量要多少?谢谢了
zdy154
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本网技师
  • 2011-8-4 10:57:53
 
能源消耗
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总工程师
  • 2020-9-24 15:33:32
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终于有人说到点子上了。我一贯反对在MOS   的GS上并个稳压管。 这时上一代电源工程师一贯的传统做法。不是不可以,照样用。简单的次级驱动还可以做复位作用。
与时共进,过去的电源频率不高,受器件限制,现在电源都高级许多,简单驱动应该改进,不然怎么进步哪?
其实隔离驱动只要在驱动源稳压,输出就不会高出驱动源的VCC, 隔离变压器1:1 做法是最好的提高功效。 加速一下。就没有必要再放稳压管了。
lisa
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助理工程师
  • 2011-2-25 16:05:07
 
占个位
Merssi
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  • 2011-2-28 10:46:09
 
占位学习
leap2004
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初级工程师
  • 2011-2-25 16:05:09
 
这种驱动有局限性的。太完美了,别人昂贵的驱动IC怎么会有市场!
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-25 16:26:21
 
今晚我再说说如何打破这个局限性,而不必再苦苦追求那些“昂贵的驱动IC”
先贴张92%占空的看看,负载是10n电容,缓冲电阻5Ω,变压器匝比1:1,原边4427供电Vcc=14.5v;,示波器5v/格。由于信号发生器的最高频率只有50k,将就着看咯

yidasheng
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初级工程师
  • 2011-2-25 16:42:14
 
可以用专用MOS管驱动IC,如IR2125等
YTDFWANGWEI
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  • 2011-2-25 16:49:15
 
等你的好消息咯,看看跟原来的方法有什么根本上的区别。
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-25 20:03:13
 
对这个内容感兴趣的似乎不多。。。。。。噢忘了,今天是周末
st.you
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总工程师
  • 2011-2-25 22:25:16
 
https://bbs.dianyuan.com/topic/630282
感兴趣的大有人在啊
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-25 23:31:21
 
既然有性趣,那就继续.....
先来个题外话:开始做PFC的时候,一直对这个C6的用途懵懵然
YTDFWANGWEI
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  • 2011-2-26 15:30:14
 
电感副边左负右正的时候,副边绕组通过D2给C6充电,C6左正右负,当绕组反相时,绕组电压及电容电压一起通过D3整流,保证不同占空比情况下,D3整流输出电压基本不变。大家好像说这个是电源泵,也类似倍压整流。
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-27 17:32:25
 
差不多就是这个意思,就是使输出不受占空比影响,所以得到了下面这个电路:也就是把VS锁定到下边的那条黄线
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-27 17:45:04
 
这个电路至少解决了3个问题:
1:不管占空比如何变化,输出幅值基本不变;
2:“净电压”得到充分利用,不需要的负压在这里是被电容垫高了,而不是被消灭掉,所以没有额外的损耗;
3:变压器只需1:1的匝比,就可以使输出端得到和Vcc一样的电压幅值。
但这简单的增加一个二极管和电容的电路仍不够很实用。
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-27 18:27:56
 
一般MOS需要开通慢一些,而关断得尽量快,常用的办法是增加一个二极管和一个三极管,另外我们还想保留一些负压用于快速关断和抗干扰,于是电路就变成这样:
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-27 18:32:46
 

有趣的是去掉二极管效果也是一样的
gaohq
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  • 2011-3-1 20:11:49
 
稳压管的作用是什么呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2011-3-1 21:36:50
 
虽然还没有完全理解这个电路的工作原理,但觉得稳压管应该是关断的时候提供负压的吧。
blueskyy
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总工程师
  • 2011-3-1 22:09:33
 
应该是降三极管Vec压降的,避免功率损坏~
gaohq
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总工程师
  • 2011-3-2 08:31:41
 
我试分析一下看对不对
当变压器副边上负下正时,Vs(变压器副边电压)通过稳压管的阴极到阳极给电容充电,充电电压等于Vs-Vzd(稳压管压降),当变压器副边上正下负时,Vs+(Vs-Vzd)一起加到开关管的G极,这个稳压管就是调节开关管G极电压的。
当然在变压器副边上负下正时三极管也导通了,快速泄放了开关管Cgs上的电荷加速开关管的关断,但这个泄放电流又是从稳压管的阳极到阴极的。
哈哈,我还是很模糊。
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-2 09:16:48
 
稳压管的作用是把Vs稍微靠向负一些,但要Voff大于Vz(也就是说占空比不是很小的时候),稳压管2端的的电压才会稳定在VZ(注意,和他并联的那个电容不要省略了),上面说了在Toff提供一个负压主要是为了在大电流应用上起到抗干扰的作用,小电流应用可以不要这个负压(即使没有这个稳压管,在驱动信号的下降沿仍然看到有一个负的尖峰
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-2 09:25:52
 
没有稳压管(连同和他并联的那个电容)波形是这样的
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-7 11:01:43
 
这个是600W镇流器的实际驱动波形,在电流换向时会有一些震荡,适量的负压可以避免这些震荡导致MOS误开通
能源消耗
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总工程师
  • 2014-10-17 12:07:46
 
你这波形带上MOS管了吗?如果没有带上的话,就不咋的。
用你这个电路还有可以改进的地方,带上46N60管后,波形上沿做到200-300nS(可调节),下沿50-70nS。与你电路有点区别,大致一样。
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2014-10-24 11:34:59
 
这个是带STW45NM50的实测波形
gaohq
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LV10
总工程师
  • 2011-3-4 17:33:26
 
我很疑惑,如下图中当变压器副边上端是负压时那个电容的充电(左负右正)路径是哪?

真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-7 11:30:45
 
当变压器副边上端是负压时,Vg放电电流首先流经三极管的基极,三极管获得偏置迅速导通,然后放电回路经由稳压二极管(和它并联的电容)
linhua
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LV1
本网技工
  • 2015-10-26 21:44:46
 
阁主,仔细看了你的帖子,看到有人提出:在原边断开信号后,副边仍会有几个周期的高电平,这会导致MOS误导通。请问您实际电路有这样的情况吗?是什么原因造成的?由于此前做光耦隔离驱动的时候碰到误导通的情况,所以这次学习时,对这个问题比较敏感,烦请您解答一下。
erzhu2007
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2021-1-20 14:52:40
  • 倒数1
 
楼主,稳压管是几伏的?
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2014-10-24 12:07:55
 
这个电路有不同的接法,原理是一样,还有更复杂结构的,但是波形非常完美,
木木很-shy
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LV8
副总工程师
  • 2015-11-14 14:52:35
 
请问gaohq:小弟看到这个图也不清楚变压器副边上端的电容是如何充上电的,不知您现在清楚否,可否给讲解一下。。。谢谢您
zhengyunag
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本网技师
  • 2011-9-23 23:17:07
 
和稳压管并联的电容有什么作用?一般取值为多少?
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2014-10-24 12:05:37
 
电容的作用是,在负半波出现时,电动势下为正,电容2端电压不突变,三极管的发射极就被钳位在中点线上,那么只有存储在MOS管的Vgs被快数释放到中点线的电位,这样三极管就不会把正半波的的能量拉到负半波,就不损耗驱动负半波的能量,只是消隐了负半波形。
稳压管的作用是钳位电容两端的电压幅度,也就是钳位负半波的负压留多少?
zhaoyan5656
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本网技师
  • 2013-3-29 09:40:11
 
我仿真了一下,当变压器原边控制信号突然关断时,Vg还会维持几个周期的高电压,这会使得mosfet误导通。那该怎么解决这个问题。
wanderway
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本网技师
  • 2013-4-13 16:15:23
 
我现在实际电路出现的可能就是这个问题,苦于无法消除
erzhu2007
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高级工程师
  • 2021-1-20 14:51:26
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稳压管几伏的?
blueskyy
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  • 2011-2-28 11:10:20
 
请教一个问题:MOS 慢开快关的好处是?谢谢
(以前也问这个问题,没有得到很好的理解~)
真武阁
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  • 2011-2-28 15:06:40
 
慢开快关这个是一个共识的的问题了吧,和EMI的纠结。
理论上开关速度都是越快越好,尽可能减小开关过程中电流和电压的交叠时间(损耗)但过大的dv/dt di/dt,会恶化EMI,所以在速度上要有个度。对于在DCM或CRM,由于MOS在开通时刻,电流是从0开始上升的,开得慢一些,不会导致过多的额外损耗,但有利于EMI;而在关闭时刻,电流从最大往下降,如果关断太慢,损耗是相当可观的,关断多是靠吸收(有损或无损)来改善电压电流的交叠,和改善EMI
blueskyy
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  • 2011-2-28 15:12:53
 
我再琢磨一下,谢谢~
真武阁
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  • 2011-3-1 09:06:23
 
在高频(比如说200Kz),有无加速三极管,驱动信号的下降沿区别尤为明显
谁能说说那个负尖峰是怎么回事?



blueskyy
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总工程师
  • 2011-3-1 09:21:38
 
驱动1-->0也是阶跃激励,负向时阻尼小,故出现下将沿过冲震铃~
blueskyy
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总工程师
  • 2011-3-1 16:16:29
 
回34楼:对此说法,给点意见呀?呵呵~
真武阁
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  • 2011-3-1 16:34:10
 
但这个能量从哪来?漏感?
blueskyy
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总工程师
  • 2011-3-1 16:42:09
 
这个和能量没有关系,是电路的结构决定的。
暂态模态是电路结构(或者说传递函数)自身的极点产生的~
allen-leon
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  • 2011-3-2 13:59:11
 
感觉blueskyy的发言很高深,看不懂啊。。
blueskyy
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总工程师
  • 2011-3-1 16:51:39
 
或许我没有真正领悟你问的意思,
但这个能量从哪来?漏感?
你问的是哪个能量?下将沿的震荡能量?如果是的话,请参照上楼。
真武阁
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  • 2011-3-1 17:57:15
 
哦,我对传递函数不熟,我以为存在振荡那必须要有能量消耗
之前只用二极管时,也发现了这个振荡,而且越是慢的二极管(蔽日1N4007)尖峰幅度越大
但这次用二极管,却没振荡了
blueskyy
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  • 2011-3-1 19:22:29
 
下降沿是在放电回路中,放电回路不是从三极管的么?二极管是充电回路呀~
zkybuaa
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  • 2011-3-24 10:43:10
 
老兄在驱动电路方面造诣很深,受教了~
此电路也是一个老电路了,基本原理在老的电视机的高压电源中有过应用。
最大的优点就是能够将宽范围的占空比,不降幅的传递到副边。
副边的电容以及PNP三极管内部的集电极和基极之间的PN结,起了关键作用。
去掉三极管,不仅不可以快速关断,也无法实现不损幅的占空比传递。
ddt0517
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本网技师
  • 2017-4-8 00:30:13
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终于找到了了,感谢啊!
zkybuaa
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副总工程师
  • 2011-3-24 10:45:09
 
至于下降沿的这个震荡,在实际中,我也遇到过这个问题。
我觉得是pnp三极管造成的,跟漏感关系不大。
blueskyy
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总工程师
  • 2011-3-24 10:49:42
 
我也是这样认为的,PNP导通后其内阻很小,阻尼就减弱了~
zkybuaa
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副总工程师
  • 2011-3-24 10:53:04
 
我不是这个意思。
我的意思是,可能是PNP内部载流子存储效应造成的反向恢复造成的。
我实际中用的电路,对这个电路作了改动,有漏感吸收电路,同样也有下降沿的这个震荡。
allen-leon
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  • 2011-3-2 14:09:07
 
蓝天兄,好似喜欢从自动控制的角度来分析?
如果能够从电路的物理实质出发就太棒了。。
blueskyy
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总工程师
  • 2011-3-2 14:36:21
 
自动控制也好,电路的物理实质也好,最后都归结为数学~
有些现象从物理概念上讲,的确说不清楚,但数学上却很清楚地看到这个物理现象的必然性~
二手电工
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高级工程师
  • 2011-6-25 08:13:53
 
这个说法很同意,不过感觉应该解释的更清楚些方便理解
由于MOSFET的输入电容Ciss以及源级寄生电感Ls的存在,当驱动1->0,我们从0开始时刻看的话,那么驱动的部分就有三个元件,Ciss, Ls, 以及PNP的导通内阻Ri(很小),并且Ciss是具有初值的,可以认为是零输入响应,这时候Ri很小会导致阻尼系数小,所以下降沿会出现频率为 sqrt(Ciss*Ls)的过冲振铃
方舟134340
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本网技师
  • 2013-7-25 23:21:55
 
厉害,是阻尼不同了
xiaozhi
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高级工程师
  • 2012-8-8 11:24:55
 
楼主,有没有办法解决这个电路,输入驱动电压的占空比突然减小,输出驱动电压抬升的问题啊?
niyiban
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高级工程师
  • 2013-1-18 10:53:53
 
分析得很经典

赞一个,学习了
YTDFWANGWEI
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  • 2011-2-27 17:57:38
 
论坛有很多类似改进型驱动电路的帖子,不知道楼主的又什么独到之处。
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-27 18:37:40
 
我的改进没有什么特别之处也许和论坛的一些有重复吧,就当是温故而知新
看看波形
真武阁
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  • 2011-2-27 18:46:41
 








真武阁
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  • 2011-2-27 18:52:06
 






真武阁
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  • 2011-2-28 15:22:30
 
到99%抗不住了
渔舟唱晚
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  • 2011-2-28 17:17:24
 
95%时就扛不住了
真武阁
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副总工程师
  • 2011-2-28 17:47:29
 
97%都还可以,这里VCC14.5V,负压3.3V,理论上有11V驱动输出,从波形看到97%都还有10V,波动不是很大,把Vcc提高到16V,基本可以满足2%-97%的占空比变化
lizlk
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  • 2011-3-1 16:10:32
 
不错,到了97还可以的。楼主用的什么磁芯元件做的变压器呢?拍出来看看。
已经非常实用了。不知道将4427用图腾替代之后,波形是不是还这么漂亮呢?
真武阁
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副总工程师
  • 2011-3-1 17:34:00
 
磁芯没有什么要求,这里用的是EE16,0.5三重线双线并绕,电感量300uH左右
用bjt做图腾柱的话,可能会损失一些电压,需要把Vcc抬高2V左右
lizlk
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  • 2011-3-3 12:29:56
 
嗯,多谢武兄!
变压器做的漂亮啊!这个实际电路是按照21楼的上面那个电路还是下面那个电路呢?板子上的好像是B227之类的三极管还是什么呢?
变压器0.5三重线双线并绕是什么意思呢?是不是0.5的线2条并绕啊,绕了多少圈呢,我很想去实际验证一下。不知道电感量高了会有什么问题不?
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-3 14:40:55
 
21楼下面那个电路,三极管是B772
“0.5三重线双线并绕”是用0.5的三重绝缘线双线并绕,变压器是定做的,15匝左右,我的工作频率在100k以上,所以电感量用得小一些。。。。。。电感量太大的话,漏感也会跟着大
cdzx11
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总工程师
  • 2011-3-3 14:55:14
 
我来做的话,多半会用磁环。用磁环可以得到更小的漏感,波形更容易做的漂亮^_^
lizlk
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版主
  • 2011-3-4 09:20:33
 
磁环是可以的,可是这个磁环用什么材质的呢?如何选的啊?
lizlk
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  • 2011-3-4 09:20:01
 
彻底明白了,谢谢武兄!
tmsdxm001
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助理工程师
  • 2011-5-4 12:04:56
 
学习啦
xiaozhi
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高级工程师
  • 2011-7-6 15:47:32
 
但是这种结构的驱动,在输入占空比突变的情况下,比如占空比突然由大变小的时候,输出电压会突然抬升,这个没办法解决吧
http://www.21dianyuan.com/bbs/37065.html
方舟134340
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本网技师
  • 2013-7-25 12:04:05
 
试过这个电路,貌似不行,MOS管的关断太慢了
lgdyl1983
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-1 16:52:07
 
图中D3作用是?是防止开机瞬间,电流过大引起磁饱和吗?
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-1 17:42:03
 
可能是为了开机瞬间由D3对大电解充电而不是由D1,因为D1的耐电流冲击能力相对较差,而IC启动延时一般会比大电解充电时间长一些,所以“开机瞬间,电流过大引起磁饱和”一般不会导致严重后果
YTDFWANGWEI
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  • 2011-3-2 20:35:14
 
1、D1的抗冲击能力不一定比D3差吧?
2、开机瞬间的电流饱和不是IC开始工作,而是交流电上电瞬间。(我记得好像是跟输入电压的相位有关,但我忘了应该怎么解释了,呵呵)
3、还有一个优点,记得是哪位版主提到的,对于尖峰冲击信号,可以通过D3直接注入点解,由电解吸收,而不会对输入的其他部件造成损坏。
好像是这样的,不知道记得是否有错误,欢迎指正。
allen-leon
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  • 2011-3-2 20:46:58
 
我也是这样理解。。
但有人移除了D3,实际应用中。。
YTDFWANGWEI
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  • 2011-3-2 21:08:42
 
hehe,俺做的时候也没用到D3,不过当时不了解这些,以后再做会记的加的。
真武阁
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副总工程师
  • 2011-3-2 22:06:54
 
D1的抗冲击能力肯定比D3差

这还是那5A的去比3A的,同VA等级的高速管和普通整流管比,这个值相差更大
YTDFWANGWEI
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  • 2011-3-2 22:22:35
 
呵呵,我没注意参数,如果是KW级别的PFC电路呢?这个位置二级管的作用肯定不是那么简单。
allen-leon
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  • 2011-3-3 13:08:32
 
不同的设计,
D1有可能用8A 600V的。。
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-4 15:04:31
 
大功率一般都是CCM啦,D1要用超快或0恢复的管子了,而二极管越是快速,耐冲击能力越脆弱,10A600v的管子甚至不如3A的普通整流管

jafck
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  • 2013-3-4 19:11:20
 
D3 似乎是续流作用。
能源消耗
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总工程师
  • 2020-9-24 15:42:53
  • 倒数3
 
想多了,没有必要讨论D3对电容的冲击承受。
leopold_qu
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助理工程师
  • 2014-6-21 12:14:15
 
你好,你的上贴中有提到,驱动变压器要考虑电感,电阻,圈数,这些
请问这个电阻考虑起什么作用。这个电阻要在变压器中怎么来设计达到要求了?
蓝蓝的天
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高级工程师
  • 2011-2-25 20:26:50
 
92?
真的不错啊
ruan5058
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高级工程师
  • 2011-4-28 14:50:06
 
有图片 有实例 有讲解
这个帖子太好啦
必须 顶
dxb0469
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  • 2011-2-26 10:45:24
 
关注
Tyrone
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  • 2011-3-1 16:52:32
 
先留个脚印
allen-leon
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  • 2011-3-2 14:06:43
 
http://www.21dianyuan.com/bbs/bbshome/topic.php?action=show_topic_tree&topic_id=30559
古大侠的对策。。上次疑问发贴


基本上可以这样子。。
gaohq
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  • 2011-3-9 20:01:37
 
恕我愚钝

YTDFWANGWEI
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  • 2011-3-10 08:54:08
 
1、楼上的公式是有错误的,VC2应该改成VC4
2、第三个公式不是推倒出来的,Vg=Vdd-Vc3+Vc4是从原理直接得到的,将前面两个Vc3=D.Vdd及Vc4=D.Vg代入公式可以推导出结果。
gaohq
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  • 2011-3-10 12:22:05
 
谢谢!
我不明白 Vg=Vdd-Vc3+Vc4 这个式子
Vdd-Vc3 是变压器副边电压我知道,怎么还要加个Vc4呢? Vc4上的电压是左负右正,这个电压是通过什么路径充上去的呢?56楼图中是通过D2,那87楼图中是通过什么路径呢?
YTDFWANGWEI
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  • 2011-3-10 12:53:15
 
说实在的,我也没看懂87楼是怎么充电的,我以为你问前面公式是如何推倒的呢。呵呵。
gaohq
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  • 2011-3-10 16:42:01
 
哈哈,原来不止我一个人没搞明白啊,我们期待楼主来谈谈。
zkybuaa
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  • 2011-3-24 11:07:00
 
王工现在应该明白怎么充电了的吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2011-3-24 11:38:59
 
说实在的,第一遍看这个帖子,不知道怎么充电的,等我看完另一个帖子我自己贴的那个图,我突然知道怎么充电的了。
zkybuaa
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  • 2011-3-24 11:43:20
 
我也是看到你那个图,才想到的。
allen-leon
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  • 2011-3-24 11:59:45
 
究竟你们说的是那个图啊。。
gaohq
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  • 2011-3-24 12:16:46
 
是怎么充电的呢?
switchp
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  • 2015-6-19 13:27:04
 
是不是利用的三极管集电极到基极的PN节?
雁过留痕
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  • 2011-9-16 17:31:51
 
56L中图二极管D2的作用?配合驱动变压器副边的电容升压?
YTDFWANGWEI
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  • 2011-9-16 20:29:45
 
应该是的。
allen-leon
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  • 2011-3-2 17:00:00
 
真武阁
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  • 2011-3-2 18:02:09
 
要完全去除负压,可以这样

波形见54楼(1uS/格;5V/格)
allen-leon
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  • 2011-3-2 18:21:05
 
改天试试看。。。
allen-leon
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  • 2011-3-4 10:23:15
 
关机时驱动波形如何变化?
是否有实际工作波形图?
真武阁
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  • 2011-3-4 15:13:51
 
有关断三极管的驱动关机是不会有问题
无关断三极管(17楼),关机(PWM突然中断)时,被电容垫高的电压没有关断回路,只能靠G-S间的泄放电阻放电,由于这个电阻取值往往很大,所以....
17楼的图只是想说明一下原理,无实际应用意义
allen-leon
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  • 2011-3-4 16:54:50
 
所以关机瞬间有可能炸鸡翅。
真武阁
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  • 2011-3-4 17:18:15
 
如果是半桥的话可能会炸,但我试过把泄放电阻用到数k,也没事
不过即使是软开关拓扑,也是希望MOS的关断尽量快,所以三极管是必不可少的
gaohq
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  • 2011-3-4 17:05:56
 
被电容垫高的电压没有关断回路
-------------------------------------------
你这里所说的电容是哪一个电容呢?
真武阁
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  • 2011-3-4 17:21:42
 
17楼边右边(即变压器副边)那个电容
wcs1281574636
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  • 2013-6-25 17:14:44
 
您好!本人是新手,目前想用此电路做变压器驱动,有几处想请教:
1. 绿色部分表示的30R的这一电阻的取值范围一般是多少?
2、关断PNP SS8550与您之前介绍的B772有什么区别吗?是否可用3906进行替换呢?
3、还有就是21楼中,与提供负压的稳压二极管并联的电容的取值范围是多少呢?
用21楼的电路图进行过仿真,用的pnp是3906。仿真时并联的那个电容值对波形的影响较为明显,容值较大时驱动脉冲波形较好。目前的主要疑问就是1和2,仿真时它们的影响未曾找出。
还望不吝赐教!
谢谢!

真武阁
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  • 2013-6-25 20:59:38
 
1,一般是数十欧
2,MOS的输入电容不大(5n以下)用8550可以了,772可以提供更大的放电电流,适合输入电容较大的MOS,3906的Ic好像只有200mA,太小了点
3,这个电容取值10n-100n,具体看实际波形
司马仲达
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  • 2014-10-6 16:47:30
 
这个图,左边的GND我想变成Vin-B,出来这个图正20V,负10V并在正5V初有很长平台,我还是想让他输出比如+12V -3V 请问怎么办?
真武阁
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  • 2014-10-13 17:30:49
 
见21楼
司马仲达
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  • 2014-10-13 20:48:53
 
左边的GND我想变成Vin-B
nanguo2206
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高级工程师
  • 2015-11-25 16:01:31
 
这样的话,需要加上之前去掉的那个二极管,否则输出驱动波形为低时可能有一个正压,降不到零。
因为不加二极管,MOSFET的Cgs通过限流电阻、 隔直电容放电,限流电阻上的压降使PNP导通,随后Cgs应通过PNP放电,流过限流电阻的电流减小,导致PNP关断。实际中,PNP几乎不会导通,导致在MOSFET关断期间,G,S之间没有一个低阻抗回路,Cgs电压降不到零。
下图,上面的波形是PNP的电流,下面的是MOSFET Vgs
QQ图片20151125155951.png
hlp330
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  • 2015-11-25 16:08:20
 
关断以后的电平比较低,不到1V的电压,不足以开通MOSFET啊
nanguo2206
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  • 2015-11-25 16:28:12
 
确实不足以开通MOS,但关断期间没有负压、也没有低阻抗回路,感觉很容易收到干扰而误触发,我也没有实际验证过是否真的如此。
我的意思是,去掉那个二极管,PNP没有作用,跟18L的电路本质是一样的。加上二极管,PNP在开关OFF期间保持导通,提供一个低阻抗回路。
hlp330
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  • 2015-11-25 17:34:08
 
你说的是哪一个二极管呢?
nanguo2206
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  • 2015-11-25 18:48:43
 
看22L第一个图,与限流电阻串联的那个二极管
hlp330
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  • 2015-11-25 19:27:45
 
这个电路和限流电阻以及三极管的基极电阻有很大的关系,如果你把限流电阻设置的稍微大一些,基极电阻设置的小一些,得到的结果应该是有没有二极管都差不多。
nanguo2206
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  • 2015-11-26 09:45:19
 
确实如你所说,限流电阻调大一些,基极电阻调小一些,栅极电容的电压可以降到零。区别在于降到零之后,三极管是不是通的,如果是通的,OFF期间的抗干扰能力会比较强。加二极管情况:上图为三极管Vbe,下图为MOSFET Vgs
1.png
不加二极管情况:上图为三极管Vbe,下图为MOSFET Vgs
2.png
hlp330
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  • 2015-11-26 09:59:06
 
从仿真的波形来看,加上二极管以后,三极管持续导通,情况确实好很多。是否可以仿真一下,在PWM关断以后,输出是否还有一段时间的高电平呢?
nanguo2206
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高级工程师
  • 2015-11-26 10:57:49
 
3.png
依次为:PWM信号,驱动信号Vgs,MOS管漏源级电压Vds。
MOS管不会导通,但是驱动信号有一个正电压,这个电压应该等于副边隔直电容的电压,如果VCC很高的话,隔直电容的电压也很高,可能会在PWM关断后依然有足够高的电压导通MOS,如下图
4.png


hlp330
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  • 2015-11-26 11:11:50
 
这个正电压和你的占空比也有很大的关系,占空比大的话,应该比较明显。前几天看到另外一个电路,你也可以看看。
163649d3yjz9rhysopj937.jpg
nanguo2206
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高级工程师
  • 2015-11-26 11:23:26
 
这个驱动电路应该从右往左看吧,驱动脉冲式PWM信号,两个MOS做level shifter,变压器输入的是0,+15V的信号,没有隔直电容,为保证磁通复位,需要复位绕组L7。副边有两路非隔离输出,不知道是用在哪的。不知道分析的对不对
hlp330
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  • 2015-11-26 11:28:35
 
是这样的,这个是变压器隔离驱动,左边为功率MOSFET,右边为驱动发出的PWM信号,可以替代你上面仿真的电路,整体功能有优化。
nanguo2206
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高级工程师
  • 2015-11-26 11:50:47
 
这个应该是属于正激式驱动电路吧,好的,谢谢分享。
cdzx11
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总工程师
  • 2011-3-2 22:10:21
 
似乎这类驱动电路似乎都有一个共同的问题:在占空比突变的适应能力比较差。
楼主的驱动电路是不是也有同样的问题呢?
真武阁
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  • 2011-3-2 22:13:06
 
仔细看23,24楼的高清组图
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2011-3-2 22:55:00
 
那里看不出来吧?
我说的是占空比变化的过渡过程。
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-2 23:18:29
 
你说的“突变”时间是指多少?
cdzx11
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总工程师
  • 2011-3-3 00:49:07
 
若干周期吧。比如负载阶跃,电源阶跃
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2011-3-3 08:58:11
 
一般的环路响应也就限制在mS级以下吧,可惜手上没有存储示波器没办法抓怕突变波形,但从原理(有关断三极管那个)上看这种驱动不存在响应慢的问题(17楼的图的确存在响应问题,但应用上是不推荐用这种)
nanguo2206
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高级工程师
  • 2015-11-26 09:58:29
 
mS级的响应速度应该是在PFC上,DC-DC要求若干个开关周期就调整过来,需要uS级。一般有uF级隔直的驱动,相应速度应该都不会太快吧,期待有人试验一下。

zhuminglu521
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  • 2015-12-8 09:43:59
 
跟着学习啦
ZAZA
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SWYQG
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好帖!
qq409034866
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  • 2011-3-23 10:40:39
 
顶起再慢慢看
ww2849
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蓝蓝的天
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  • 2011-6-30 16:03:10
 
什么时候在那个帖子里?
she0800
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支持!
welcome211
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  • 2011-9-29 14:45:56
 
好帖多谢分享经验,这些经验对我们这样的新手很有用!!
jafck
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  • 2011-9-30 00:53:37
 
楼主,你能不能把你要发的内容全部放在一楼啊,堆楼层有什么意思。
这种稀稀拉拉的探讨方式十分讨厌。
ZAZA
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  • 2011-11-2 19:48:10
 
赞一个
andywang
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tom-liang
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本网技师
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slim443
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高级工程师
  • 2012-8-8 10:38:35
 
这个驱动的一系列分析,堪称经典
power-pmt
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高级工程师
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学习中...
yanguoliuhen0616
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本网技师
  • 2012-8-9 14:15:47
 
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xinhurenfengsl
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  • 2012-9-27 16:47:25
 
nc965
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  • 2013-1-18 12:44:31
 
犯了一个低级错误,既然叫“阁”,多高雅啊,就不能再叫“室”
slim443
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  • 2013-1-23 15:35:10
 
有好几篇驱动电路讲解的都不错
漩涡浩子
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本网技师
  • 2013-3-3 23:14:57
 
我的一个仿真 想你这样弄的,但是为什么IC工作不行啊,也能驱动MOS啊,是我的反馈问题吗?求解

cx123
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  • 2013-4-18 21:27:09
 
关注
xiaomiking
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  • 2014-7-31 16:37:59
 
这样的好帖,必须顶!
nvcaaic
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  • 2014-8-1 10:49:23
 
支持楼主
何仙公
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  • 2014-10-24 15:22:48
 
楼高了,观摩很累
jsapin
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本网技师
  • 2014-12-21 19:51:51
 
好贴,学习了
hant1216
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本网技师
  • 2015-8-12 08:25:43
 
好贴,学习了
tap510
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本网技师
  • 2015-1-12 22:00:52
 
你好楼主,我现在做的BUCK电路,UC3843输出驱动就采用下面的电路,想问问占空比为80%是驱动变压器会饱和吗?看了楼主的帖子好像饱和不了,但又不明白为什么,麻烦楼主赐教,谢谢!
真武阁
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副总工程师
  • 2015-1-15 13:37:28
 
是否饱和用公式验证一下工作磁通密度,和占空比没什么关系,因为这个驱动变压器也是遵循秒伏平衡的,Bm合理的话即使D=99.999%它也不会饱和
另外电源技术交流可以加群 306914590
woshilrp
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助理工程师
  • 2015-8-14 17:18:30
 
你好,我想问一下,我绕了变压器,也按照这个图链接,用来驱动IRF540,但是峰值电压只有5V左右。变压器原边12圈,副边24圈。变压器的功率5W左右,变压器的输入是TLP250,12V供电。请问这是怎么回事呢?
真武阁
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副总工程师
  • 2015-8-14 18:30:11
 
306914590 加群
befreien123
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本网技师
  • 2015-10-29 23:25:32
 
讲的很好  解决了几点疑惑
SZC123
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  • 2016-7-16 16:46:47
 
楼主,你看我这个驱动变压器原边波形是不是有问题呀。过零时总是有严重误触发。原理图


此图为超前臂的驱动变压器原边波形。



紫色为全桥超前臂上臂源极的波形,蓝色的是下臂栅极波形。

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  • 2016-7-16 16:48:07
  • 倒数10
 
楼主,你看我这个驱动变压器原边波形是不是有问题呀。过零时总是有严重误触发。原理图

此图为超前臂的驱动变压器原边波形。


紫色为全桥超前臂上臂源极的波形,蓝色的是下臂栅极波形。


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  • 2016-7-16 16:49:04
  • 倒数9
 
楼主,你看我这个驱动变压器原边波形是不是有问题呀。过零时总是有严重误触发。原理图

此图为超前臂的驱动变压器原边波形。

紫色为全桥超前臂上臂源极的波形,蓝色的是下臂栅极波形。 本帖最后由 SZC123 于 2016-7-16 16:54 编辑

828698410958913927.jpg
20160713_095355.jpg
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2020-9-23 18:51:05
  • 倒数5
 
因为励磁会在死区时间复位,本来复位电压是负向,但是很不幸当它耦合到另外一个反相绕组的时候就变成了正压(比如桥式驱动),彻底解决的办法是有反相驱动的绕组独立用一个变压器(比如半桥的上下臂),同相驱动可以共用一个变压器(比如全桥的对角臂)
hyy609052503
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本网技师
  • 2015-12-14 22:39:38
 
稳压管是接反了吗?
白巧克力
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助理工程师
  • 2016-5-31 21:27:40
 
用驱动变压器驱动半桥,结果驱动波形如图,黄色是DS极电压,蓝色是驱动波形,请楼主和各位帮我看下

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