6月25日 深圳 TI 系统级电源设计研讨会

TI 深圳系统级电源设计研讨会

驱动器设计·降低电源待机功耗·高密度电源解决方案

6月25日·深圳益田威斯汀酒店

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本次研讨会将具体介绍 TI 高压电源产品线及其相关技术培训。具体会包含以下三个主题：

•MOSFET，IGBT 和宽带隙应用的栅极驱动器设计基础

•如何降低 75W-600W AC / DC 电源的待机功耗和系统成本

•用 GaN 设计可靠的高密度电源解决方案

【讲师介绍】

张巍（Wei Zhang）：TI 高压电源系统工程师。负责多种 MOSFET，IGBT，GaN 以及 SiC 驱动器的定义、设计及其测试。在高频电力电子领域有 10 年以上科研及其工作经验。

林思聪（Stone Lin）：TI 产品市场工程师。丰富的开关电源设计工作经验，熟悉电源管理 IC 的应用与推广。

傅力行（Lixing Fu）：德州仪器氮化镓（GaN）产品线的系统工程师。拥有多年的关于氮化镓和碳化硅器件应用的经验，现在的工作主要是在德州仪器新的氮化镓功率芯片的研发和应用上，以及高·效率高密度电源解决方案。硕士毕业于美国俄亥俄州立大学电子和计算机工程专业。

【活动日程】

时间	主题	演讲嘉宾
13:30-14:00	签到
14:00-15:10	MOSFET，IGBT 和宽带隙应用的栅极驱动器设计基础	张巍
15:10-15:15	休息
15:15-16:25	如何降低 75W-600W AC / DC 电源的待机功耗和系统成本	林思聪
16:25-16:45	休息
16:45-18:00	用 GaN 设计可靠的高密度电源解决方案	傅力行
18:00-18:15	总结

【时间地点】

时间：2019 年 6 月 25 日（13:30 - 18:30）

地点：深圳益田威斯汀酒店宴会厅

地址：深圳市南山区深南大道9028号-2

交通：地铁1号线 世界之窗站

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