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| | | | | | | 当然可以用薄膜电容且寿命更长,体积相同的薄膜电容容量远小于电解电容容量。
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| | | | | | | | | 只是薄膜电容的纹波电流能力有限吧?LLC输出电容纹波在2~3KW时都是几十安培呢,薄膜电容扛得住不?
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| | | | | | | | | | | 纹波电流能力有限是啥意思?一般电解电容的纹波抑制能力是最差的,因为ESR导致高频纹波直接过去了
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| | | | | | | | | | | | | 通信电源用到1700V5A 的SIC碳化硅MOS : ASC5N1700MT3.pdf (1.1 MB, 下载次数: 0) ASC100N1700MT4-PDF.pdf (1 MB, 下载次数: 0) ? ASC30N650MT4.pdf (1.23 MB, 下载次数: 0) ASC60N650MT4 -PDF.pdf (784.38 KB, 下载次数: 0) ASC30N1200MT4 -PDF.pdf (655.17 KB, 下载次数: 0) ASC60N1200MT4 -PDF.pdf (664.75 KB, 下载次数: 0) ASC100N1200MT4 -PDF.pdf (1 MB, 下载次数: 0) ASC20N3300MT4-PDF.pdf (580.92 KB, 下载次数: 0) ASR320N650D88.pdf (1.12 MB, 下载次数: 0) ASR50N1200MD88 -PDF.pdf (638.33 KB, 下载次数: 0) MOSFET(TO-247-4)可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现
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| | | | | 当然可以用薄膜,我的习惯是前面先来一串薄膜并联,然后后面再来一个小感量棒状电感+电解电容组合,输出电压取样点放在薄膜电容那里。
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| | | | | 薄膜加电解,薄膜容值小,过电流大,后面加电解容值大,进一步滤波。
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| | | | | | | LLC输出电容的纹波可以认为很小,主要是纹波电流。
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| | | | | | | | | | | 输出接在电池上,可以认为输出电压近似直流,但纹波电流很大。
见过一些厂商输出只加很小的一个薄膜(几uf),我有些疑惑。
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| | | | | | | | | | | | | 输出给电池充电的话,那是不在乎什么纹波,反正能充。
至于这个纹波对电池寿命有没有影响,也就没人管了是吧。
还可以美其名曰:高频脉冲充电。
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| | | | | | | | | | | | | | | 但是薄膜电容的纹波不小啊,并且频率很高,我很怀疑这个几uf的薄膜电容扛得住不
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你有相应的规格吗?一般在高频下纹波电流只有几安培,输出一下子几十安培的纹波呢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | CBB电容,纹波电流很大的,自己查规格书,或者问供应商。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 之前谐振电容想用薄膜电容,问过厂家,薄膜电容看你的尺寸,小的话因为内阻大,电流主要限制条件是电容本体,超过P15的电容,限制条件基本就是PIN脚了,规格书上写6A,8A的就是PIN脚限制,PIN针限制导致一般8~10A,如果你让他定制粗PIN的,理论上15A都没问题。30A并个5个。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 顺便问一下,如果纹波电流有效值有个80A左右,用什么器件比较好?电解好像要并几十个?难道用几个薄膜电容并?
输出纹波电压倒是要求不高。有什么耐高纹波电流的器件?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 但LLC输出的电容纹波也很大。你说的LC是指比如移相全桥还是LLC的输出变成C+L+C?
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| | | | | 华为98%的4580,就几个小小的电解,纹波主要靠交错解决。
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| | | | | LLC如果没有多路交错将电流平滑的话,某处程度就是弦波波头,所以需要储能功能,因此需要有一定的容量,如果不采用电解而用薄膜电容可能无法解决本来储能问题的
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| | | | | | | 通信电源输出是电池
交错可以降低纹波电流(LLC交错好像比较复杂)
储能应该主要是用PFC BUS电容储能。LLC输出低压,储能能力有限。
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| | | | | | | | | 我说的弦波是指高频电流,不是工频电流,LLC没有交错的时候输出整流电流是弦波的,因此需要容量来存储或者滤波,小容量的薄膜电容不一定能够满足功能,否则会有较大的纹波。至于你说的超大储能电池那是输出后端,跟我说的储能不是一回事。
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