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【原创】TCM PFC的原理、控制、仿真以及实现

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maileyang
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版主
  • 2020-7-29 13:22:44
前言:

相信大家都知道华为的3000W通信电源已经做到了98%的效率,其中使用2相交错TCM图腾柱无桥PFC,在无需使用宽禁带器件,仅依靠控制方法就实现了ZCS和ZVS工作,实现了极其高的效率。我也对其实现非常非常好奇,这些正是下文的起点。

查阅一些资料后,我大概了解了TCM基本概念,其实说起来原理并不算复杂,只是有几个问题在工程上难以实现:如何检测到负向峰值电流,如何计算准确计算TOFF时间,如何在数字控制器中实现TCM的变频率控制方法。这些问题也许大家知道,但是我不知道,也没有人告诉我,所以我花了一些时间来整理这些问题的解决办法,也提出了自己的思考。

TCMPFC的原理、控制、仿真以及实现

•TCM PFC的原理
•控制方法
•仿真建模
DSP实现考虑
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TCM PFC的优势


•ZVS ZCS工作
•降低了PFC开关管对地的共模噪音,多错相后降低了输入差模噪音
•使用同步整流模式工作,极低的导通损耗
•可以双向工作


TCM PFC的原理

Vi/Vo < 0.5 能实现ZVS
Vi/Vo > 0.5 能谷底开关不能实现ZVS
是因为电感电流归零后由Coss电容对电感充电,电压仅能下降到Vi-VLoff
VLoff为电感放电时的电压


当电压到谷底后继续开通高端开关让电流从高压电容反向流入到AC侧
可以让电感电流达到反向峰值电流
进而带走两个MOS的Coss电容实现ZVS



实质上这里存在两个过程:
由IR = Tx * (Vo-Vi)/L,得到负向峰值电流
需在Ty时间内将两个Coss电容的电荷带走,使半桥中点电压下降到零,从而实现ZVS。



论文中在FPGA里面用状态机来实现:
S12 闭环控制TON时间,进而控制流过电感的电流
S11和S12之间的死区时间,也为了实现S2的ZVS
S11开通,电感续流
根据管子Coss电容和Vi电压实时计算TR的大小,开通到TR时间后,电流达到负向峰值,然后关闭S11
依靠电感反向峰值电流,在这段时间内带走S11和S12的Coss电容中的电荷,S12实现ZVS
(REF: Ultraflat Interleaved Triangular Current Mode (TCM) Single-Phase PFC Rectifier Christoph Marxgut, Student Member, IEEE, Florian Krismer, Member, IEEE, Dominik Bortis, Student Member, IEEE, and Johann W. Kolar, Fellow, IEEE 2013


TCM 状态机仿真





华为 99%效率 TCM PFC:



TCM PFC的控制方法


TCM PFC的仿真模拟: 因为没有找到刷新PWM的办法,所以没有加入负向电流控制





TOFF 控制方法:


使用DCxEVT刷新开关周期:
在使能PHSEN的情况下:
DCxEVT1.sync与EPWMXSYNC具有相同的效果




EPWMXSYNCI置高时,能把TBPRD的值强迫写为TBPHS的值。

所以设置TBPHS寄存器为0,续流管上的CT检测到电流由续流变为流入(方向发生改变),就可以产生一个DCxEVT.SYNC事件,强制让epwm模块的TBPRD恢复到0开始计数。



两相交错TCM的实现:



TCM实现思考:
计算Ton,Toff,Ttcm,公式:
计算得到周期长度,同时使用CMPSS检查ZVS实现和TOFF长度,049支持谷底捕获。
如果计算的周期长度不能实现ZVS,则可以根据CMPSS捕获的谷底来进行一定范围调整。




由电流环与PWM斜坡切割得到占空比,进而得到TON
根据输入,输出电压,电感量,计算Ipk,Toff
根据Coss,Lpfc计算谐振周期,取Tzvs = 0.25*Tfr时间
在Vi < Vo/2,区域进行谷底开关,Tsw = Ton + Toff +Tzvs
在Vi > Vo/2,区域进行TCM工作
Vi在过零附近,钳位频率PWM工作


参考文档:Ultraflat Interleaved Triangular Current Mode (TCM) Single-Phase PFCRectifier Christoph Marxgut, Student Member, IEEE, Florian Krismer, Member,IEEE, Dominik Bortis, Student Member, IEEE, and Johann W. Kolar, Fellow, IEEE2013

最后必须要说的是本人研究TCM整流器的时间较短,所以理解和认知有限,如果视频中有错误的地方,恳请各位大佬谅解,毕竟能力有限。所以还希望各位大佬能将错误之处告诉本人,本人将感激不尽,谢谢。

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BingSun
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总工程师
  • 2020-7-31 10:32:26
  • 倒数10
 
木有看出什么是TCM模式。
westbrook
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副总工程师
  • 2020-7-31 19:38:09
  • 倒数9
 
三角波控制模式,电感电流可以过零,实现MOSFET的ZVS。
BingSun
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总工程师
  • 2020-8-1 18:29:48
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谢谢!!!
fengyj123
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高级工程师
  • 2021-1-1 09:18:52
  • 倒数7
 
您好,请教一下。如果是用图腾柱拓扑做的PFC(也是用的TCM),一般PFC管子频率是固定的吗?
westbrook
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副总工程师
  • 2021-1-1 11:37:17
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TCM控制,PFC工作频率是变的,在过零地方频率最高
fengyj123
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高级工程师
  • 2021-1-5 15:46:21
  • 倒数4
 
请教一下,这样的电路,PFC侧频率和交错有什么规律可寻吗?
westbrook
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副总工程师
  • 2021-1-6 09:23:07
  • 倒数3
 
没有什么规律,交错是固定的,频率是根据实时算出来的。
Mr_Chen
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助理工程师
  • 2021-1-4 08:45:56
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厉害,学习
BingSun
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总工程师
  • 2022-2-8 12:04:45
  • 倒数2
 
突然想起这样的电路
与传统电路相比,除了降低二极管损耗,MOS管损耗能降低多少呢?能否提高磁芯利用率或是磁芯使用效率?
sun20031036
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本网技工
最新回复
  • 2023-7-16 09:50:13
  • 倒数1
 
TCM其实就是在CRM基础上,控制方式做了调整。在控制上加入强制电流从PFC母线流到输入,强制形成负电流,目的是实现MOS的ZVS。CRM能实现软开关的是输入电压小于母线一半,而TCM就是扩大范围,在90Vac~264Vac范围实现MOS的软开关,目前如果做的好的话,峰值效率能实现99.4%(包括两级EMI电感)。这对于在SI MOS器件上实现如此高效率,很有成本优势
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