截图糊啦啊啊啊,在规格书里也有。
评估板包括反激式QR开关电源部分,隔离驱动部分,控制部分,保护部分。反激电源提供驱动IC所需的正负电压对MOS进行拉灌电流,
使开关管快速开通和关断,其电压可根据SiC和Si MOS配置(正压可配置范围10.35V~20.56V,负压可配置范围0V~-4.3V)。
驱动部分可通过驱动电阻和快恢复二极管单独配置通断速度,此外缓冲电路内的电阻仅消耗超过高压输入电压的浪涌量,
因此采用的非放电型缓冲电路是最适合高频开关电路的电路方式,其参数设计可参考附件的《SiC MOSFET缓冲电路的设计方法》。
控制部分对输入的PWM信号进行硬件死区生成,防止上下桥臂直通。保护部分包括可配置偏压的OCP检测电路、过压检测、
驱动电压检测等,且设置了相应的故障指示报警灯以及复位按键,极大的方便了用户调试。
传统MOSFET的封装多为TO-247即3L型,对于SiC这种适用于更高频的应用的采用了开尔文接法4L型,通过使连接栅极驱动电路
返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立,来消除ID对栅极驱动电路的影响。据说这个设计使开关损耗降低了35%左右。
从上图中可以一目了然地看出,包括VG在内的驱动电路中不包含LSOURCE,因此完全不受开关工作时的ID变化带来的
VLSOURCE的影响,由此高速开关带来了损耗改善。
导通时,3L型封装在驱动电压VG包含了VLSOURCE,使MOSFET的导通动作所需的电压VGS_INT减少,最终导致导通速度下降。
关断时也是同样的原理,由于式中的dID/dt为负,使VLSOURCE上升,从而VSG_INT增加导致关断速度下降。
虽然4L与3L型相比改变了驱动电路路径,使开关速度加快并降低了开关损耗。然而由于这个原因Turn On电压尖峰和Turn Off
电压尖峰变得更大。除了非放电缓冲电路的设计,附件《SiC MOSFET栅极-源极电压的浪涌抑制方法》中详细分析了驱动端浪涌
抑制措施以及实验效果,在此不再赘述,文档超级详细。
通过对该评估板设计的学习,其每个部分都可以作为学习的模板,从PCB布局布线、反激式开关电源、
到多种驱动钳位浪涌保护设计、非放电式吸收电路等各方面都可以从中学习到很多实用的设计经验,很方便的即可用于自己的项目设计中。