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原创 免费试用·罗姆评估板

罗姆P02SCT3040KR-EVK-001评估板开箱及测试

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lisj2020
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初级工程师
  • 2020-8-25 13:50:57
一直关注罗姆这款评估板,在21世纪电源工作人员的努力下进行了申请,终于申请到了,非常感谢罗姆和21世纪电源网提供的使用机会。等待及与工作人员确认后很快收到快递,以下为开箱过程:
微信图片_20200910105644.jpg
微信图片_20200910105629.jpg

微信图片_20200910105637.jpg

微信图片_20200910105641.jpg

接下来将进行评估板各部分功能完好测试,敬请关注


使用该DEMO板前,整理板卡规格书及使用说明主要内容如下(阅读使用说明后摘录对测试有帮助内存):
一、整板功能图:
图片1.png

二、整板原理图(有点模糊,可以参看DEMO板规格书内容):

图片2.png

三、板卡图片:

图片3.png

四、板卡端口图片说明参考:

图片4.png 图片5.png


五、板卡主要信号内容确认:
1、CN202为控制信号供电输入,最低为5VDC,推荐最高为15VDC,这里测试按资料选择为12VDC;
2、CN201为控制信号端,各脚位内容如下:

图片6.png

六、测试前板信号确认:
1、JP1选SINGLE模式,JP51与JP151选负压偏置关断,CN202接入12VDC,可以看到三个绝色指示灯亮,确认CN201输出信号如第五点所示;

图片7.png


三个信号说明如下:

图片8.png


2、确主驱动芯片U2/U102供电电平:
测试板上TP53(+)/TP54(-)对TP52电压,通过调节RV51(顺时针增大)使得+驱动是压符合MOS驱动电压幅值,负电压为-2VDC(可按使用说明书调整);
测试板上TP153(+)/TP154(-)对TP152电压,通过调节RV151(顺时针增大)使得+驱动是压符合MOS驱动电压幅值,负电压为-2VDC(可按使用说明书调整);
3、确认输入驱动到MOS-G的信号:
将波形发生器调整为50KHz\25%\5VDC输出到CN201的2、3端:

图片9.png 图片10.png

TP1/TP101对TP202测得的波形为:

图片11.png 图片12.png

CN201的1端拉低使能,板上HS/LS 错误指示灯亮,按复位无效,同时MOS-G为关断的负压,到此信号异常。
接下来需解决此问题才能继续进行测试。


—————————————————————————————————————————————————————————————

在罗姆FAE指导及深入查阅使用说明书后,终于找到了问题的解决办法,原来使用TO-247-3L封装时需将DEMO板底部的R77/R177的零欧电压阻焊接上(如使用说明书上第22页内容)。
4、测试MOS管G极驱动波形:
TP51对T4与TP151对TP202测得的波形分别为:

图片1.png 图片2.png


至此,整板一些基本信号确认完毕,下面进行具体电路测试。
七、具体电路测试:在此选择常用的同步整流电路来进行
1、测试主回路参考图:JP1选SINGLE模式,JP51与JP151选0V;

图片3.png


2、实物接线测试图:准备信号发生器,从外部将CLK 信号与IN_CLK 引脚(CN201 3pin)连接。将控制用12V 电源与Vcc 引脚(CN202)连接,将高压HVdc 电源与HVdc 引脚(T1)连接,将buck电感与Vsw 引脚(T2)连接。将滤波电容器和负载与负载电感的另一端连接。HVdc 端为输入端,输入电容器是安装在本评估板上的,但当振荡频率较低时,建议外置适当的电容,这种情况下必须充分确保电容器的额定电压。

图片4.png

3、因上下管不能同时开通,所以需要再确认两管的驱动波形的死区时间;
高压先不接通,先接通12VDC与信号发生器驱动信号并使能,测得死区时间为220纳秒,如下图:

222.png 111.png

4、具体测试过程:
a)几个信号开通与关断应遵循下图的顺序,可以避免损坏等问题;

333.png

b)按选定的元件参数选择输入驱动信号为80KHz,5VDC,30%的占空比;

444.png

c)选择输入电压为100VDC,并接入电子负载带5A输出电流,按a)点开顺序进行测试:


666.png 555.png

d)测试带载情况下上下两MOS驱动波形及负载电流波形:

888.png 777.png

上管驱动波形开通和关断有振荡,怀疑是测试探头的问题,但将驱动波形调为合适频率、负载电流调为10A以后测试负载电流波形,确实是对应存在振荡。

999.png 1010.png

测试结论:
1、罗姆这款DEMO板针对同步整流拓扑在开环情况下,效率达到96%,开关损耗很小,如将SiC MOS在高压特性的优点合理利用,效率将更高,这对其他拓扑估计也适用;
2、关于上管开关振荡的问题,怀疑是元件管脚引出较长、同时没有使用差分探头测试的原因导致,针对这一点后续在使用SiC MOS时建议重点关注。






lisj2020
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初级工程师
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  • 2020-8-25 14:10:07
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https://bbs.21dianyuan.com/thread-320923-1-1.html
上面这个贴子资料不错,借来参考了
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