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| | | | | Nmos放在高端是不行的。建议把Nmos放在低端即直流电压的负端来控制
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| | | | | | | 我的目标是能控制在HV01O+侧是否输出高压,NMOS放在低压侧的话就起不到效果了呀,考虑过PMOS放在高压侧,但是我找到的PMOS最高耐压500V,耐压又太低了,NMOS浮地不能像我图里那样使用隔离电源进行驱动吗?
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | 通过100K电阻,给MOS干的COSS电容充电,你期望DS之间的电压变化多块? |
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| | | | | | | 我希望能在微妙级呢,您的意思是100K的电阻太大了吗?
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uS或nS都不是问题。
1、应选用正确的IC。
MIC4420是一棵常规驱动IC,应该使用浮地驱动IC,如IR2107,或者半桥驱动IC只用上管驱动就可以了。
2、uS级基本所有IC都可以达到,如需nS级那就需要认真选择IC型号了。
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| | | | | | | | | 如果采用光藕隔离驱动应该是个不错的选择,如P152,楼主可以看下。
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| | | | | | | | | | | 您的意思是换个浮地驱动的IC就应该差不多了吗?换成浮地IC之后请问光耦隔离是必需的吗?还是说光耦和浮地IC是两种不同的方式呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢您,可如果是因为我的MOS驱动IC选的不是浮地的,那为何图三的波形中,从低电平变高电平的时候如此正常呢?您对这个情况有啥想法吗? |
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| | | | | | | | | | | 可小弟还有一点不解,如果是因为我的MOS驱动IC选的不是浮地的,那为何图三的波形中,从低电平变高电平的时候如此正常呢?
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| | | | | | | 版主,这个电压下降的确与该电阻有很大关系,请问MOS的Coss究竟是哪两端的电容呢?我一直没搞明白 ,还有Ciss,Crss。
是下面这样吗?下面这个我也看不明白。。。Coss究竟是哪两端的呢?
G是输入,D是输出,S接地。
Ciss,是G端的电容,但把D短到地。
Coss,是D端的电容,但把G短到地。
Crss,是输出和输入之间的电容。
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | |
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| | | | | | | | | | | 那请问大侠这个电容上的电荷释放只能通过将S端和参考地用电阻连起来吗?有其他方法吗?不想增加这个电阻
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | 不太明白你的意思,当MOS关开通电荷自然就通过DS释放掉了/
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| | | | | | | | | | | | | | | 那是我理解错了,我本来以为这个Coss会影响MOS的断开速度,也就是这个帖子中关断下降沿的异常。但是无论仿真还是实验,把NMOS放在高端开断,当断开时S端电压的下降延迟会与S端与参考地间的负载电阻有关,电阻阻值越小,断开时S端电压下降越快,请问大侠这可能是啥原因呢?
还是说您的意思是S端对地电阻太大,导致MOS断开时给Coss充电慢,然后导致S端电压变化也就是S端对地电压下降慢呢?如果是这样的话除了减小这个电阻的阻值外还有什么方法可以加快给Coss的充电速度吗?
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | | | 我已经告诉你了,你把COSS电容画上,你看看S端电压是什么,是不是HV01+电位减去COSS电容电压,再考虑COSS电容两端电压与这个电阻大小关系。
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| | | | | | | 我的天!!!我真的漏掉了!!!
谢谢您,我晚上试试
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| | | | | | | | | 既然已知道需要浮动驱动电路,还试那错误的电路有什么用呢?
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| | | | | | | | | | | 主要是不理解如果是浮动驱动的问题,为何上升沿如此正常?还抱有一丝幻想。
幻想破灭了....不是没接的问题,我按照您说的选个浮驱的MOS驱动改下吧,不知您是否知道有浮动的MOS驱动和我错用的这款引脚比较相似吗?
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| | | | | | | | | | | | | 我再说说,你自己想想,再动手。1.你是正负5V供电,NMOS的S应接隔离电源的GND,这样关断时Vgs才可有负压抽取,你现在的样子,MIC4420实际只能开下管,自由放电。
2.你把MIC4420的DATASHEET再看看,我只瞅了 眼内部框图,有负压可以做到拉的。
以上你想想,毕竟实际情况和问题描述是不可能对等。
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| | | | | | | | | | | | | | | 是我的原理图网络做标法误导您了,给MIC4420供电的是12V的电压,12V05-就是隔离电源的GND输出,12V05+是隔离电源的12V输出;我把您昨天说的部分连线后,MOS的GS端已经能测到正常的矩形波,但是MOS的S端的波形与之前并无差别。我不理解为何GS端电压能够正常下降至0,而S端却不能,是MOS管的DS开断异常还是说在S端和24V01-那端间存在电容(实际我并没加)储能呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | 太难了 ;请问前辈,我如果用IR2107的话,下管可以不接吗?就是图里蓝色圈出的那个,可以只用个上管吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 只接上管就行,因为需要自举供电(即MOS关闭时,MOS管的S极需回到地电压,使用浮动端供电得以充电)所以需要考虑你实际电路能否满足要求,否则可能需要一组独立供电电源给驱动芯片。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢前辈,我只用上管的话,您看图一的电路及电容电阻值合适吗?
如果不满足您说的电路自举条件,隔离电源供电是像图二那样吗?
您说的自举条件是指啥呢?
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| | | | | | | 前辈,我测了Vds波形,发现与负载电阻关系很大,紫色为Vgs波形,黄色为Vds波形,图一、二为无负载电阻的波形图,Vds基本一直为0,MOS基本关不上;
图三为100k欧负载,大部分情况可以关上,但是偶尔也有例外;
图四为10k欧负载,Vds波形更好看了,电压降低应该是因为我逆变的变压器电路设计有问题,与MOS管无关。
我实在不理解负载电阻为何影响这么大?难道是因为S端和参考地间有电容储能?可是实际上我没加啊...还是GS变低没法关断MOS呢?
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| | | | | | | 或者我这个是两个类似对称的电路,会不会是另一侧对这个造成了影响呢?
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| | | | | | | | | | | 25楼黄色波形就是Vds呀,没理解您说的是啥意思,能再清楚些吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 意思是你那个电路S是热点,不能接地,包括不能接示波器的地(不能夹探头的夹子)。你只能夹D,勾S |
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| | | | | | | | | | | | | | | 前辈,我按照您说的测了Vsd,地探头接d端,高压探头接s端,可是和Vds看起来就是反过来了,没啥不一样呀,图一二三是不接负载电阻,接100k和接10k的Vsd波形。另外,我D端也带电,不算热地吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前辈您好,由于我逆变设计的有问题导致功率很小,接10k负载的情况下已经使得输出的高压电压下降,这算不算满载了呢?
您对波形随负载变化的现象有什么看法呢?求指教
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 先弄明白啥叫满载,这比波形优先。意思是你自己在干什么想干什么都不知道,看任何波形都没有意义。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前辈,这个我是想用来给人体皮肤用,因此负载是多少我也没法确定,我查到人体电阻还会随电压变化而变化,满载指额定负载的话,这我也不确定是多少 ,但是应该是负载电阻在千欧到兆欧数量级相当,不知您对这方面是否有了解呢?求指点。如果与千欧到兆欧数量级相当的话,那现在这个电路波形也就存在问题,用不上去
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 多谐振荡器用来输出方波,然后用这个方波来控制进行逆变和高压关断吗?可是现在用于控制的方波我用单片机能正常产生,主要是逆变和高压关断的问题呀
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不错!不错!还没出道就这么有兴趣,非常难得。
实验的局限太大,比如你需要改个电阻或是改个电容看看效果,都是费时费力的,所以电路仿真是个非常高效的,选用器件,修改电路等,都非常方便。
所以建议你可以从仿真入手,有更高的效率。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢您的回复和指导,我用了IR2107做MOS驱动,但是要想成功自举,需要在S端和其参考地间加一个10K的电阻,构成充电回路,这样加10K电阻的话,当MOS管闭合时,10K电阻就成为了一个负载,我不想让10K的电阻成为负载,不知还有其他方式能使其自举成功吗?
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| | | | | 自己给自己做个总结,可能存在错误:
1.由于MOS驱动芯片的供电电压的地与S端相连,而S端与S端的参考地间通过一个大电阻相连,因而在MOS断开时,S端的电荷不能及时释放,但是该电荷的来源我不确定,不知是否为Coss的原因。
2.在DS间不加压时,能发现,S端与其参考地间可以测出电压波形,且随其间电阻变小和变小,10K的时候基本无波形,可以看作真正“连接”在了一起。
3.NMOS做高端开关时,要有一定的负载。
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| | | | | | | 一共三个东西:驱动电源,驱动输入,驱动输出
隔离供电没有问题,输出有问题,那就检查输入信号
浮地驱动需要用差分探头,如果没有,就用两个探头,一个勾G,一个勾S,夹子共地接系统地
测输入信号也是一样的,一个勾PWM_IN,一个勾驱动芯片的GND,夹子共地接系统地
猜测你的问题是输入信号的问题,如果输入的PWM是基于系统地,而驱动芯片和输出都是基于输出+端,那么输入电平是不对的
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| | | | | | | | | 由于PWM在单片机输出后还经过了一个可用于IIC通信隔离的隔离芯片,所以到达MOS驱动芯片的PWM的地也是基于输出+的,就是MOS的S端。之前是漏画了一个网络,修改后GS波形已经可以测到正常的矩形波,就是S端的电压下降还是有问题,目前猜测可能是S端对其地的电阻太大,断开后给MOS的Coss充电太慢,导致电压下降会有问题,可是不知道对不对
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| | | | | | | | | | | 不是Coss充电慢,是无负载的时候Coss和你探头的输入电容形成了分压电路
选Coss小一点的MOSFET,然后在探头上并一个10nF--100nF的电容,你就看得到干净的关断了
关键是你实际负载是什么情况?会不会有一定的容性负载或者是什么量级的阻性负载?用实际负载上去看看效果?
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| | | | | | | | | | | | | 实际负载应该也在10K欧左右,电容应该也有些,由于一些原因现在还没法用实际负载。大侠,我测量时用的探头电容为3000pF,MOS的Coss120pF左右,选用Coss小的MOS我能理解,可是给探头并联电容我还有点不理解,Coss与探头电容分压的话,电容分压与电容成反比,在探头处并联10nF-100nF的电容的话,增大了探头处的电容,理论上说断开时探头电容的分压的确会减小,可是在导通时电容上也会有一定电压,当MOS断开时这个电压所对应的电荷释放不会造成关断时间延长吗?等元件到了我改下试试,不过现在还是不理解并联电容。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 10k和10n时间常数为100us,改变Coss和探头的分压比之后,探头上的输入/并联电容从负载电阻放电,上升沿应该不会超过200us |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 哦哦,我之后试试,可是不加10nF的电容的话会不会更快些? |
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