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60W氮化镓 ZVS反激快充方案RM6801SN+RM3410T

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1
lumia
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LV4
初级工程师
  • 2020-12-24 22:25:32
亚成微基于ZVS反激电源控制芯片RM6801SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高性能、低功耗60W 氮化镓(GaN) 高功率密度快充方案,具有体积小(尺寸:55mm×30mm×25mm)、效率高(效率Max >93%)、待机功耗低(功耗<60mW)、系统功能完备等特点。方案采用亚成微专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗,改善EMI特性。专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,省去外置驱动器件,并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合,实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局,有效的提高了产品效率及功率密度。
6801SN-60W原理图_副本.jpg 640_副本.jpg
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2020-12-25 09:19:34
  • 倒数2
 
1)要推广,就的有诚意:附上完整的测试报告出来2)为什么能直接驱动Mos和GaN?这两者驱动电压都不一样



kevin-leee
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2022-5-17 16:50:37
  • 倒数1
 
最少要上65W 的功率,基本的规格书也需要发出来。
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