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| | | | | | | | | 单机没问题,MOSFET也应该可以,只要散热器足够大
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| | | | | | | | | | | 一组全桥MOSFET,用四个247封装的吗?感觉到这个压力很大,毕竟高压800V的MOS,其Rdson不小
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| | | | | | | | | | | | | | | 劳动节快乐!李版真是敬业精神 !
双管并联方式以前见过左边这个图示结构,比较传统类型;右边的这个没有见过,如何理解?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 左右电路完全相同,看谁更好布局,最右边还多出一个彻底均流的意外惊喜。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我还是用老老实实用左边这个并联机制吧!感觉容易理解一些。有以下几个问题请教:
1.不用移相全桥,用全桥LLC可以吗?感觉到全桥LLC处理原边ZVS和副边二极管整流ZCS好整一些,全桥移相的副边二极管电压尖峰不太好整。
2.全桥LLC副边输出电流纹波有效值相对比较大也是个问题,采用多个薄膜电容(12~16)+电解电容组合并联的方式来吸收纹波电流。
3.采用20A/850V管子(IXFH20N85X)双管并联,用上面左边并联的方式;变压器采用三个PQ5050,原边串联副边并联的方式。
以上可行否?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 惊不惊喜意不意外,确实有意外和惊喜,因为这样一搞,你的驱动回路就很意外和很惊喜了!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼上的是在回我的楼层,他的意思是还有一个惊喜没告诉你,按之前的惊喜后,主拓扑已经分开彻底均流了,三路驱动再分开就失去了意义,可以连在一起驱动。
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| | | | | 采用移相晶闸管触发模式就行,毕竟大电流晶闸管的价格更为便宜
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| | | | | | | | | | | 请问有专门的可控硅移相控制IC吗?有的话介绍一两个来看看。谢谢!
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| | | | | 软开关可以上移相全桥,副边全波整流。硬开关可以用IGBT全桥,副边全波整流。
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