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 |  | | | | 电路复位二极管接法错误。
按黑线连接起来就好了
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|  | | | | | | 谢谢提醒 我这个原理图有误实际上PCB上黑色部分是连着的
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| | | | | | | | | 你指的大于1000V 包括尖峰吗？ 把正常产品测试的 波形贴上来， 测试一下上下管的电压（包括尖峰）， 你这个电源损坏原因在MOS耐压上，
800V输入，用800v耐压管子根本不够， 不要迷信双管就可以是倍耐压， 在变压器初级绕组1 6 端加个RC串联吸收，效果比MOS上吸收好。但损耗偏大。电容内压1000V以上，适不适合，你要做实验， 注意吸收电容温升。可能这个办法不适合这么高输入电压使用。
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| | | | | | | | | | | 现在我把Q1和Q2的DS两端的波形图发您看看麻烦您指点一下
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| | | | |  | | | | | | | | 没把产品全部烧光已经不错了， 幅度都800V，加上尖峰，换管，1200V管子肯定安全，不好找， 1000V管子需要很好吸收。
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| | | | | | | | | | | 生产几万个了 生产5年了 每次都有问题 以前不是我负责只是这次出问题我才参与的
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| | | | | | | | | | | | | 还是那句话，这种情况连续多年都没有解决，你公司的技术总监该换人了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、首先要有第一个圈，你有吗？
2、两只MOS两个第一个圈，都要回路最小化，你最小化了吗？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不懂你说的一圈是指什么？方便的话加下微信，我的微信L079712，谢谢!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是3楼的提示
Q1-C3C4-D11D14，五个元件构成一个圈，把它最小化
Q2-D10D13-C3C4，五个元件构成一个圈，把它最小化
为了最小化，需要把5个元件改成3个元件、就只有6个焊盘、然后焊盘靠焊盘，尽量不走线
为了把5个元件改成3个元件，二极管不要串，1只即可，母线到地需要并CBB、不要走电解 |
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| | | | | | | | | 上一个工程师一定是干得很不爽跑路了，留下一个那么大的坑
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| | xkw1cn- 积分：131400
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积分:131400 版主 | | | 直接上1700V 碳化硅MOSFET了事。
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| | | | | 该图首先是自供电部分有误，其次该图缺少尖峰吸收回路。除此之外楼主最好将MOS管的耐压等级上调一个级别。
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| | | | | | | ZD1-4,C2的参数多少？断开主回路，看两MOS栅极驱动波形
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| | | | | | | | | | | 问题解决了吗？我以前也做个类似的，只是我的电源过流的时候是保护不了，也即是说驱动脉冲占空需求较小时启动变压器输出侧不受控了
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| | | | | | | xkw1cn- 积分：131400
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- 帖子：55626
积分:131400 版主 | | | | | | | |  抠脚啊！
从虎穴换到狗窝，还是未狗嘴脱险啊！
1200v。。。。呵呵！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 驱动问，驱动严重不平衡，加图腾柱驱动，驱动变压器三匝并绕
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| | | | | 请问你知道怎么测试高压电源的psrr这项参数？有一台输入位12V输出1KV/1MA的电源，想测试它的PSRR与频率的曲线
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| | | | | 这个问题我做的一个1500V输入的双管反激也遇到了，估计和楼主的差不多，说下我的发现吧。炸管是发生在电源的启动瞬间，示波器抓的时候，会发现mos管的驱动电压很奇怪，居然只有3-5V。明明是1：1的驱动变压器为什么会这么低呢？就是因为驱动电压太低，而高压的管子，驱动电压要5V才能完全打开，导致mos管没有完全打开，在线性区。输入电压越高的时候，炸机概率就越大。
于是就接着分析：
1.芯片软起动的几个ms内，驱动波形是正常的有15V左右，可是软起动完后，芯片处于开环状态，占空比80%。 常规我们用驱动变压器的方式驱动的话，输出的驱动波形，电压就是Vin*（1-D）*n，大概就是3V。所以抓到的驱动波形没有错
2.接着分析为什么芯片会开环，明明有反馈，而且反馈也正常，能正常启动工作。
，这个波形芯片的引脚波形，黄色的是驱动波形，蓝色的是CS波形。明显电流信号滞后了，就是因为滞后导致芯片检测不到电流信号，所以占空比就跑满了。但是很奇怪的是，软起动的开始时，是没有滞后的，后面又慢慢滞后，导致开环。
3.至于为什么滞后，我找了很久，还是没有找出原因。不知道有没有高手帮忙解答一下。
最后附一个驱动波形图，黄色的是芯片的驱动波形，蓝色的是经过驱动变压器后的波形，可以看到软起动后，蓝色的驱动电压只有4.6V
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| | | | | | | 你这个黄色驱动其实只是你从3842出来的驱动波形，其实经过驱动变压器后，上下MOS的驱动应该就是黄色上面带弧度突起的部分是MOS导通的驱动，这种驱动应该是不正常的，还有就是要限制脉宽，不能超过50%,
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| | | | | | | | | 是的，你说的没错，上下MOS的驱动应该就是黄色上面带弧度突起的部分是MOS导通的驱动。是要限制脉宽，可是脉宽我限制不了，软起动完后，芯片就处于开环状态，占空比直接跑满了。我用的不是3842，用的是类似OB2273的那种片子，占空比不可调，如果我用3843或者1252，估计就没有这个问题了 |
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| | | | | | | | | | | | | 有反馈，如果没反馈，问题就很好解决了。输入电压DC200V的时候都还能正常启动，工作。高压1000V以上的时候，很大概率会炸机
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| | | | | | | | | | | | | | | 你的意思就i是缓启动后有段时间是开环状态，开环状态下输出电压是不是跑高了，
还是只是单纯的从前级驱动脉宽拉到最大了，才确定是开环了，
你把驱动换一下，不要这样驱动，这样驱动有个缺点就是脉宽越大，正相脉冲的幅度会降低，
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 开环状态下输出电压没有跑高，相反有时候输出电压还上不来，原因前面你也说到了。我是单纯从前级的驱动波形来判断开环的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你是从芯片出来的驱动波形来判断是开环，其实你这不是开环，是MOS GS波形驱动幅度不够造成的，换一下驱动方式，就是驱动变压器的推动方式，前级加图腾推挽，次级加个电容，二极管，让驱动幅度不随脉宽增加而减小。
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| | xkw1cn- 积分：131400
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