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|  |  | | | | | 您好，是垂直的。因为有主电路的功率地做隔离，我觉得不一定会吧。
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 |  | | | | 会的，因为功率地也是干扰源。应该用PE层或者一个GND层（可以用大面积敷铜的脏地）把热点，功率地和驱动信号部分分开。驱动信号线和功率线垂直。最好的是驱动信号和功率部分不交叉。
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| | | | | | | 您好，最近布的一块板，前级是交错Boost PFC，后级是LLC。
Boost 部分，驱动线跨过热点，但是第3层有主电路的功率地做屏蔽。
LLC部分，驱动线跨过半桥热点，但是驱动线与半桥热点没有地做隔离。
现在的效果是，
Boost驱动线是没有干扰，但是LLC上有干扰。
严格来说，控制电路与主功率电路是隔离的，控制电路没有单点接地到主电路。那么，主电路的功率地应该算作干净地吧（我没找到干扰来源）
干净地，或者说固定点位用来做屏蔽。我觉得是可行的，您觉得呢?
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| | | | | | | | | 主功率地因为有大电流流过，较高的di/dt会对外有比较大的干扰。所以主功率地也算干扰源之一。
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| | | | | | | | | | | 您好，主功率地与热点还是有一定的区别的。
热点：电压突变，电流也突变
主功率地：电势不会突变，电流突变。
因此，电流突变会对功率地本身与连接到功率地的器件造成影响，
功率地的较大的di/dt也可以通过寄生电容干扰到其他的走线。
小小总结，多多指导。感谢您的回复。
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| | | | | | | | | | | | | 你总结的是对的，我是说功率地一般是不作为屏蔽驱动和功率部分的屏蔽层用。
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| | | | | 这样没有问题，所提问题均可以归结为MOS结电容对待，可以精确测量
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| | | | | | | 驱动信号本身就是强劲的干扰源，只有它干扰别人，别人怎么干扰到它呢？板子上MOS驱动电阻放到MOS脚边，GS并个10K电阻，先这么干一版再说；
不好意思回复错层了，这是对主题回的 
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| | | | | | | | | 你这是过度敏感了，对一只MOS而言，热点就是D，它对驱动电路的耦合可以归结为Crss的增加值，它对地的耦合可以归结为Coss的增加值，这些耦合电容都可以在板精确地测量出来，与MOS原生电容相比一般都不在一个数量级，影响是非常有限的，远远小于更换不同型号的MOS带来的影响，大可不必耿耿于怀。
不好意思回复错层了，这是对楼主回的
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| | | | | | | | | | | 李工，您好！
请问如何精确测量出驱动线与热点之间的等效电容喃？使用阻抗分析仪一头夹在热点，一头夹在驱动线吗？
麻烦您指点指点。
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| | | | | | | | | | | | | 关机、离线、彻底放电、高频、低压，避开二极管导通电压测量、拔掉MOS与不拔掉MOS的Cxss
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 测一组数据晒出来看看，估计对普通高压MOS影响不大，对氮化硅恐怕就不行了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 李工您好，我将整流二极管拔掉。使用300kHz的LCR表测量寄生电容可以吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 李工，您好！麻烦您看下下面测试条件正不正确。正确的话，我就开始测啦。
测试仪器：数字LCR电桥E4980AL
测试对象：上文提到的四层电路板的寄生电容
测试条件： 数字LCR电桥输出，频率：300kHz 电压峰值：0.3V 的正弦波
测试方法：
1、电路板上整流二极管保留（整流二极管的正向导通电压为1.5V） ，分别测量有开关Mosfet与没有Mosfet的Cgd、Cds电容大小。
2、夹子分别夹在Mosfet的ds、dg两端，分别测量等效串联寄生电容Cs。
3、将Mosfet拔掉，在与步骤二相同的位置测量等效串联寄生电容Cs。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 李工，您好。测试电压我改为0.3V了（整流二极管的导通压降为1.5V）。其他测试条件不变。
经过多次测量，取了一个折中的值。测试数据如下：
测试数据：
Cgs Cds Cgd
含MOSFET及散热器 4.20nF 14.2nF 3.9nF
不含MOSFET及散热器 164pF 1.5nF 230pF
数据分析：
不含MOSFET及散热器的情况下，Cds有1.5nF，远远大于同等条件下的Cgs、Cgd
可能原因是：
主功率电路的地，与热点的重叠面积较大。导致寄生电容较大。
驱动走线15mil，驱动线与热点、主功率回路的地交叠面积较小，因此Cgs较小。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 可能有其他因素影响（你可以再单独测试MOS、或者不同MOS），但很明确的是，果然呈数量级差别，因此不必纠结此事。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 测试数据：
Cgs Cds Cgd
含MOSFET及散热器 4.20nF 14.2nF 3.9nF
不含MOSFET及散热器 164pF 1.5nF 230pF
单独MOSFET及散热器 4.11nF 14.9nF 3.89nF
数据分析：
第三组数据是今天早上测的，存在一个数据异常点，反复测量几次仍然是这个数值。
单独MOSFET及散热器的Cds > 含MOSFET及散热器的Cds
可能原因：1、MOSFET是放在桌上测量的，MOSFET及散热器及桌面环境形成的等效寄生电容。
2、测量仪器造成的误差。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Cgs=Cgd ？这明显不合理，除非DS短路或者有连接
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 李工，您好！
刚才我用了四个不同的全新MOSFET，按照上次的测试条件，测量了他们的寄生电容。测试结果如下：
Cgs Cgd Cds
IPW6R125P6 4.1nF 3.85nF 14.9nF
IPW6R041P6 12.9nF 12.4nF 46.0nF
IRFP350 3.6nF 3.58nF 4.12nF
IRFP260 5.5nF 5.66nF 5.4nF
测试结果分析：
1、以上四个MOSFET的Cgs 约等于Cgd的值。
2、本次测量数字LCR表测量的串联等效电容Cs。
您觉得测试结果正常不？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不正常，改测试参数，正常的应该是Cgs>>Cds>>Cdg
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 李工您好！今天我使用阻抗分析仪测量了IPW6R125P6的寄生电容。
分别测量了300kHz/0.1V、300kHz/0.3V、300kHz/0.5V
500kHz/0.1V、500kHz/0.3V、500kHz/0.5V
1MHz/0.1V、 1MHz/0.3V、1MHz/0.5V九种参数下的串联等效电容Cs和并联等效电容Cp。
测量结果：Cgs 与 Cgd 差异不大。Cds大于Cgs、Cgd。
这次是使用阻抗分析仪测量的、数字LCR表测量也是这个结论。
您认为是什么原因喃？
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IPW6R125P6寄生电容测试数据
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 确实令人费解，你看能不能解方程求解，Cgs应该显著比Cds更大，与数据手册对比一下？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您说得很对，MOSFET寄生电容是一个曲线。官方数据手册已经给出测试方法和测试结果曲线。
这个帖子主要是讨论，驱动线与热点、功率地之间的干扰问题。
目前，通过拔掉MOSFET，已经能测量出，驱动线与热点等效的Cgd值并不大，pF级别。
功率地与热点等效的Cds值也不大，至少比MOSFET的Cds要小。
感谢您的回复。
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| | | | | | | | | 您好！热点对驱动信号的影响分析如下。
当上管导通，下管关断时，热点电压上升。开关速度越快，输入电压越高，热点的 dv/dt越大。
由于下管的Cgd的存在，那么，因为热点电压的上升，导致流过Cgd的电流 igd=Cgd*dV/dt.
又因为此时下管的驱动为零，所以igd电流流向了下管的结电容Cgs。
因此，Vgs的电压上升。
更恶劣的情况是下管误导通。
楼下李工的意思是，驱动线与热点的重叠部分，增加了Cgd的值；
功率地与热点的重叠部分，增加了Cds的值；
虽然增加了，但是增加的量非常小。与原管子的Cgd，Cds不是一个数量级别。
感谢您的回复！
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热点对驱动信号影响路径
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热点对驱动信号影响的波形图
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