反激嵌位线路问题-电源管理方案充电器/适配器-世纪电源网社区

samli

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2021-9-25 16:57:49

20问答币

通常flyback反激嵌位线路使用RCD，而本例嵌位线路中R1值为4.7MΩ，D1~D3使用的是SOD123封装，但不知道具体型号，本体的mark 查不到具体型号，嵌位之后MOS VDS电压最大在637V。D1~D3使用FR107, 1N4007, RL207等快慢管都试了，MOS VDS电压都在750V以上。此线路应用比较少，请各位大佬帮忙指导，D1~D3使用什么类型的管子？

MOS嵌位线路

MOS VDS波形1

MOS VDS波形2

		2 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师 2021-9-26 17:32:02 倒数4
		减小R1为几百K，电压就小了。感觉这电路没用：电容用这么大？回复 \| 举报 \|

			3 samli samli 离线 LV6 高级工程师积分：414 \| 主题：1 \| 帖子：2 访问空间发消息积分:414 LV6 高级工程师 2021-9-26 21:22:16 倒数3
			R1减小到几百K，确实有用，D1 ~D3使用RL207, VDS可以降下来。此线路是有用的，R1维持不变，使用板子上的D1~D3，VDS可以到637V, 此线路D1~D3是关键，就是不太清楚D1~D3为何种管子。回复 \| 举报 \|

				4 tigerzhang100 tigerzhang100 离线 LV8 副总工程师积分：2164 \| 主题：0 \| 帖子：153 访问空间发消息积分:2164 LV8 副总工程师 2021-9-27 14:02:54 倒数2
				D1~D3 使用1N4007慢管吸收效果最好，但是二极管功耗会大一些，管子比较热。这个就看发热情况，另外，看震荡尖峰，吸收电容不用太大，但是C3还是有点偏小。尖峰压制情况就看电阻了，在热耗可控情况下，尽量减小电阻值。回复 \| 举报 \|

		5 pbx2015 pbx2015 离线 LV8 副总工程师积分：2512 \| 主题：8 \| 帖子：96 访问空间发消息积分:2512 LV8 副总工程师最新回复 2021-10-8 20:19:33 倒数1
		这个应该是“箝位”，这个字应该才是回复 \| 举报 \|

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