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| | | | | | | | | | | 但是应该不影响下管GS PWM波吧,我测的是下管波形,输出一直为0
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| | | | | | | | | | | | | | | SI8233数据手册写的是,DISABLE高电平时无条件输出低电平,那么使能不就是输入低电平?
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| | | | | | | | | | | | | | | 但是下管确实一直都是0V,请问是什么原因?难道电路错了吗
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| | | | | Siliconlabs的隔离驱动芯片SI8233在驱动MOS管时,电路设计需要注意:1、在驱动侧设计可以用TVS管进行门极电压钳位;2、如果SI8233的驱动MOS管,上升沿会太快,怕造成门极抬升,可以适当将外接的门极电阻调大;3、在副边供电电源的选择,高压侧供电可采用自举或单独的电源供电,电压不建议超过24V;4、 另外芯片的原边侧供电,靠近VDD与GND侧需要加电容,防止供电电压波动造成芯片损坏。
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| | | | | 我也遇到了和楼主同样的问题,最后发现是驱动芯片的12V驱动电源的地应该和PGND工地,否则是无法形成供电回路产生波形的。希望后来人能够用得上 |
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