| | | | | 首先是自举电路两个重要的参数,自举电容和自举二极管。自举电容主要考虑其容值的大小、耐压等级、电容类型,后两者选择较为简单;耐压等级根据驱动电压的大小进行选择,电容材质一般选择瓷电容,需要计算的是自举电容的大小,下面进行介绍。
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| | | | | | | 自举电容的计算其实非常简单,计算的原则就是在满足高端MOS导通的条件下,自举电容电压仍然能够维持在10V以上,然后就是根据这一原则计算电容值,计算公式如下。
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| | | | | | | | | 对于某些资料,我认为主要有两处错误,其中 为所取的裕量, ;很多资料将MOS管Qg参数再取两倍,, ;此外, , ,对于变频控制,
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| | | | | | | | | | | | | | | 此外,与MOS管串联的驱动电阻,可以通过计算得出,同样,某些工程师唯经验论,要么取10Ω要么取20Ω,这么选取确实有道理,但是不够准确,缺乏理论支撑,下面介绍驱动电阻如何选取。有空更~
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