| | | | | 拓扑结构不成立,既可能过流,也可能过压
这样才成立(Buck):
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| | | | | | | 多谢版主回复!您的意思是MOS开通关断时,MOS会产生浪涌电流,能量不平衡?需要续流二极管和储能电感?
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| | | | | | | | | 输入电容是为了稳定输入电压常规措施,电感是为了限流(限di/dt),二极管是为了钳位关断电压过冲
如果你不急着这几个mS的话,采用缓开关也可达此目的,比如:
此外你5V驱动电压偏低,最好再增加几V
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| | | | | | | | | | | 刚才加了缓开关电路,测试发现在MOS打开时GS波形有延时,大约10-20ms,但是依然烧MOS。这是刚才测量到的烧坏时的MOS管GS波形,带载0.1A,高电平2S正常打开MOS,然后低电平3S关闭MOS,这个5S都能正常开关。但是下个周期开始打开MOS时,发现GS波形就是一个小尖峰,此时MOS管烧坏,DS一直处于导通状态,Vgs电压接近0V。这个波形是带载0.1A条件下测量的,而且这个0.1A是在MOS导通2S时加入的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 版主您好!我上午使用稳压12V电源来驱动供电,图片中黄色是VDS波形;红色是IDS波形;绿色是VGS波形,带载1.5A电流情况下测试,发现在MOS开通瞬间,会有一个很大的尖峰电流经过MOS,达到80A,现在怀疑是这个浪涌电流将MOS击穿。请问有什么办法能降低尖峰电流吗?等会我试一下回路串联一个电感。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 按照你的电路调试,现在的确不烧MOS了。但是没明白原理,以前用5V供电,是驱动电压太低吗?我直接用稳压电压接12V也不行。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不烧就行了,原理是以时间换空间,简单说就是用80mA10mS取代之前的80A10uS
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | 按你的电路,栅电压超标了;很容易烧。建议按NC965建议,但1uF电容建议缩小至10nF.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问版主,您的“栅电压超标了”是什么意思?我的驱动电压最大5V,为什么为超标呢?但是实际测试用5V就是会烧MOS。
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| | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | 你的电路和你的描述,只标明你觉得MOSFET是在关断失效。
但究竟是开通已经失效导致关断失效,还是真在关断失效?是栅失效还是驱动不利?
你有证据说明吗?
建议拿示波器仔细测下。如有问题;建议传波形讨论。
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| | | | | | | 多谢回复!图片是测量到的波形,黄色是输出电压波形,即+48VA1和GND1的电压波形;蓝色是驱动波形,即+48V_CTRL波形,这个波形是在带载1A情况下测到的,从波形看应该是在CTRL拉低、GS拉高开通MOS的时候烧坏,此后CTRL高低电平变化时,输出电压一直保持不变,比最开始的输出电压低2V。这个时候测试G级电压接近0V,大约0.4V。就是这个地方不清楚具体是什么原因导致MOS开通时候烧坏的?开通瞬间的浪涌电流太大导致吗?MOS的寄生电容影响?
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| | | | | | | 请问vgs如何过压的?我用示波器测试,vgs电压没超过5v,没发现有毛刺。但mos烧坏后测量gs两端电阻,只有几Ω。
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| | | | | | | | | 那估计是结电容分压导致Mos误导通,Mos在放大状态而烧毁。建议选用vgs(th)高的管子试试
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| | | | | | | 这是刚才测量到的烧坏时的MOS管GS波形,高电平2S正常打开MOS,然后低电平3S关闭MOS,这个5S都能正常开关。但是下个周期开始打开MOS时,发现GS波形就是一个小尖峰,此时MOS管烧坏,DS一直处于导通状态,Vgs电压接近0V。
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| | | | | | | | | 这个波形是带载0.1A条件下测量的,而且这个0.1A是在MOS导通2S时加入的。
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