ASC5N1700MT3 / ASC100N1700MT4碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术,可提供卓越的开关
与硅相比,性能和可靠性更高。 此外,低导通电阻和
紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包括
最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI,以及
减小系统尺寸。 SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。
1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。 2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小,以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。 3、要求驱动器具有双路输出端口。 4、支持高开关频率(开关频率至少支持400KHz) 5、支持高安全隔离电压 6、3-5V的负压关断,开启要18V-20V。
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车)中优化性能。但是,由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性,使其与硅基电路相比,这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感。
大功率多管并联案例
SCH
碳化硅MOS(SIC MOSFET)应用设计指南.pdf
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