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碳化硅mos替代IGBT的可行性

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伟林电源
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  • 2022-4-18 14:23:21
如题讨论。
在应用中,用碳化硅去替代IGBT的应用,实际可能存在的难点是什么?彼此是否有不可替代性?
nc965
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  • 2022-4-18 14:41:18
 
用碳化硅去替代IGBT没有难点,但不能彼此代替
伟林电源
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  • 2022-4-19 09:53:51
  • 倒数6
 
当成本不再是问题的前提下,碳化硅替代IGBT如何不能实现?
碳化硅mos与IGBT的对比优势有:
1、更宽泛的电压,最高可以10kv甚至更高;
2、更低的开关损耗(没有IGBT电流拖尾);
3、能实现更高工作频率;
4、更低的反向恢复损耗(体二极管优势);
yyy3400462929
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  • 2022-4-24 10:56:02
  • 倒数1
 
有有些产品应用中,碳化硅MOS和IGBT分别有优势,碳化硅MOS有高耐压,高频率,耐高温,等优势
下面是DFN5*6封装的碳化硅MOS,驱动电压15V QQ图片20220424105517.png QQ图片20220424105614.png 00.png
st.you
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  • 2022-4-18 15:07:07
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驱动电压不一样,价格不一样
伟林电源
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  • 2022-4-19 09:55:29
  • 倒数5
 
电路可以重新设计,并不是要PIN对PIN去替换。只是在IGBT的应用领域进行替代。
Q403920015
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高级工程师
  • 2022-4-18 16:08:46
  • 倒数9
 
氮化镓MOS可以考量替代。 不用负压关断。
低内阻
低Ciss Coss
低Qg
低Trr
低Qrr
CoolMOS同样的VgS

与CoolMOS的差别就是pin脚位,CoolMOS是GDS,此GaN的是GSD

运用于大功率电源中,高端PC,通信电源,工业电源,充电机,充电桩,储能产品代替IGBT等


2.png
1.png

BingSun
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  • 2022-4-18 19:32:43
  • 倒数8
 
驱动电压差不多,响应速度不在一个量级上。

像电磁炉这样成熟的产品,大多用15A或是25A的IGBT,价格便宜,质量稳定。若换碳化硅MOS,成本成倍上升。
伟林电源
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  • 2022-4-19 09:45:06
  • 倒数7
 
不考虑成本因素,单从技术参数角度去评估可行性。
目前IGBT的工作频率都可以做到60khz以上,此高频IGBT的成本并不便宜。
BingSun
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  • 2022-4-19 19:25:57
  • 倒数2
 
当然可行。

以前做了一个双管加热,后来客户要换单管加热,可以省掉一个管子与一片驱动IC。

核心还是省成本嘛!!!!
joezzhang
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副总工程师
  • 2022-4-19 16:40:50
  • 倒数4
 
不考虑成本因素的话,绝大多数情况下SiC可以取代IGBT

但是对于有瞬时过功率的应用(比如兆瓦级别的工业电机应用),不宜把IGBT换成SiC,IGBT耐短路电流时间比SiC高一个数量级


BingSun
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副总工程师
  • 2022-4-19 19:23:22
  • 倒数3
 
一个60KW充电桩模块才卖4000-5000,用SiC是不是想死啊!

成本是一个重大的因数。

耐冲击是另一个非常重大因数。(要解决又回到上面那一条)
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