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|  |  | | | | | 当成本不再是问题的前提下，碳化硅替代IGBT如何不能实现？
碳化硅mos与IGBT的对比优势有：
1、更宽泛的电压，最高可以10kv甚至更高；
2、更低的开关损耗（没有IGBT电流拖尾）；
3、能实现更高工作频率；
4、更低的反向恢复损耗（体二极管优势）；
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| |  | | | | | 电路可以重新设计，并不是要PIN对PIN去替换。只是在IGBT的应用领域进行替代。
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 | | | | | 驱动电压差不多，响应速度不在一个量级上。
像电磁炉这样成熟的产品，大多用15A或是25A的IGBT，价格便宜，质量稳定。若换碳化硅MOS，成本成倍上升。
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| | | | | | | 不考虑成本因素，单从技术参数角度去评估可行性。
目前IGBT的工作频率都可以做到60khz以上，此高频IGBT的成本并不便宜。
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| | | | | | | | | 当然可行。
以前做了一个双管加热，后来客户要换单管加热，可以省掉一个管子与一片驱动IC。
核心还是省成本嘛！！！！
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| | | | | 不考虑成本因素的话，绝大多数情况下SiC可以取代IGBT
但是对于有瞬时过功率的应用（比如兆瓦级别的工业电机应用），不宜把IGBT换成SiC，IGBT耐短路电流时间比SiC高一个数量级
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| | | | | | | 一个60KW充电桩模块才卖4000-5000，用SiC是不是想死啊！
成本是一个重大的因数。
耐冲击是另一个非常重大因数。（要解决又回到上面那一条）
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