QR 反激 的谷底开通是怎么实现的

各位大佬，大家好，
小弟之前做的反激电源都是定频模式，没有做过QR 的模式，
有个关于谷底开通的地方还是没有想明白，还请知道的大佬不吝赐教。
就是在原边MOS 段开时，原边电感电流转移到副边，副边电感电流续流，电流值减小，当副边电感电流减小到零后，原边的电感与MOS 的Coss 自由振荡，并且振荡不断衰减，等关段时间到后，下一个周期开通。
而QR ， 通过耦合 原边电感电压波形，通过检测谷底电压，进行开通，
小弟的问题是：
1） 这个谷底检测方案  怎么区分不同的Vin 电压的条件？因为从图中可以看出 不同的Vin 条件下，电感断续时的mosfet Vds谷底电压值是不一样的，我ZCD 跟一个固定的Vth 比较不太合适吧，所以问题就是怎么实现不同Vin 条件下的谷底开通？

2） 这个谷底开通技术  怎么实现不同的Io 条件下的谷底开通 ？ 从两张图中可以明显看出，即使Vin 相同， 不同的Io 条件下，谷底开通时刻Vds值是不一样的？

3） 这个谷底开通技术，请问一下为什么不在第一个谷底就开通呢？ 第一个谷底VDS 最小，这样的话，开关损耗最低，效率最高。 为什么谷底开通需要在多个振荡后才开通？

问题有点多，也许这几个问题都是关联的，还请知道的大佬不吝赐教，谢谢了。