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未解决

800wPFC炸管

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张合
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  • 2022-5-24 22:31:59
10问答币
带载650W切换到720W炸管子?为什么  求助
65e29dec0427c2464d364098725e125.jpg
0254b13ebbfcfdd678af723a0982745.jpg
115截图20220524222948.png
张合
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  • 2022-5-24 22:33:43
 
带载 600W   PF值0.993   THD7.5%   600W
张合
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  • 2022-5-24 22:35:51
 
原理图奉上
115截图20220524223416.png
chaos2008
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  • 2022-5-25 07:50:39
 
有可能驱动芯片有问题,或者换成图腾柱驱动试试
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  • 2022-5-25 08:24:48
 
Rg电阻都100欧姆了,  跟驱动芯片驱动有什么关系,你不会算电流吗?
chaos2008
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LV8
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  • 2022-5-25 10:05:32
 
驱动上升时间才100多纳秒,有些驱动芯片在动态时可能会乱掉,原来也遇到过
能源消耗
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  • 2022-5-25 10:58:24
 
驱动就是怕驱动电流不足,  RG都100o 了可以排除芯片驱动不足。100-500nS  是正常的上升 波形范围, 波形图非常完美,你不看吗?
chaos2008
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LV8
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  • 2022-5-25 11:37:48
 
可能表达不清,没有说驱动能力不足的意思;驱动波形正常情况下完美,不代表动态情况下驱动波形也是完美,有这个可能性,原来也遇到类似的情况
谢开源
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  • 2022-5-25 10:28:41
 
请问:驱动IC为什么时5V供电?那PFC Mos的驱动不也只有5V?
PFC Mos用的是什么管子,一个管子出800W不够吧?
张合
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  • 2022-5-25 22:41:49
 
管子用的英诺赛科8*8封装   QG=3NC   推荐驱动电压为6V   炸管子是使用5V驱动   今天改成6V驱动了
     管子电流为ID=17A      计算的管子峰值电流为9.5A      
谢开源
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  • 2022-5-26 09:40:47
 
8x8靠PCB来散热出800W?难!
估计至少要3pcs并联
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  • 2022-5-26 21:20:34
  • 倒数10
 
现在12/40A   GAN温度85度    空载切换到12V/40管子就坏了    散热是外壳导冷    今天测试GAN温度考靠风扇吹   
  不是热导致的,考虑是驱动导致的。找不到啥办法了。。。。。。

VDS与VGS

VDS与VGS

VDS与VGS

VDS与VGS

切换12V/30A

切换12V/30A

VDS与VGS

VDS与VGS
029d348f3055eefebdb95c3f3d5dc3e.jpg
a13337559b69737223a46e22f4337b7.jpg
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  • 2022-5-25 22:52:43
 
驱动芯片使用的是思瑞普4A驱动
colindun
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最新回复
  • 2022-9-25 21:45:22
  • 倒数1
 
这个功率问什么不用交错,体积小,频率也不用这么高
st.you
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  • 2022-5-25 10:11:45
 
需要排除  电感饱和,然后,加一级驱动,减小流经控制芯片的电流。
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  • 2022-5-25 11:03:06
 
就增加那么一点功率,电感就饱和了?  你也太敏感了吧。不乱下结论, LZ电路都不全,故障细节不清楚。 完全瞎猜。
st.you
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  • 2022-5-25 12:38:45
 
看清楚文字,我没肯定饱和,是要排除!600到720,功率增加20%,如果设计比较极限,磁芯饱和怎么就不可能?每个人的经验和知识结构不同,根据自己掌握和结合现有的条件进行判断,怎么就瞎猜了?
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  • 2022-5-26 21:25:53
  • 倒数8
 
饱和磁芯0.95T  现在满载计算磁密0.4T    这个磁芯  我用L4981上1200W没问题   也是单管GAN
6666.png
st.you
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  • 2022-5-27 14:55:12
  • 倒数5
 
我就被劣质GAN坑过,莫名其妙炸,换个品牌的就好了。
张合
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  • 2022-5-25 23:14:53
 
请问您还需要什么电路?这是PFC电路全部
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  • 2022-5-25 23:20:54
 
故障细节为   后级为LLC  12V/60A   开始带载20A 15分钟   ,30A/5,40A/5,50A/10 ,带载60A 管子炸开了
nc965
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  • 2022-5-25 12:42:01
 
核算电感饱余量,确保不过流
核算【三圈两地】第一个圈,确保不过压
清理芯片EMC环境,确保驱动不乱来
检测12V电压,确保不掉入半开通
适当假负载,确保空载不发飙
绿色6.8V是啥波形?
C28拿掉
C29偏小
R28上少个节点,OCP没了
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  • 2022-5-25 12:48:24
 
哥,那个绿色波形6.8V只是所致位置,其实波形幅度约17V
nc965
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  • 2022-5-25 12:56:48
 
说好的12V呢?如果是不明原因升到了17V,就有点悬了
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  • 2022-5-25 22:51:50
 
请问您 哪里有17V
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  • 2022-5-26 07:57:32
 
我看错了,真是6.8V,这波形肯定是驱动的波形。 低压驱动的MOS   ,用在主变换上,第一次遇到。
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  • 2022-5-25 22:51:13
 
控制芯片  昂宝6572ccm
111.png
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  • 2022-5-25 23:14:00
 
谢谢,昨天C28已经拿掉
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  • 2022-5-25 23:17:44
 
6.8V是驱动电压

驱动波形

驱动波形
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  • 2022-5-27 20:32:18
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您好,这款OCP在内部。
77.png
88.png
tigerzhang100
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  • 2022-5-25 20:33:36
 
从驱动波形,大胆猜测,这个用的是碳化硅或者氮化镓的管子。这个最有可能是氮化镓。
开关频率很高,如果确定工作波形无异常,要看下管子的散热。
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  • 2022-5-25 22:46:39
 
氮化镓 管子   200KHZ   铂科磁芯     100%确认电感不会饱和     绿色是驱动波形
xkw1cn
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  • 2022-5-25 22:15:06
 
波形基本正常情况下,炸管;基本是过热。包括瞬态和稳态两个方面。
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  • 2022-5-25 22:55:36
 
今天点温了热带载300W管子风扇吹50度
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  • 2022-5-26 21:23:08
  • 倒数9
 
550W切换就换管子  管子温度85℃
xkw1cn
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  • 2022-5-26 23:07:36
  • 倒数6
 
已经很热了。。。
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  • 2022-5-25 22:54:22
 
绿色为驱动b波形
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  • 2022-5-25 22:59:08
 
今天测试的波形图

示波器全带宽波形

示波器全带宽波形

示波器全带宽波形

示波器全带宽波形

20M带宽波形

20M带宽波形

示波器全带宽波形

示波器全带宽波形

20M带宽波形

20M带宽波形

20M带宽波形

20M带宽波形
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  • 2022-5-25 23:03:47
 
现在怀疑一为米勒平台震荡 导致  二为负压导致

   热与电感饱和可以排除    铂科磁芯

磁芯l

磁芯l

磁芯l

磁芯l
444.png
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  • 2022-5-25 23:10:42
 
具体情况是这样
此次PCB为第二版 ,   第一版驱动电压使用的为9V驱动控制芯片直接驱动,  因为管子极限电压为10V ,为了稳定安全,  所以第二版更改驱动电压为6V  官方推荐 。第一版使用没有炸过管子电路参数没有改动过(驱动方式改过了见图)



5555.png

AN001---650V InnoGaN Drive Circuit Design.pdf

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  • 2022-5-25 23:24:51
 
炸的管子漏源没有击穿   只有栅源击穿阻抗2Ω
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  • 2022-5-25 23:38:45
 
满载89℃
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  • 2022-5-26 08:14:55
 
这管子牛逼6V, 有原配电压的管理芯片就好了。:

1653524957(1).jpg

照搬啊, 和你驱动电路不一致啊。
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  • 2022-5-26 10:18:34
 
波形好差

驱动振荡

驱动振荡
张合
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  • 2022-5-26 10:19:48
 
就一个开通电阻不一样。还有什么不一样
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  • 2022-5-26 10:45:01
 
绿色驱动,黄色vds  驱动负压尖峰是为什么导致
1653533042472.jpg
1653533058402.jpg
谢开源
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  • 2022-5-26 11:23:43
 
PFC硬开关没必要弄这么高工作频率吧?你的二极管是用的SiC吗?
Mos使用GaN的话,驱动最好kelvin走线(GaN 的SK脚)以减小干扰
炸机不以定是PFC的原因吧?单独拉PFC载看看
张合
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  • 2022-5-26 15:10:27
 
是的碳化硅,,主要电源磁芯大了装不下受限
现在没搞明白绿色驱动那个负压怎么来的
谢开源
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LV10
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  • 2022-5-26 16:47:35
 
你的地是夹大电解电容上的吗?
张合
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  • 2022-5-26 21:28:23
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是的 电容是贴片10uf两个
Q403920015
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  • 2022-5-28 12:13:17
  • 倒数3
 
我是英诺赛科代理800W 用多个GaN并联肯定不行,英诺的GaN是电压型的,原厂也只建议最多两个并联,再多就可能炸机。

我们的客户做360W 用三个并联,单机调试没有问题,批量生产就会有个别炸机,换CoolMOS就没有问题了。
建议可以用英诺的80mR 两个管子来试下,再或者是可以用华润微的GaN来做,一个管子50mR,TO-247封装 ,CoolMOS驱动就行,不过GaN的S极脚在中间,可以不加绝缘片直接锁散热片,我们已经做了850W的PC电源机子。有兴趣私聊我。

谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-5-28 13:22:08
  • 倒数2
 
如上面网友所述,用D-mode的GaN来试试看看(E-mode 6V驱动,D-mode:11V驱动)
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