| | | | | 带载 600W PF值0.993 THD7.5% 600W
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | Rg电阻都100欧姆了, 跟驱动芯片驱动有什么关系,你不会算电流吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 驱动上升时间才100多纳秒,有些驱动芯片在动态时可能会乱掉,原来也遇到过
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 驱动就是怕驱动电流不足, RG都100o 了可以排除芯片驱动不足。100-500nS 是正常的上升 波形范围, 波形图非常完美,你不看吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 可能表达不清,没有说驱动能力不足的意思;驱动波形正常情况下完美,不代表动态情况下驱动波形也是完美,有这个可能性,原来也遇到类似的情况
|
|
|
| | | | | | | | | 请问:驱动IC为什么时5V供电?那PFC Mos的驱动不也只有5V?
PFC Mos用的是什么管子,一个管子出800W不够吧?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 管子用的英诺赛科8*8封装 QG=3NC 推荐驱动电压为6V 炸管子是使用5V驱动 今天改成6V驱动了
管子电流为ID=17A 计算的管子峰值电流为9.5A
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 8x8靠PCB来散热出800W?难!
估计至少要3pcs并联
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 现在12/40A GAN温度85度 空载切换到12V/40管子就坏了 散热是外壳导冷 今天测试GAN温度考靠风扇吹
不是热导致的,考虑是驱动导致的。找不到啥办法了。。。。。。
-
VDS与VGS
-
VDS与VGS
-
切换12V/30A
-
VDS与VGS
-
-
|
|
|
|
|
| | | | | 需要排除 电感饱和,然后,加一级驱动,减小流经控制芯片的电流。
|
|
|
| | | | | | | 就增加那么一点功率,电感就饱和了? 你也太敏感了吧。不乱下结论, LZ电路都不全,故障细节不清楚。 完全瞎猜。
|
|
|
| | | | | | | | | 看清楚文字,我没肯定饱和,是要排除!600到720,功率增加20%,如果设计比较极限,磁芯饱和怎么就不可能?每个人的经验和知识结构不同,根据自己掌握和结合现有的条件进行判断,怎么就瞎猜了?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 饱和磁芯0.95T 现在满载计算磁密0.4T 这个磁芯 我用L4981上1200W没问题 也是单管GAN
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 我就被劣质GAN坑过,莫名其妙炸,换个品牌的就好了。 |
|
|
|
| | | | | | | | | 故障细节为 后级为LLC 12V/60A 开始带载20A 15分钟 ,30A/5,40A/5,50A/10 ,带载60A 管子炸开了
|
|
|
| | | | | 核算电感饱余量,确保不过流
核算 【三圈两地】第一个圈,确保不过压
清理芯片EMC环境,确保驱动不乱来
检测12V电压,确保不掉入半开通
适当假负载,确保空载不发飙
绿色6.8V是啥波形?
C28拿掉
C29偏小
R28上少个节点,OCP没了
|
|
|
| | | | | | | 哥,那个绿色波形6.8V只是所致位置,其实波形幅度约17V
|
|
|
| | | | | | | | | 说好的12V呢?如果是不明原因升到了17V,就有点悬了
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我看错了,真是6.8V,这波形肯定是驱动的波形。 低压驱动的MOS ,用在主变换上,第一次遇到。
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | 从驱动波形,大胆猜测,这个用的是碳化硅或者氮化镓的管子。这个最有可能是氮化镓。
开关频率很高,如果确定工作波形无异常,要看下管子的散热。
|
|
|
| | | | | | | 氮化镓 管子 200KHZ 铂科磁芯 100%确认电感不会饱和 绿色是驱动波形
|
|
|
| | xkw1cn- 积分:131377
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55621
积分:131377 版主 | | | 波形基本正常情况下,炸管;基本是过热。包括瞬态和稳态两个方面。 |
|
|
|
|
| | | | xkw1cn- 积分:131377
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55621
积分:131377 版主 | | | | | |
|
|
|
| | | | | | | 今天测试的波形图
-
示波器全带宽波形
-
示波器全带宽波形
-
20M带宽波形
-
示波器全带宽波形
-
20M带宽波形
-
20M带宽波形
|
|
|
| | | | | | | | | 现在怀疑一为米勒平台震荡 导致 二为负压导致
热与电感饱和可以排除 铂科磁芯
|
|
|
| | | | | | | | | | | 具体情况是这样
此次PCB为第二版 , 第一版驱动电压使用的为9V驱动控制芯片直接驱动, 因为管子极限电压为10V ,为了稳定安全, 所以第二版更改驱动电压为6V 官方推荐 。第一版使用没有炸过管子电路参数没有改动过(驱动方式改过了见图)
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 这管子牛逼6V, 有原配电压的管理芯片就好了。:
照搬啊, 和你驱动电路不一致啊。
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | PFC硬开关没必要弄这么高工作频率吧?你的二极管是用的SiC吗?
Mos使用GaN的话,驱动最好kelvin走线(GaN 的SK脚)以减小干扰
炸机不以定是PFC的原因吧?单独拉PFC载看看
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的碳化硅,,主要电源磁芯大了装不下受限
现在没搞明白绿色驱动那个负压怎么来的
|
|
|
|
|
| | | | | 我是英诺赛科代理800W 用多个GaN并联肯定不行,英诺的GaN是电压型的,原厂也只建议最多两个并联,再多就可能炸机。
我们的客户做360W 用三个并联,单机调试没有问题,批量生产就会有个别炸机,换CoolMOS就没有问题了。
建议可以用英诺的80mR 两个管子来试下,再或者是可以用华润微的GaN来做,一个管子50mR,TO-247封装 ,CoolMOS驱动就行,不过GaN的S极脚在中间,可以不加绝缘片直接锁散热片,我们已经做了850W的PC电源机子。有兴趣私聊我。
|
|
|
| | | | | | | 如上面网友所述,用D-mode的GaN来试试看看(E-mode 6V驱动,D-mode:11V驱动)
|
|
|