PFC驱动电阻选择多大？-综合电源技术-世纪电源网社区

xinshoudianyuan

xinshoudianyuan
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2022-7-5 08:42:50

10问答币

PFC的管子，选择的是英飞凌超结管子IPW60R099P7，或者IXFH34N65X2之类，请问这类管子的驱动电阻是不是要比较大一些，如15~22R比较合适？以免引发过大的dv/dt导致MOS失效。

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		2 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师 2022-7-5 09:51:10
		实测吧，Qg=Ig*t.其Qg来自Mos datasheet,Ig则受你的Rg影响。但t的结果影响效率/EMI及你所说的可靠性，所以得折中。回复 \| 举报 \|

			4 xinshoudianyuan xinshoudianyuan 离线 LV6 高级工程师积分：1383 \| 主题：53 \| 帖子：223 访问空间发消息积分:1383 LV6 高级工程师 2022-7-5 14:23:24
			请问Ig这个电流怎么计算？谢谢！回复 \| 举报 \|

				7 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师 2022-7-5 16:39:14 倒数10
				Vg/Rg+Rr(IC内部电阻）回复 \| 举报 \|

					9 xinshoudianyuan xinshoudianyuan 离线 LV6 高级工程师积分：1383 \| 主题：53 \| 帖子：223 访问空间发消息积分:1383 LV6 高级工程师 2022-7-5 17:02:26 倒数8
					我来计算一下：以IXFH34N65X2为例，驱动芯片TC4424 Rg=15R，Rr=2.5R，Ig=Vg/Rg+Rr=15/17.5=0.875A； t=Qg/Ig=56nC/0.875=64ns。也就是说，驱动PWM开通MOS过程中，管子用了64ns，Vds就从400V跌落到0V，dv/dt=400V/64ns=6.25V/ns，是这样吗？回复 \| 举报 \|

						12 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师 2022-7-5 19:11:14 倒数5
						这只是粗略计算，因为datasheet的Qg测试条件与你的实际条件不一样。而且由于米勒平台存在，充电过程是非线性的，实际的T会大一些回复 \| 举报 \|

					10 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109874 \| 主题：142 \| 帖子：45925 访问空间发消息积分:109874 版主 2022-7-5 17:20:56 倒数7
					难道充电过程中,MOS关栅极电压保持不变？回复 \| 举报 \|

						13 xinshoudianyuan xinshoudianyuan 离线 LV6 高级工程师积分：1383 \| 主题：53 \| 帖子：223 访问空间发消息积分:1383 LV6 高级工程师 2022-7-6 09:20:45 倒数4
						王版你看看我的6楼的这个测试Vds电压波形以及电压上升时间，得到的dv/dt值是否正确？回复 \| 举报 \|

							15 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109874 \| 主题：142 \| 帖子：45925 访问空间发消息积分:109874 版主 2022-7-7 07:58:51 倒数2
							这个我不了解。回复 \| 举报 \|

		3 wangdongchun wangdongchun 离线 LV12 专家积分：41127 \| 主题：751 \| 帖子：6831 访问空间发消息积分:41127 LV12 专家 2022-7-5 09:55:05
		参考一下相关元件的说明资料和参数手册，根据实际电路参数计算一下就行回复 \| 举报 \|

			5 xinshoudianyuan xinshoudianyuan 离线 LV6 高级工程师积分：1383 \| 主题：53 \| 帖子：223 访问空间发消息积分:1383 LV6 高级工程师 2022-7-5 14:25:12
			功率器件手册里面关于dv/dt参数有两个： 1. MOSFET dv/dt ruggedness 2. reverse diode dv/dt 平时所说的dv/dt应力失效指的是第一个吧？回复 \| 举报 \|

				6 xinshoudianyuan xinshoudianyuan 离线 LV6 高级工程师积分：1383 \| 主题：53 \| 帖子：223 访问空间发消息积分:1383 LV6 高级工程师 2022-7-5 14:44:31
				下面是我实测的P7管子 DS某个时刻的电压波形，最高电压为480V，上升时间为40ns，dv/dt=480/40=12v/ns。比手册里面的这两个参数都要小： 1. MOSFET dv/dt ruggedness：80v/ns 2. reverse diode dv/dt：50v/ns TEK0000.JPG (67.51 KB, 下载次数: 51) 下载附件 2022-7-5 14:41 上传回复 \| 举报 \|

					16 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师最新回复 2022-7-7 10:25:56 倒数1
					你这个是防的吧，实际上升沿不会那么线性。本人：dv/dt 取实际上升沿中米勒平台后较线性的一段来算回复 \| 举报 \|

zhuliu09

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2022-7-5 16:45:57
倒数9

这些管子的导通电阻相对较小，寄生结电容相对较大，在开关过程中，寄生结电容的充放电电流会比较大，在管脚和PCB走线的寄生电感上产生较大的感应电压，这些感应电压会造成开关过程的震荡，甚至误开关，导致器件损坏，增加栅极驱动电阻，减缓开关过程，可以减小DI/DT，减小感应电压的产生，从而抑制开关过程的驱动电压震荡，提高开关的稳定性和可靠性。

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2022-7-5 17:43:43
倒数6

你这个问题看似简单，实则深奥着去了。对于一个工程师来说，计算值只是一个参考，最终还是要上机测试调整的，没有绝对值，只有折中值。

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		14 joezzhang joezzhang 离线 LV8 副总工程师积分：6649 \| 主题：5 \| 帖子：1795 访问空间发消息积分:6649 LV8 副总工程师 2022-7-6 15:15:41 倒数3
		还要关注二极管的反向恢复，看看开通时间和二极管上的电压波形，最好是慢开快关（两个电阻一个二极管）兼顾EMI和效率，具体参数需要检测温升和EMI性能后折中回复 \| 举报 \|