| | | | | 可以提高驱动电压一般的要>15V 这样可以提升管子抗冲击的能力
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| | | | | | | 感觉SI更耐操,SIC器件空载输出几十V都能把宣称的几百V耐压的管子弄坏。 没做实验都不敢信这个结果
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| | | | | | | | | 可能相反,设计不能凭感觉,明明是你设计问题,不要迁怒于器件。
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| | | | | | | | | | | 输出电压一个斜率缓,一个斜率陡,就这个差异,陡的就是坏。
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| | xkw1cn- 积分:131270
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积分:131270 版主 | | | |
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| | | | | 这种器件用过,根据楼主的介绍,本人认为是你驱动电路的问题,着重监测一下波形的各个参数
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| | | | | SiC MOSFET这几年推广力度挺大的,应该没那么容易挂掉,是驱动电路或者时序上面不太匹配吧
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| | | | | SIC 的栅极很脆弱,看下是不是电压斜率太大导致在栅极上电压震荡太大,超过限定值了
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| | xkw1cn- 积分:131270
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积分:131270 版主 最新回复 | | | 特斯拉、吉利、BYD已经开始用SiC MOSFET做充电桩、电引擎、OBD。你说可靠不可靠 |
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