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未解决

PFC干扰到MCU复位

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rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2022-7-28 09:07:33
10问答币
最近做的一个800W案子,前级PFC用的是TO-220的双管并联(非交错),频率90K,驱动芯片输出A B两路PWM分别驱动两个MOS,后级125K LLC用6599+MCU控制,发现有这样一个异常现象,如果将前级PFC并联的两个管子任意去除其中一个(暂时一个管子也能勉强扛得住,只是温度高出很多),然后满载开机,开机很快有时候不到一分钟很容易导致后级MCU发生复位、或者彻底死机现象。但是如果恢复到原状用两个管子,那就一切正常,怎么鼓捣后级的MCU都不会复现以上异常,请问这怎么回事呢?谢谢
nc965
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版主
  • 2022-7-28 09:08:42
  • 倒数10
 
接地问题,PCB问题
rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2022-7-28 10:34:49
  • 倒数9
 
请问会是哪些地方的接地出了问题呢?谢谢
nc965
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版主
  • 2022-7-28 10:36:17
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谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-7-28 10:37:34
  • 倒数7
 
看一下输出纹波有没有变化?或者说看一下传导及辐射有什么变化?
传导变差则是电气干扰所致,辐射变差则是空间干扰所致。
确定上述因素后才能进一步分析
rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2022-7-28 14:37:40
  • 倒数6
 
PFC双管并联以及去除其中一个MOS,分别测试了输入电流波形和输出电流纹波(CV模式),没看出有什么明显差异性。
至于传导和辐射测试,目前实验室没有这个条件呃!
我尝试调至到CC模式,逐级加载对比看看输出电流达到多少会发生MCU异常。

joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2022-7-28 14:45:04
  • 倒数5
 
很可能是共模噪声,两个MOS并联相当于Coss翻倍,那么dv/dt就会低很多,共模噪声就更小

温升可以接受的话,尝试在单MOS的DS之间并一个小电容(初始值就用规格书里的Coss值)串上100欧电阻
rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2022-7-28 16:36:29
  • 倒数4
 
原来每个MOS的DS都有一个100R电阻+100P电容作为吸收用的。剪掉一个管子之后相当于少了一个Coss,那么是否可以在单个管子的DS之间并联上一个Coss电容?但是规格书里面的Coss随着电压的变化是个变量。
rumenzhe
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LV6
高级工程师
  • 2022-7-29 12:02:41
  • 倒数3
 
这个是所用管子的手册,这个Coss选择Vds为400V时对应的值吗?
222222.JPG
z443233785
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LV8
副总工程师
  • 2022-7-29 21:45:28
  • 倒数2
 
测试一下MCU的供电脚的波形
rumenzhe
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2022-7-30 15:15:49
  • 倒数1
 
3.3V供电电压没有问题,一直很稳定,20M带宽下测试。
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