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| | | | | 看一下输出纹波有没有变化?或者说看一下传导及辐射有什么变化?
传导变差则是电气干扰所致,辐射变差则是空间干扰所致。
确定上述因素后才能进一步分析
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| | | | | | | PFC双管并联以及去除其中一个MOS,分别测试了输入电流波形和输出电流纹波(CV模式),没看出有什么明显差异性。
至于传导和辐射测试,目前实验室没有这个条件呃!
我尝试调至到CC模式,逐级加载对比看看输出电流达到多少会发生MCU异常。
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| | | | | | | | | 很可能是共模噪声,两个MOS并联相当于Coss翻倍,那么dv/dt就会低很多,共模噪声就更小
温升可以接受的话,尝试在单MOS的DS之间并一个小电容(初始值就用规格书里的Coss值)串上100欧电阻
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| | | | | | | | | | | 原来每个MOS的DS都有一个100R电阻+100P电容作为吸收用的。剪掉一个管子之后相当于少了一个Coss,那么是否可以在单个管子的DS之间并联上一个Coss电容?但是规格书里面的Coss随着电压的变化是个变量。
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| | | | | | | | | | | 这个是所用管子的手册,这个Coss选择Vds为400V时对应的值吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | 3.3V供电电压没有问题,一直很稳定,20M带宽下测试。
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