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低压MOSFET的技术以及共作安全区域

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Allen_Sh
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LV8
副总工程师
  • 2022-7-31 21:56:56
低压MOSFET的技术以及共作安全区域资料

Low voltage MOSFET technology behavior in FBSOA.pdf

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MOTIVE-高信龙
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2022-8-1 23:02:16
  • 倒数1
 
MOS的SOA区域针对应用工程师其实很难评估,就算规格书写得再好,计算的再准确,其实在实际应用中,计算和实际的差距很大
主要是因为MOS的制程技术更新太快了,SOA的计算方法基本没有变化,
1. 首先需要了解MOS的工作温度,因为175结温的MOS设计和制程都比较难,MOS工作的环境温度一高,MOS就没办法保证稳定了;
2. MOS晶圆的大小,因为大家普遍关注Rdson,本质上晶圆面积越大,Rdson要更小一些,但是这样成本就上升很多了,所以MOS厂家在设计MOS时是在固定晶圆面积下来设计的,那就是在固定面积下来降低Rdson来降低成本,这样对应的SOA就没有办法计算了;
3. MOS的SOA还需要对应的封装技术支持,如果封装技术和封装制程不稳定,很多时候出问题,其实并不是SOA的问题;
具体制程的MOS下,可以平行分析,如果那SGT和Trench制程来比较MOS的SOA,那就没有比较性了

MOTIVE墨濎半导体原厂,专业提供MOS晶圆产品
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