【原创：技术经验分享】GaN氮化镓电源研发到量产的一些案例

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1、一款氮化镓电源第一次试产时有几率上电炸机
直接上关键波形，初级氮化镓的VDS+同步整流的VDS和VGS

经过抓取高压通电瞬间波形，MOS栅极电压有2.16V，已达到低开mos最低开启电压，分析是共通造成炸机

同步芯片：M*6*08A  

初步分析造成开机瞬间同步MOS栅极电压有2.16V的原因有三个，第一是PCB布局的耦合感应，第二是MOS寄生电容引起，第三个是同步芯片的设计。

这款产品因过了认证，PCB又不能动，只能换不同结电容的MOS来测试了，当下回到办公桌位置在抽屉里翻到一袋过期的面包顺便找了一个MOS，查了下对应的规格书，参数刚好满足，于是贴上去抓了一下波形：

经过反复开关机包括输出短路，抓取高压通电瞬间波形，同步MOS栅极电压0.9V，已达到低开mos最低开启电压0.9V，在安全范围内，所以变更使用了这个型号的MOS。

经过测试辐射和温升没有影响，再次试产验证后，已经没有发现炸机现象，目前该产品已经批量生产2年多没有出现问题。