| | | | | 切换冲击脉冲电流很大,导致Vds_on急剧抬高,当Vds_on>(Vcc-Vgs_th)时,MOS脱离饱和进入线性区所致。降低 Rds_on 、提高驱动 Vcc 可以改善。
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| | | | | | | 感谢回复,抱歉是我描述不清楚。使用的是ON 的IGBT单管。是IGBT的T2管驱动震荡。 |
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| | | | | | | | | | | 您好,降低 Rds_on,是换一个导通电阻小的IGBT的管子吗?
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| | | | | | | | | | | | | IGBT应该不是用 Rds_on 表达,Vce_sat 吧 |
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| | | | | 感觉和D3反向恢复有关,T1开通,换流的的过程中,D3存在反向恢复电流,会流过T2,引起T2震荡,如果在规格范围内也可以不管。
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| | | | | | | 谢谢答疑,这个现象是随之DI/Dt 变化的,感觉应该是寄生电感太大了。
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