 |  | | | | 电源设计是24V,4A,96W规格。今天插电损坏的,负载很小,24V/0.2A左右。第一次通电220V输入的NTC热敏电阻很烫,都冒烟了,后续通电没有再冒烟,但是mos管的GDS三个引脚已经短路了。 |
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|  |  | | | | | 1,确定MOSFET的VDS是否过高?2,MOSFET品质;3,变压器重新设计。
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| |  |  | | | | | | 1.220VAC输入,空载状态下,VDS最大是496V,满载状态下,VDS最大是556V。除非是接通瞬间电压非常高,否则满载的情况下接近150V的余量,绰绰有余啊。何况损坏的时候,根本不是满载,基本算空载,VDS差不多有200V的余量。变压器重新设计的 |
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| |  |  | | | | | | mos管的VDS参数是700V,品质这个说不好啊,能大批量卖,应该不会太差吧。现在的问题出现在上电的一瞬间,不知道是瞬间电压太高,还是驱动芯片工作不正常,亦或者是变压器工作不正常。
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| |  |  | | | | | | 变压器重新设计的依据是啥呢?在现在的基础上,怎么改进呢?图片贴在下面。
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满载
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空载
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| |  |  | | | | | | 我重新频繁通断电测试了,空载状态下,上电瞬间,VDS最高电压是580V。满载状态下,上电瞬间VDS是600V。空载和满载的瞬间电压差不多,都是稳态下的VDS电压要高,但是也远小于700V的mos管承受的耐压。要么是损坏情况下的输入电压特别高,要么是某个器件在上电的时候没有正常工作。
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 |  | | | | inrush电阻选择是否合适
正常工作时检测Vds和Ids
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|  |  | | | | | 我查询了一下资料,我现在用的热敏电阻是8D-11,25度下是8欧姆,额定电流3A,最大允许电容是330uF,开关电源用的是150uF电容。 |
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|  |  | | | | | 1.不是,频繁通断电测试,主要是为了测试冷态情况下插电源,偶尔会导致损坏的问题。2.电压不稳定有宽电压和高电压的开关电源解决方案,
3.现在我遇到的问题是220V民用电,冷态情况下,偶尔插电源会导致损坏。
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 |  | | | | 我现在考虑的是:是不是上电瞬间,某个器件没有正常工作,导致了mos管三个引脚被击穿呢?比如说驱动芯片没有正常工作,只打开了mos管,一直没有关闭mos管,导致mos管过热失效。前辈们看到上面的电源设计参数有问题吗?比如说电阻不对? |
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|  |  | | | | | 谢谢指导,能指导下变压器饱和的原因吗?是变压器设计的参数不对?
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|  |  | | | | | 可以麻烦前辈帮忙看看这种电流波形正常吗?
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4A满载电流采样电阻波形
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空载的采样电阻波形
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|  |  | | | | | 根据电流采样电阻波形可知,4A满负载的情况下,电流线性上升,最高值是0.8V,0.33R的采样电阻,0.8/0.33=2.425A峰值电流。带入公式,可以计算出Bpk是0.23T,符合0.20-0.25范围。
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4A电流采样电阻波形,峰值0.8V
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计算的变压器Bpk
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 |  | xkw1cn- 积分:127846
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积分:127846 版主 | | | 典型雪崩耐量超标。另外;频繁启动;NTC不支持这种用法。
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|  |  | | | | | 感谢版主的解答,新人第一次了解到了雪崩耐量这个指标。请问如何测量开关电源上电、断电瞬间的能量呢?目前看稳态状态下的Vds电压比mos管耐压低100V以上,我重复通断电测试了几十次,没有发现通断电瞬间Vds电压超过600V的。如果算不出来、或者测不出来具体的能量,那mos的雪崩耐量也没法选取呀?
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| |  |  | xkw1cn- 积分:127846
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- 主题:37517
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- 帖子:55114
积分:127846 版主 | | | | | 示波器实际带宽100MHz以上的数字示波器,才能比较靠谱的测到。
用两倍以上额定电流MOSFET试下,看看是否能解决问题。
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| | |  |  | | | | | | | 现在已经是很多倍额定电流了,现在设计满载的电流均方根值是0.93A,电流峰值是2.4A,实际通过采样电阻测量计算电流峰值是2.45。计算的和理论的电流基本一致。mos管型号是CS10N70FA9D,700V耐压,10A电流,Eas是750mj,Ear是70mj,Iar是3.7A。我准备换更大雪崩耐量的mos管试试。请问版主雪崩耐量主要看Ear还是Eas呢?
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| | | |  |  | | | | | | | | CS10N70FA9D是VDMOS制程,如果没有虚假的话,那就是做96W(24V 4A)的话,MOS的Eas不够,也就是MOS里面的晶片小了一点,瞬间电流大一点,或者在温度高一点的情况下,MOS的发热和散热不够改善方法:
1. 改变压器,毕竟变压器是电源改善最有效的地方,
2. MOS需要换电流更大一点的,
3. 如果有风扇,把风扇调大减小MOS的发热
4. 如果是连续开关机,MOS损坏或者PTC损坏,那一般就是变压器设计有点问题
反激电源输出24V,无风扇输出4-5A,推荐使用Motive 墨濎半导体 SAT100H200T(100A 200V TO-220肖特基二极管),1PCS/SET就够了
MOTIVE墨濎半导体 专业TMBS 大电流肖特基二极管
PM:Richard Gao
微信:159-2167-4986
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| | |  |  | | | | | | | 楼上有前辈提示,可能是变压器磁饱和,也会导致mos管击穿。我现在准备从雪崩耐量+变压器两方面入手
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 |  | | | | PCB板上的DS脚焊盘是否太宽,过近,IC信号脚的旁路电容是否靠近IC. |
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|  |  | | | | | 1.DS间距应该是够得的,开槽1.25mm,这总不会空气放电了吧。2.IC反馈信号的电容靠近IC的。
3.请教前辈一个问题:变压器初级电感量的大小会影响啥?我查资料说电感量越大,次级的纹波会越小。那电感量小,除了影响次级纹波还有其他缺点吗?是不是电感量越大,同参数情况下,匝比越大?匝比大会增大初级和次级的反射电压,又影响了次级整流二极管的电压应力。那设计变压器,是不是先确定占空比和最小匝数,然后计算电流和电感量?
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 |  | | | | 没看你的PCB ,但我感觉你的驱动电阻20R 有点小。不知道你这个MOS CS10N70 是不是COOLMOS 。你先从驱动这里下手吧,SCH是对的。MOS 有个指标就是VDS的DVDT ,上升快了或下降快了都有可能烧管子。 VGS 有个雪崩,单个脉冲与多个脉冲,它承受不住也会坏。我做了一个60W的用的是60R660的MOS ,用的1.5K的驱动电阻,下拉20R,波形漂亮,弄不坏。所以你从驱动查起。
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