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| |  |  | | | | | | SiC MOSFET器件特性与驱动电路设计-南京航空航天大学 https://pan.baidu.com/s/1dwQChdubJyvffSo46Z8rhQ提取码ps4h
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 |  | | | | 1、初级MOS的驱动信号与变压器绕制的相位是否与同步整流管的驱动相位一致。
2、低压同步整流用的MOS一般结电容都比较大,工作在高频驱动功率一定要充足,一般都是使用专用的驱动芯片来完成。
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| |  |  | | | | | | 小功率开同步整流反而效率不高,功率较小时,MOS管导通损耗较小,不用同步整流只用体二极管整流时虽然增大了导通损耗,但是同时也减少了开关损耗,总体功耗反而更小。当然他这个问题应该不在这里,可能是驱动时序出现了问题 |
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