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宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪

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whpssins
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LV6
高级工程师
  • 2023-12-7 14:37:11
概述:
SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。
基于模块化的体系结构设计,SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程,实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。

宣传图.jpg 产品特点:

30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力;
测量精度高,全量程下可达0.03%精度;

内置标准器件测试程序,直接调用测试简便;

自动实时参数提取,数据绘图、分析函数;
在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线;
提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;

免费提供上位机软件及SCPI指令集;


典型应用:
纳米、柔性等材料特性分析;

二极管;

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT;

第三代半导体材料/器件;

有机OFET器件;

LED、OLED、光电器件;
半导体电阻式等传感器;
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管;
电阻率系数和霍尔效应测量;
太阳能电池;
非易失性存储设备;
失效分析;
系统技术规格

系统技术规格.jpg
订货信息
订货信息.jpg
订货信息2.jpg



模块化构成
低压直流I-V源测量单元
-精度0.1%或0.03%可选
-直流工作模式
-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选
-最小电流分辨率10pA
-四象限工作区间
-支持二线,四线制测试模式
-支持GUARD保护


低压脉冲I-V源测量单元

-精度0.1%或0.03%可选
-直流、脉冲工作模式
-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选,Z大脉冲电流10A或30A可选
-最小电流分辨率1pA
-最小脉宽200μs
-四象限工作区间.
-支持二线,四线制测试模式
-支持GUARD保护


高压I-V源测量单元

-精度0.1%            
-Z大电压1200V,Z大直流100mA

-最小电流分辨率100pA
-一、三象限工作区间
-支持二线、四线制测试模式
-支持GUARD保护


高流I-V源测量单元
-精度0.1%
-直流、脉冲工作模式.
-Z大电压100V,Z大直流30A       ,Z大脉冲电流100A
-最小电流分辨率10pA

-最小脉宽80μs
-四象限工作区间
支持二线、四线制测试模式
-支持GUARD保护



压电容C-V测量单元
-基本精度0.5%
-测试频率10hZ~1MHz,可选配至10MHz
-支持高压DC偏置,Z大偏置电压1200V
-多功能AC性能测试,C-V、             C-f、 C-t


硬件指标-IV测试
半导体材料以及器件的参数表征,往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试,都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)             ,具有四象限,多量程,支持四线测量等功能,可用于输出与检测高精度、微弱电信号,是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配,实现测试测试效率与开支的平衡。


灵活可定制化的夹具方案

针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点,可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC  MOS、GaN等单管,模组类产品的测试;也可与探针台连接,实现晶圆级芯片测试。



夹具.jpg


探针台连接示意图

探针台连接示意图.jpg


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