(二)IC特性
◆±5%恒压恒流高精度,量产一致性高。
◆内置600V功率MOSFET (SF5922/6/8)
◆ 小于30mW超低待机功耗,达到“五星级充电器”标准
◆原边反馈(PSR)控制,无需光耦和TL431,节省成本,减少PCB面积。
◆内置环路补偿,无需外部补偿电容。
◆恒压模式下内置专利的线压降补偿(Cable drop compensation)。
◆自动补偿线输入电压、电感感量变化,实现高精度。
◆内置软启动,减小整流管电压应力,提高产品可靠性。
◆所有管脚浮空保护,避免系统因虚焊或脱焊而失控炸机。
◆超低启动电流,大大的降低了启动电阻上的损耗,提高系统效率。
◆PFM控制带来良好的EMI性能。
◆输出过压保护。
◆逐周期电流限制。
◆内置前沿消隐(Leading edge blanking)。
◆VDD 欠压保护(UVLO)。
◆VDD 过压保护及钳位。