| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | 1、胡版主的说的负压能加长延时驱动,指的是上升时间,因为从负到MOS管阀值时间肯定比从零到阀值时间长。
2、技术手册里说的事负压加速关断时间,这个也是正确的。
这个事情,正好证明了得失。。。。。。有所得必有所失。 评分查看全部评分
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| | | | | | | 嗯~还有一点疑问~负压是如何加速关断的呢?给电流一个推力?加速了电流释放速度? |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | 举个例子:
从平地跳到10米高,和从-10米的深坑跳到10米高,谁的时间长?
(该人弹跳力一定) |
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| | | | | 现在的MOS,基本上都不用负压关断了吧。
IGBT倒是说是有负压会好些。 |
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| | | | | | | 低压场合MOS驱动都不需要负压了,高压有时候还是需要的 |
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| | | | | | | | | 呵呵,人家实际产品是负电压关断后,马上把驱动电压回归到零;这样就不影响下次的开启时间了。 |
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| | | | | 这个讲负压驱动的技术手册是叫什么名字呢?想要了解一下这个驱动 |
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