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一种大功率电源软启动电路

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nc965
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  • 2013-1-27 09:23:34
最近有人在讨论软启动电路,一般小功率电源才用NTC器件,功率大了就要用继电器或者其他开关器件,我也随便画了一个图,据说还不完善,抛砖引玉了。

oldfang|
简洁,省了一个绕组,老板要加工资
C2应该就是个电解,启动完成后U2应该是长期导通的吧,楼主怎么算的是U2和R交替导通。

nc965
我是随便画的,自己去完善了,不过C2到不必用电解,是防米勒的。
bridgnsl
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  • 2013-1-27 12:22:25
 
用了两PMOS,所以,你懂得,都不会导通。
这里要用也得用NMOS。
这样如何?
[url=https://cdn13.21dianyuan.com/attachments/jpg/2013/01/27/13592605395104ab7b0de6f.jpg]
[/url]

nc965
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  • 2013-1-27 14:36:12
 
显然有问题了
bridgnsl
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  • 2013-1-27 14:40:17
 
啥问题?
nc965
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  • 2013-1-27 18:14:27
 
驱动电压如何保证足够又不超压?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-27 18:19:54
 
PMOS导通后,接地的电阻电平为地电位,所以没有问题啊!
nc965
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  • 2013-1-27 19:44:12
 
没问题是多少V?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-27 19:46:08
 
PMOS的源栅电压就是电容电压
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nc965
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  • 2013-1-27 20:01:02
 
多少V呢?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-27 20:15:44
 
不知到,看你蒸馏电压了!
nc965
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  • 2013-1-27 20:22:21
 
假设整流出来350v
bridgnsl
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  • 2013-1-27 20:24:08
 
哦,这么大!
那得加分压电容了!
niyiban
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  • 2013-1-30 17:22:17
 
版主,您不会以为2楼的C是母线吧,他没有把母线画出来。


如果母线在后面,请问版主这个电路真的不行吗,没PMOS所以不能搭,但感觉还可以,应该可以的
nc965
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  • 2013-1-30 19:54:52
 
顶楼就是母线,就是NMOS,欢迎补充完善
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 08:38:56
 
你连楼主说的软启动是什么意思都没搞清楚。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 11:29:59
 
哦,你有来了!
你有神马稿件?
你来偶设计的电路时什么意思,都没搞清楚,有来发言了?
先看懂了再说!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 11:34:46
 
我确实没看懂你设计的电路是什么意思,但我明白楼主的电路是什么意思。这就是我跟你的差别。
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 11:36:53
 
你肯定不服气,那么我问你,楼主说的软启动是什么意思?你来说说,说对了以后我绝对不挑你的刺。
bridgnsl
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  • 2013-1-28 11:40:15
 
虽然偶不想说,但你这么说,也不得不说。
Lz设计的电路,你还抹油看懂!
这个电路,本质上,达不到软启动的目的,因为原边电源译制为电源电压。
而本人设计的电路,当然要加分压电容no,以适应高压,使真正的软启动!

YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 11:41:28
 
你先说楼主说的软启动指的是什么意思?理解了别人设计的思路再说。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 11:42:45
 
该说的都说了,至于你懂不懂,偶就不行动了!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 11:45:54
 
你说个屁啊,自己连别人说的软启动是什么都没搞明白,还学人家设计电路?那你告诉我,你接在P管栅极的那个电阻R,在你的P管导通的时候,是不是跟滤波电容串联在一起的?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 11:49:36
 
你少跟偶废话!
自己看不懂,虚心点,可以教你!
石化给你说,偶设计的电路一般不使用哪个电阻的,这里之所以这样做是照顾这里的习惯做法!
你少用教训的口气,跟偶说话,你还没哪个档次!
你以为你修了几台变压器,就有资格跟偶废话了?
要是不会,可以请教!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 11:51:55
 
你什么档次?我请教你?你不用那个电阻你怎么做?有本事设计一个别人挑不出毛病的电路来,否则闭嘴滚蛋。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 11:52:59
 
偶有的是本市,就是不给你的废物,设计!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:04:01
 
你的本事确实很多,可没有一个是有用的。
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 11:47:47
 
人家楼主设计的电路,左边MOS管工作与导通状态,右边的工作在开关状态,工作原理楼主懒的理你这样的小丑,用不用我给你进一步解释解释?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 11:51:30
 
你个废物,少跟偶这骂街!
你可以说你的看法,说的不对,偶可以教你!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:03:19
 
教你妈的头啊,自己没弄明白别人的设计,自己弄个什么都不是的图出来,我骂你是因为,你这样胡搅蛮缠会误导一些不懂原理的初学着,要真想给别人一些好的建议,自己想清楚了再说出来,不要想当然,你教我?你没这个资格。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 12:05:34
 
偶有不使没有看过,你的法帖!
你知道个皮亚!
完全都是胡说八大,根本不理解电路原理!
还牛X红红的,你要虚心点,这样别人才能叫你!



YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:07:16
 
对你,我不需要虚心,因为你不值得。
bridgnsl
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  • 2013-1-28 12:07:49
 
朽木而不可雕也!说的就是你吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:08:39
 
不好意思,我还年轻,如果说朽木,也应该是你。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 12:09:15
 
朽木也有年轻的,例如你!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:10:11
 
朽木是有年轻的,但年轻的不一定是朽木,而你,却是老朽木。
bridgnsl
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  • 2013-1-28 12:13:17
 
既然你已经承认自己是朽木了,那偶页没法教你了!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:31:49
 
骂你是轻的,知道不?要是让我见了你,说不定我还要给你一巴掌,让你提前入土为安。明白?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 12:39:38
 
你个小流氓本质终于暴露了!
看啦,这里不是和你,这里是讨论技术的地方,不是你街头混混该来的地方。
你还是早点滚蛋吧,明白?
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:40:29
 
讨论技术?你也配?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-28 12:44:42
 
这里讨论技术,最不佩的就是你。
不懂装懂,煮鼻子插根葱你装大象!
你还是早点滚蛋吧,老父欧本人没工夫根你个混混说话!
少跟在偶的后面放屁,gun!
这是偶合你说的最后一句。
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-28 12:45:41
 
如果得到你这样的人佩服,我还不如死了算了。
lehom
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高级工程师
  • 2013-1-30 09:52:19
 
王工,是不是R限制开机电流,R和C延时,正常工作时左边的mos要一直导通将R短路掉。使R不影响正常工作,左边mos的栅极驱动电容的容量要保证,驱动低电平时间内也要保证左边的mos处于导通状态吧。。。。二极管是阻止左边mos栅极电容放电吧,菜鸟献丑了,请知教(别和他见识,很感谢你的热心,是初学者的一盏明灯!)
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-30 10:14:11
 
是的,但这个电路应该还是有一些实际应用的问题。左边MOS管在驱动信号消失后,多久可以关闭?因为他决定了掉电延时多少重新上电能继续起作用的问题。
lehom
  • lehom
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高级工程师
  • 2013-1-30 10:35:15
 
嗯,就是要是开关机速率很高,导致开机时mos还未关断,那么R就不起作用了吧..
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-30 11:19:14
 
是的。
神奇的电
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高级工程师
  • 2013-3-7 22:25:00
 
考虑的真全面
niyiban
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高级工程师
  • 2013-1-30 17:16:03
 
不好意思,2楼的电路真没看出哪里有问题,个人觉得挺好~!关注~!
niyiban
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高级工程师
  • 2013-1-30 17:19:56
 
你应该把你的母线电容画出来。
蒋江黔
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  • 2013-1-31 18:50:55
 
我用我差不多半个甲子的功力看这个图,没看懂
用尖刻的话搅水
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  • 2013-2-5 11:02:44
 
老蒋开始宰杀流氓了
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-3-7 13:05:25
 
咂地,你们内部矛盾,起内讧了?
难道是要自相残杀?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-3-7 13:19:39
 
你都能看懂,本人还是大师吗?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-3-7 12:23:49
 
正确的软启动电路应该是这样的;


t6665248
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高级工程师
  • 2013-3-7 13:03:45
 
兄弟你不会连电路的原理都没有搞清楚吧?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-3-7 13:07:01
 
本大师没打算让你们这些不劳而沪的人,白白得到正确答案的~
然而即使如此,也对你们有足够启发了!

forestgump1003
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副总工程师
  • 2013-3-7 13:36:23
 
。。。难道您是上海人?不劳而沪??
Mr_gaobaba
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本网技师
  • 2020-3-23 17:42:00
  • 倒数4
 
请问一下,如果类似于按你这种方式来做,但是PMOS换成NMOS,接在地线上,在GS之间加电容以及稳压管,这样的方案可行么?
nc965
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  • 2020-3-23 17:52:22
  • 倒数3
 
本来就是NMOS,后面还有很多有意义的讨论,你先看看再做。
nc965
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  • 2013-1-28 12:00:28
 
踏雪无痕:李工,你发的软启动的那个帖子,MOS管是不是画错了,应该是NMOS
nc965: 是NMOS,人家的元件库,没仔细看,随便画的,但也不至于看成PMOS。
用尖刻的话搅水
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LV6
高级工程师
  • 2013-1-30 11:15:28
 
又在这儿鼓吹自己了?还没有没小号来为你助阵啊,不懂就和别人学习一下,弄错了,惹人笑话
nc965
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  • 2013-1-30 20:06:17
 
欢迎讨论,相互学习
wang505200630
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初级工程师
  • 2013-1-30 15:49:23
 
U2的状态还是没分析明白?还有C2刚开始和正常工作时都处于那种状态?望楼主指教,谢谢。
nc965
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  • 2013-1-30 19:40:14
 
这个电路是让大家讨论的,需要进一步完善
U2的状态,开机肯定是关闭的,随着驱动启动,通过二极管和电容积分,其G脚电压逐渐上升,逐渐开通U2,直到饱和,最后该电压达到驱动电压的峰值,并保持这个状态。
需要完善的是关闭过程,重启过程。
wang505200630
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LV4
初级工程师
  • 2013-1-30 20:07:54
 
谢谢老师讲解,,,我还有一个疑惑为什么要用两个PMOSFET的管子,,麻烦给解释解释,,谢谢。
nc965
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  • 2013-1-30 20:14:35
 
只用一个,
右边那个是示意,拓扑的开关管,与软启动没有关系,只是利用了一点初期的驱动脉冲。
shanaoqq
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LV3
助理工程师
  • 2013-1-30 16:43:06
 
电路是很巧妙
niyiban
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高级工程师
  • 2013-1-30 17:14:57
 
没看懂,
niyiban
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高级工程师
  • 2013-1-30 17:18:51
 
我晕,原来C1是母线电容,还以为是一个高频电容
joezzhang
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  • 2013-1-30 17:40:54
 
用这个电路,桥前面的X电容限不了流,功率大了X电容可能都有1-2uF,那冲激电流可以到100A以上。
nc965
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  • 2013-1-30 19:34:07
 
那个只有几个uS,一般可不做处理。
joezzhang
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副总工程师
  • 2013-1-30 21:41:02
 
即使不处理前面的EMI滤波电容,这个电路还是有问题:
1、C2不并电阻,快速开关机的时候,MOS一直闭合;
2、C1、Cgd、C2串联,没有电阻平衡电压,Surge和EFT来的时候MOS的Vgs可能会过压挂掉;

3、C1、Cgd和Cd是一个交流通路到PWM信号,电网过来的干扰较严重的时候很可能无法正常工作,换言之CS或RS也会比较难过,所有的Susceptibility都会有影响。
心囚蓝魔
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  • 2013-1-31 00:11:20
 
第三条中的传导和辐射问题如何解决呢?
nc965
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  • 2013-1-31 08:34:30
 
说的好,这电路就是有问题,是来征求改进意见的
1、那就并个电阻,并多大?大家说个道道
2、似乎不是问题,Vds会超过硅桥电压?这里有个大容量电解与小阻值电阻串联,可以吸收大部分能量吧?要挂也只能先挂硅桥吧?
3、启动电路的本质,就是防止电解瞬间过流,而不是主电路有这个需要,因此只处理电解较之连同主电路一起处理,明显效率更高。附带的问题确实是增加了电解的ESR,导致滤波效果的降低,可以考虑DS(或者母线到地)并联一个CBB,应该就可以了。
用尖刻的话搅水
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  • 2013-1-31 11:16:21
 
老蒋开始宰杀流氓了
nc965
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  • 2013-1-31 10:35:51
 
根据大家讨论,电路修改为:


其中:
R3 泄放电阻,按安规取值
C3 CBB电容,大功率电源一般都有的,容量不宜过大。
C2 防米勒电容,建议容量同时满足:C2>15Cdg,C2>Cgs,这样即使最大600V浪涌过来,也能够使Vgs不超过20V,合适不?
R1 主要决定延时时间
R2 与C2组成的时间常数应略快于R3与总滤波容量的时间常数,即可实现反复启动。
D2 有没有必要?
请大家继续讨论,还有什么需要完善的?
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-1-31 11:15:03
 
来看猴子表演,猴子又急不可耐的显示自己“多有本事”啦,其实呢?除了你和你的几个乌合之众,在这里别人都知道,表演的来劲吗?
nc965
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  • 2013-1-31 11:20:58
 
实在不好意思,我在57楼跟了你的贴,其实那是个坑,没有事先告诉你
        那个坑的意思是:给你个人脸,看看你会不会说人话?
        大家看,继续看,他会说人话吗?
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-1-31 11:32:33
 
56楼将我错认成了你的乌合之众了,又想相互吹捧,哈哈不巧,看到了是我,悔了,无谓。继续吹下去,或者,去你那种只听得一片赞扬的“人”中去找感觉吧,别哭,我陪你玩的时间还在后面。
nc965
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  • 2013-1-31 11:36:51
 
等你说一句人话(有坑)。
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-1-31 11:36:48
 
这种小东西,够你研发10天8天的,你继续
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-31 11:20:45
 
不应该有R1、C2的延时吧,否则U1都正常工作了,U2还没导通就不好了,要做延时也应该在上电到PWM信号产生之间做延时才好。
nc965
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  • 2013-1-31 11:43:55
 
对,但是这个延时是客观存在的,即使R1=0也有,要考虑进去。用R1的意思是对这个延时可控,必要时可以充当你说的那个延时。
心囚蓝魔
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  • 2013-1-31 12:21:31
 
如何保证U2比U1先开通呢?
nc965
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  • 2013-1-31 12:30:17
 
为什么非要U2比U1先开通呢?
心囚蓝魔
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  • 2013-1-31 12:34:57
 
如果后面需要很大的电流,R1不是要承受很大的功率?靠占空比来限制?
nc965
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  • 2013-1-31 15:04:44
 
R1怎么会有很大的功率?你是说 R 吧?而 R 就是要他承担很大的功率啊
心囚蓝魔
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副总工程师
  • 2013-1-31 15:28:03
 
不好意思,是R,缓冲电阻不是在后级电路工作之前去掉吗?
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-31 13:36:43
 
如果没有R1,那么驱动信号的驱动电流在很短时间内就可以让U2导通。因此我觉得R1是不需要的。延时应该加在上电到PWM信号产生之间。
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-1-31 12:23:43
 
这个电路问题很大,是脑残的设计,有很多问题,无论是抄别人的,还是自己胡乱弄的,都不是实用的设计,所以不值得讨论的。
心囚蓝魔
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副总工程师
  • 2013-1-31 12:25:03
 
哪里有问题,指出来让大家一起学习学习
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-1-31 17:07:34
 
***** 不文明内容已删除,权当顶贴,谢谢合作 *****
nc965
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  • 2013-2-2 08:46:11
 
哦,请问你说的是顶楼的设计还是1楼的设计呢(有坑)?
shanaoqq
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助理工程师
  • 2013-1-31 16:59:17
 
。。
蒋江黔
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  • 2013-1-31 18:46:29
 
思路很好, 不过我觉得如果U2打开的过快的话会很危险.
一般来说C1都比较大,100uF量级吧,在启动过程中(C1首次充电时),U2最好是处于线性区(饱和区),C2上的电压上升的要很慢,10mS量级吧,因此C2的容量估计也小不了。
Sinican
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副总工程师
  • 2013-1-31 19:37:25
 
此贴必火,含有暴力美学
这个电路我就不讨论了,我只想说的是,所有的设计是基于一些基础上再搞,不要臆想!
Sinican
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副总工程师
  • 2013-1-31 20:16:40
 
随便编辑我的贴子,不会通知我一下呀?
nc965
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  • 2013-1-31 20:19:50
 
你那落款太长,不好意思,我的帖子我做主了。
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-31 20:31:08
 
就是你这样的糊弄一个自己都不明白的电路,还你的贴子,你不如把我的回复都删了!!

nc965
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  • 2013-2-2 08:29:24
 
还请大师指点迷津
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-31 20:21:06
 
恢复帖子可以,请不要做广告,谢谢!
Sinican
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副总工程师
  • 2013-1-31 20:29:15
 
唉!真服了你们了,我可以分享很多知识给你们,你们总得付出一些东西给我吧?
不要打击了我的积极性,要不然我哪来的动力?总不会再让我沉寂几年吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-31 20:35:17
 
首先声明,我改的只是你有关广告的部分,对于你的恢复并没有做任何改动,如果你认为我的操作超出了我的职责范围,你可以去论坛管理员举报,谢谢合作.
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-31 20:36:29
 
你分享知识跟你做广告没有任何关系。
Sinican
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副总工程师
  • 2013-1-31 20:42:10
 
王伟同学,你很敬业,算了!这个神贴已经很火了,我不能再添火了!!
这样总该行了吧?
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-31 20:50:48
 
hxhz
  • hxhz
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初级工程师
  • 2013-1-31 20:38:04
 
呵呵,这几天有个性的咋这么多呢??
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-31 20:41:42
 
其实有个性很正常。呵呵
Sinican
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副总工程师
  • 2013-1-31 21:08:29
 
看来你是新人,我不做“老大”很多年了,以前就一直很有个性 嘻嘻~~~
现在放假,飘出水面,“显摆”一下
***** 广告已删除 ******
hxhz
  • hxhz
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初级工程师
  • 2013-1-31 21:19:27
 
呵呵,个人表示非常欢迎。看来那几位也是的。
powercheyne
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  • 2013-1-31 22:00:30
 
大师的电路和一个专利电路很像,你这是用MOSFET控制,它那用的是继电器。这样做比放在交流线上好些,电容里面电流小些。
powercheyne
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高级工程师
  • 2013-1-31 22:05:32
 
好帖,但有几位纯属搅局啊。若也是高手就针对问题讨论讨论,能够让我等菜鸟学习,长长见识。
niyiban
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高级工程师
  • 2013-2-1 13:58:12
 
年底了,年终奖少了,
nc965
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  • 2013-2-1 09:48:49
 
蒋工好,其实这个方案的重点是开关的位置,而不是驱动,驱动是可以分开来的。
开关位置放这里究竟行不行?有什么好处?我的理解:
好处:
1、母线无损,效率高
2、驱动方便,VCC电平
3、启动和投运过程可以重叠,互不干扰,便于控制。
4、器件应力有可能降低
5、电解ESR引起的电解发热有可能降低
可能的问题:
1、滤波效果是否有较大的影响?
2、最不利工况是什么?
3、会不会失控?
4、能效有没有提升?提升多少?
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-2-5 08:36:27
 
你这个祖传脑残,还在这招摇撞骗,你看看自己的设计行吗?你自己不感到发这样的贴子惭愧吗?
nc965
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  • 2013-2-5 08:41:57
 
先警告,后删帖
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-2-5 09:05:08
 

老蒋开始宰杀流氓了
nc965
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  • 2013-2-5 09:08:20
 
欢迎顶贴,射射鸟
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-2-5 09:37:55
 
阿Q姓什么?
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-2-5 09:42:58
 
我量你也不敢删贴,论坛是你一家开的?你删除试试?如果不敢删除,别在这儿放屁,乱喊删贴,不嫌自己丢人吗?
蒋江黔
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  • 2013-2-5 09:48:33
 
口出狂言, 24小时后, NC965不删 我来删
用尖刻的话搅水
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高级工程师
  • 2013-2-5 10:09:07
 
我等你来删除,下面的贴子我当你是平等的讨论,这个楼层我当你是混蛋。
再说一句:论坛不是你家开的,你删除我的,不可能删除全部反对意见的;
再补一句:除非你屏蔽我的ID,否则你删除一个,毫无作用。
最后一句:你不会也脑残吧?
多增一句:我谅你也不敢!
蒋江黔
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  • 2013-2-5 10:15:21
 
你称二两棉花到21IC访一访, 对于你这种人, 我是格杀勿论的.

我在21IC封杀了两个激起公愤的家伙, 尸体都找不到

其中 一个是深圳佳立创. 做PCB的, 我这人从来不怕得罪人. 也不会怕任何人.

删你贴子之前, 你可以要求我公布住址和小孩上学的学校, OK

你吓谁呢
蒋江黔
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  • 2013-2-5 10:19:54
 
对待朋友, 要用鲜花与美酒 对付流氓, 我不惜做一回流氓
用尖刻的话搅水
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  • 2013-2-5 10:46:41
 
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用尖刻的话搅水
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  • 2013-2-5 10:49:52
 
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用尖刻的话搅水
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  • 2013-2-5 11:05:33
 
老蒋开始宰杀流氓了
用尖刻的话搅水
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用尖刻的话搅水
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用尖刻的话搅水
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用尖刻的话搅水
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蒋江黔
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流过开关仅仅是整流后的交流分量,约36%, 直流分量无损通过, 就技术本身而言, 还是有进步的.
用尖刻的话搅水
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兄弟 不要老是搅水了,哪里不合理你说出来,你也可以给出你的设计方案,让大家好好学习一下
用尖刻的话搅水
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老蒋开始宰杀流氓了
niyiban
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nc965
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  • 2013-2-5 10:39:25
 
他的方案在2楼,水平之高,技惊四座!
蒋江黔
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  • 2013-2-5 09:46:31
 
奉劝一句: 己所不欲, 勿施于人.

通篇只看到阁下在当愤子, 做人不要这样子.

这里所谓的软启动, 是指抑制上电的瞬间, 主滤波电容充电形成的脉冲, 对整流器件的冲击.
用尖刻的话搅水
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老蒋开始宰杀流氓了
蒋江黔
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用尖刻的话搅水
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老蒋开始宰杀流氓了
用尖刻的话搅水
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心囚蓝魔
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  • 2013-2-5 10:02:10
 
请教一下蒋工,电阻R在U1工作后是要承受一段时间后级主电路的的实际输出电流然后再被U2短接吗?谢谢
用尖刻的话搅水
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蒋江黔
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  • 2013-2-5 11:11:18
 
不是你说的这样.
正确的控制: 检测R上的电压降到一定值, 比如十伏, U2导通, 然后PWM开始工作.
不过李工62楼的图也是可以的, 只要参数适当, PWM的前几个周期就让U2导通, R上的电压不会升高太多.
用尖刻的话搅水
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老蒋开始宰杀流氓了
zhaohua2764
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  • 2013-2-5 10:26:46
 
[size=14.399999618530273px]好好的贴子,怎么成了漫骂的场所了呢?[size=14.399999618530273px]

[size=14.399999618530273px]个人认为这个电路有些创意,至于参数的选取和配合,或许有些问题,但并不影响讨论。
用尖刻的话搅水
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老蒋开始宰杀流氓了
用尖刻的话搅水
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用尖刻的话搅水
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用尖刻的话搅水
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用尖刻的话搅水
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  • 2013-2-5 11:03:42
 
老蒋开始宰杀流氓了
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老蒋开始宰杀流氓了
bridgnsl
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  • 2013-3-6 22:23:52
 
还根据大家讨论,难道大家不包括本人吗?
你牙膏也没有把本人对你的指导放在眼里,依然逆行泥塑般的瞎做!
2个月前就告诉你了,你的这个思路就是错误的。而今你依然不思悔改!


知道NTC是怎么实现软启动的吗?相信你不会不知道的。你这个所谓 的 一种大功率电源软地动电路,有一点像NTC吗?


不要总是不把本人的对你的指导不当回事?好不好呢?
nc965
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  • 2013-3-7 08:49:01
 
这蠢货还没有死?奇怪!
        你的方案在2楼,脑残的设计,自己都不知道想干啥,问了你几句,牛头不对马嘴的答不上来,若再追问你就下不了台了,所以照顾情绪,没有穷追猛打,所谓得饶人处且饶人,也是国人应有的修为,你没看出来我是在给你台阶下?真是个蠢货!一点人情世故都不知道!
蒋江黔
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bridgnsl
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  • 2013-3-7 12:01:58
 
你这个NC脑残,要么是个十足的笨蛋,要莫是别有用心地在这里误导年轻人。
本大师已经告诉你正确做法了,你还在这里瞎说!
你是何居心?


就你那一两把刷子,还想在本大师面前卖弄?你知道什么是关公面前耍大刀么?那说的就是你,以及你的一小撮同伙!


本大师离开一阵子,就是要看看你NC如何表现,怎么样,露馅了吧?

nc965
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  • 2013-3-7 12:07:43
 
建议你这个自封的“大师”,把你2楼那个电路单独开个贴,给大家普及一下:什么是脑残的设计,你敢吗?
bridgnsl
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  • 2013-3-7 12:30:24
 
你个NC脑残,连滤波电容都没有,你好意思这这里误导吗?
nc965
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  • 2013-3-7 13:50:58
 
已经帮你发贴了,自圆其说把,好之为之吧,死相别太难看就行https://bbs.21dianyuan.com/148558.html
bridgnsl
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  • 2013-3-7 13:56:33
 
那张图么有问题,只是你没说书人电压问题,对于低压,使正确的!
bridgnsl
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  • 2013-3-7 13:22:29
 
你不过就是个搞维修的,修了两台变压器,看了几张图纸,就要感悟神马设计,你会设计吗?
蓝色的天空
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  • 2013-5-21 09:35:34
 
这图不错顶起!
kevin-leee
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换成N-MOS终于可以看了,原来的P-MOS确实看不懂
WANGYUREN
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  • 2013-2-5 10:14:39
 
不赖:U1栅极是高频信号?那U2栅极电压不如取自有UVLO功能IC的VCC,D1改成电阻,C2改成稳压二极管
nc965
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  • 2013-2-5 10:28:43
 
最好有人正在做这个,试试看效果。
用尖刻的话搅水
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  • 2013-2-5 10:31:18
 
***** 不文明内容已删除,权当顶贴,谢谢合作 *****
WANGYUREN
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  • 2013-2-5 10:43:11
 
MOSFET成本比NTC高,估计老板们不会赞助。
zhaohua2764
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  • 2013-2-5 10:44:17
 
两者的可靠性如何?
nc965
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  • 2013-2-5 10:55:30
 
我觉得,不是可靠性问题,也不是成本问题,问题在于大功率应用时,没有合适的器件,小功率就不用这样折腾了。
WANGYUREN
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大功率一般是高压输入,整流后的滤波电解电容俩串联,软启动电路如何加?
nc965
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  • 2013-2-5 18:00:51
 
软启动只管电流,不管电压,电压自己另外考虑了
蒋江黔
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如果追求高效, 此法也不是不可行
WANGYUREN
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  • 2013-2-5 13:46:45
 
当然越简单可靠性越高
zhaohua2764
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  • 2013-2-5 13:49:11
 
[size=14.399999618530273px]感觉还是继电器可靠。
WANGYUREN
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  • 2013-2-5 13:53:20
 
继电器触点要可靠密封的那种
用尖刻的话搅水
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蒋江黔
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  • 2013-2-5 10:46:03
 
警告阁下, 请勿继续!

否则, 我的原则是: 版主不作主, 不如回家卖红薯
用尖刻的话搅水
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老蒋开始宰杀流氓了

你不用多说了, 你有时间, 我更有时间, 我工作8小时, 至少有7小时半在混论坛
用尖刻的话搅水
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老蒋开始宰杀流氓了
蒋江黔_
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高仿ID, 请管理员查封, 哈哈
用尖刻的话搅水
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杀流氓贴
用尖刻的话搅水
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杀流氓贴
niyiban
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真无聊!想吐
nc965
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  • 2013-2-5 18:47:41
 
THTTH1982:还是不对,PWM的管子应该接C1的负才对
踏雪无痕:什么意思?
Coming.Lu: 何工,是你没理解人家的意思,人家就是要这样接的
THTTH1982: 我知道,是给大电容冲电。哦!
踏雪无痕: 然后呢
Coming.Lu: 上面 蚂蚁 说的纹波电流的,你注意看一下。
THTTH1982: 这样子会不会大电容的电没充满,PWM就工作了呢
踏雪无痕: 你做过这种软启动没有?没有我就原谅你
THTTH1982: 我是把电容且的一切全经过NMOS
Coming.Lu: 何工是说,把电解串在整流桥输出吧
THTTH1982: 把NMOS串在桥后
nc965-李工: 那是一般的思路
Coming.Lu: 也就是常规做法
THTTH1982: 是的
PowerAnts: 就损耗而言,李工的这个小
踏雪无痕: 那么我问你,你的电解会不会没充满电PWM就开始工作?
PowerAnts: 那怕是用继电器,大电流下触点发热也会影响寿命
nc965: 当然会,有什么关系呢?
PowerAnts:对于三相不控整流,交流分量只有10%,更好
THTTH1982: 没试过啊,王总,是没量过
踏雪无痕: 如果在电解电容充满电之前,让PWM开始工作,属于设计失误,不在考虑范围内
PowerAnts:理论上分析是十分适合的,以后的设计就这么干了
nc965:没道理
踏雪无痕:设计失误不需要讨论吧
PowerAnts:一般都是开关动作了,PWM才输出
nc965:是你还没有理解
THTTH1982:就这么干
踏雪无痕:不是一般,是必须
THTTH1982:C2能放在5V以下吗
PowerAnts:大功率电源都有辅助电源,控制时序很好做的
THTTH1982:短时间里
ht_lb@126.com:如何保证开关先动作呢?
踏雪无痕:否则你将软启动电容串联在整流后,如果电阻还没切掉,你开动PWM信号,电阻立即损坏
THTTH1982:控制时序,,很好
踏雪无痕:有辅助电源,你还做不出来逻辑控制?
Coming.Lu:李工那个图,驱动是从PWM来的,那是会慢一点的哦
THTTH1982:我用555来作的
踏雪无痕:所以我不建议串联那个电阻
Coming.Lu:就是MOS没开之前,PWM先工作
ht_lb@126.com:王工,这个电路如何保证开关先动作呢?
踏雪无痕:OK,这个我来告诉你
THTTH1982:有输入电压,有VCC才能开MOS,
nc965:原来踏雪无痕是这个意思
踏雪无痕:算了,太乱了,你们聊,没人了我再说
nc965:可以考虑,也是有道理的
ht_lb@126.com:常规的不是这种吗?
THTTH1982:若是输入断电,MOS就断开,若VCC没电,MOS也断开
ht_lb@126.com:晕 王工说了一半又不说了
THTTH1982:只有在有输入电压(交流)与VCC都有电时,MOS才能开通
nc965:他是想让Rds充当那个电阻
踏雪无痕:李工,我借你这个图去问问那个人这个电路的缺点,我想用这个电路可以吧
nc965:随便用
踏雪无痕:马上做一个5KW的,正好要用
nc965:但是最好查一下有没有专利,反正我没去专利
踏雪无痕:我只是问,就我这个量,也没人查我啊,哈哈
THTTH1982:PWM有了,就是说VCC足够了,VCC够了,那MOS也就通了,怎么会坏电阻。。。。。
nc965:调试情况最好共享一下
THTTH1982:所以说U2驱动方试不够更好嘛,我一班用VCC的电压来做驱动,但中间有一开关
踏雪无痕:你用VCC信号驱动? 我告诉你我都是怎么做的
1、辅助电源独立的。
2、辅助电源上电后,有专门的比较电路做延时,延时时间T1,关闭继电器
THTTH1982:是的,当VCC大于10V以上,开关就打开开送到MOS。但输入检测到必须有电才行
踏雪无痕:3、延时输出信号控制PWM信号,当延时T1后,PWM信号开始软启动
THTTH1982:也就是必须有交流电才能打开MOS的驱动信号
踏雪无痕:我都是这样做的
THTTH1982:有延时,会不怕连续浪涌,一秒连续5次开关机,并且满载工作
踏雪无痕:我从实际出发,不考虑一些没用的东西
nc965
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  • 2013-2-5 19:33:27
 
ht_lb@126.com:感觉还是王工说的那种方法可靠一些,这里直接用PWM来控制两个管子还是会有一些问题的
THTTH1982:不要那阻,驱动信号能过二极管给电容充电。前面还有一电阻到地,还有一个大MOSCgc,你说上升会不会很慢
踏雪无痕:Cgs会有多大?驱动电流会多大?算一下时间就可以了

THTTH1982你查一下你那么190A的是多大。这些个是对地的哦,,,
ht_lb@126.com:用王工所说的那个逻辑就不能保证电阻R先被切除掉,那就会存在烧毁的风险
踏雪无痕:晕,我在这里用190A的干嘛?
THTTH1982:到少要用50A
踏雪无痕:一个驱动信号,如果C2上的电压没达到启动的时候,后面的零一个罐子也不会开通
ht_lb@126.com:后面带满载 占空比到了最大
踏雪无痕:们自己分析逻辑吧,你的IC没有软启动?你在第一个脉冲就达到了最大占空比?不从实际出发的讨论没有意思
THTTH1982:第一个脉冲怎么可能
踏雪无痕:从不讨论理论
ht_lb@126.com:恩
踏雪无痕:理论就是扯淡
THTTH1982:第一个脉冲 是检测用的。看电路正常不,正常就再输出,不正常就停了,软启双用的,不要把38XX的扯进来了
THTTH198238XX一输出就是一大串,并且都是大占空的波
踏雪无痕:你做大功率难道不会加软启动啊
ht_lb@126.com:延时大了就可能烧毁R
踏雪无痕:38XX一样可以自己加

THTTH1982IC本身没有,不会加啊,王总
踏雪无痕:谁控制占空比?
THTTH1982CS FB
踏雪无痕:就让谁慢慢启动,错,COMP

THTTH198238XX,几脚。。。

踏雪无痕:对
ht_lb@126.com:好用吗?没用过 效果如何?
踏雪无痕:知道,我做过输出软启动的试验
ht_lb@126.com:哦
踏雪无痕:没做过输入的,理论分析,好用
ht_lb@126.com:哦
踏雪无痕根据我说的,理论就是扯淡的话,没有实践还是扯淡,
ht_lb@126.com:哦
THTTH1982:这样行吗,王总,平常我不接V1R1的,R2R17也没有
踏雪无痕:这是斜坡补偿,跟软启动有什么关系?
THTTH1982:平时都这样用,但在34脚上接了一电阻
踏雪无痕:34脚接电阻也相当于部分斜坡补偿,但电阻大基本没效果,电阻小会影响轻载满载时候的频率
THTTH198238XX太多假的了,后面的用的OB的多

先说一下,桥后的电流流过U2给大电容充电,大电容又通过U2PWM放电,若大电容与PWM并联,是不是只有桥后的电流才流过U2
踏雪无痕:直接提问题
THTTH1982:这样子的在MOS上双向流动与单向流动,在时间上,双向流动的是不是损耗大一些
ht_lb@126.com:双向流动?
踏雪无痕:电容存在充放电,如果流过母线的是10A,流过电容的会是多少?
THTTH1982:算了,我没用这个电路,我不作答,我没用过我不能作答
ht_lb@126.com:不是作答 是讨论,哈哈
THTTH1982:若是我设计的话还是走一班的路线。
PowerAnts3.63A
ht_lb@126.com:就是所说的36.3%
PowerAnts:对,开关接触电阻的发热下降一个数量级
ht_lb@126.com:哦
THTTH1982:蚂蚁哥,若不这样接,电流多少。。
PowerAnts:若接到桥后的干线上,就是10A啊,用继电器的话,那怕接触电阻5mohm, 发热量也有0.5W,温升很高
THTTH1982:是连续还是。。
MOS,平均电流若是1OA的话。峰值更大,是流过MOS,电容的电流又是多少。。
THTTH1982MOS好散热。没的触点,继电器跳几次就不好使了
THTTH1982:那个图你没有算电过0的时候,流过MOS与电容的电流。
PowerAnts:《电工技术》早考虑了,电压过零时,电容的电流最大,但时间很短,这些细节咱们就不需要去推导了
当然了,有兴趣的可以去翻电工书复习一下,重新发明自行车,对社会意义不大,对个人还是有意义的,至少提高动手能力
THTTH1982:那是
ht_lb@126.com:蒋工觉得用MOS IGBT SCR等和用继电器哪个更可靠?
THTTH1982:我觉得继电器
PowerAntsMOS可靠
ht_lb@126.com
PowerAnts:继电器触点有寿命限制,IGBT接近恒压降,至少一伏多,SCR压降更大些,当然了,要看功率等级
THTTH1982:用好的也能用过10
PowerAnts:几KW以内用MOS
踏雪无痕:根据我1/4甲子的功力来看,对于高手会觉得功率器件比非功率器件可靠,贴片器件比直插器件好用

PowerAnts10KW级别用IGBTSCR,再大的话,最好用接触器

THTTH1982:接触器是继电器吗?

PowerAnts:接触器是大型特种继电器

nc965
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  • 2013-2-5 18:52:19
 
新乐乐:李工 王工说的那个问题如何来避免呢?
清风:没有他说的问题吧?
新乐乐:不存在?不会导致R烧毁?
清风:应该不会
新乐乐:为何?
清风:因为时间很短
新乐乐:后面假设带着很大的负载,那后面的功率不就流过电阻R了吗?
清风:R就是用他来承担瞬间功率的
新乐乐:不会导致损坏?关键是是否会损害呢
清风:你没见踏雪无痕说根本就不用那个电阻吗?
新乐乐:哦,就是直接用U2?
清风:好像也可以,慢点开通
新乐乐:哦
joezzhang
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  • 2013-2-5 22:33:01
 



我认为更好的方式:去掉D1、R1,把D2换成三极管Q2,用逻辑信号来控制Q2的基极来开关U2。
U2开慢一点理论上很美好,实际上要考虑其SOA,开通的过程中突然来个600V的残压,一个不注意MOS就有挂的风险。所以很多人觉得继电器比MOS可靠,实际上是Surge来的时候继电器更可靠,做主开关管的时候就算频率很低,也不会有人认为relay比MOS好。设计到位的话,MOS、IGBT都要比有机械触点的Relay更可靠,除非是电力应用场合,随时有感应雷、偶尔还有直击雷,那半导体就有些不经抗了。
hxhz
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  • 2013-2-5 22:51:42
 
问题似乎集中到机械开关和固体开关上了。
nc965
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  • 2013-2-6 10:02:20
 
很好,深入的讨论不仅能够发现问题,修改完善,还能找到新的灵感。
如果能够不用R,单靠MOS达成功能,是个不错主意。这样又减少一个高危元件R,系统更趋于可靠。
一般而论,缓冲电阻R(脉冲功率电阻)、NTC(有机材料聚合物)、继电器(机械触点)等器件的可靠性、可控性以及寿命远不如MOSFET器件,能不用最好不用。
但是MOSFET也有它自己的问题,必须保证其安全工况是前提。
我觉得,这里的应用,无论用不用R,受限制的不是SOA,SOA是个常态工况,这里不是。
而器件的 Ipuls 指标才是我们的安全控制指标。
最不利工况发生在交流正弦的峰值附近的开通,也就几个mS,即使电解电压不能在一个交流半周内(10mS)充满,也有个过零附近的电流归零,然后在接下来的高峰的后续充电中,其电流冲击将迅速削弱。
这种工况是实际工况,与Ipuls 指标测试工况接近,比SOA耐量大许多。大家以为如何?
joezzhang
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  • 2013-2-6 17:21:36
 
是我描述不清楚,SOA关系到连续开关机,如果浪涌来了,要考虑单次耐冲击能力,但最坏的情况就是开机的同时来一个浪涌,这个时候考验的还是SOA余量够不够。
蒋江黔
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  • 2013-2-6 17:28:20
 
MOSFET未开通之前是不怕浪涌的,怕的是开通之后的浪涌。
为了防止浪涌,可以加一个微分电路,达到某阀值立即关闭MOSFET。
joezzhang
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副总工程师
  • 2013-2-6 17:34:16
 
开通过程中,现在讨论的是不用R,只用Mos,那么软启动过程的几十mS内,MOS都工作在放大态,Rds是一个变化的电阻,这个时间很长,即使没有浪涌也要注意SOA,如果这个时间段来个浪涌就很惨了。

蒋江黔
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  • 2013-2-6 17:36:42
 
不用R简直是自找麻烦, 呵呵
蒋江黔
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  • 2013-2-6 17:39:27
 
而如果, 实时检测R上的电压, UR小于10V, U2才能打开, 高于10V就立即关闭, 这样连浪涌都不怕了
蒋江黔
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  • 2013-2-6 17:42:03
 

lvrc01
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本网技师
  • 2022-5-14 11:40:29
  • 倒数2
 
受教了!挺不错的改进,回复的都是高人,这整篇帖子多读几遍!
nc965
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  • 2013-2-6 18:01:12
 
我到觉得,不用R很有机会,所有麻烦都扔给MOS。
不用R的意思是:MOS就是R,从开始到最后都是它来承担,就按600V启动,软开通,过线性区。这样就不用考虑浪涌问题,开机时机问题了,如何?
蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:35:32
 
不用R, 你必须控制在C首次充电过程中始终工作在恒流区, 你计划用多少时间来完成这个过程呢?
MOSFET恒流区的输出特性受温度影响很大, 当然了这问题不大, 加一个小功率管检测可容易实现恒流.
另外, 即然大功率, 那么电容容量都比较大, 储能也比较大, 充电过程中MOS的发热量等于电容储能. 若为220uF充到380V,考虑电容+80%-20%误差容限,那么MOS发热量最大达28.6焦尔,TO-247的MOS在一秒内无散热器估计杠不住。
5W的电阻就没问题,电阻皮实的很,特别是线绕电阻。
而用R的话,小小的贴片MOSFET都很安全
蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:57:38
 
纠正:
刚才查了一下, 在1秒脉宽, 10秒的周期下, IRFP460(代表TO-247封装)的瞬态热阻大约是0.4K/W.
28.6J的能量平均公布在1秒中作用的话, 1秒结束时的结温升高71.5度.
就算考虑到长期工作并关机后又重新开机, 初始结温六七十度, 也能撑过去.

由此可见:凡事要认真,以后我要少“信口开河”了
nc965
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  • 2013-2-6 18:58:12
 
耐温、散耗功率,散热条件,电阻都不及MOS,一个TO-220,加上散热片,可当个20W的电阻吧?
蒋江黔
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  • 2013-2-6 19:04:50
 
稳态(工作时间在1秒以上)条件可以这么认为
nc965
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  • 2013-2-6 19:10:06
 
电阻在瞬态的表现也不会好到哪去,莫名其妙地就挂了。
zhaohua2764
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  • 2013-2-6 19:13:38
 
绕线电阻还可以。。。
蒋江黔
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  • 2013-2-6 19:13:54
 
膜式的会这样,线绕的功率电阻不至于如此娇气
蒋江黔
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  • 2013-2-6 19:12:30
 
关于耐温, MOS可比不上电阻.
线绕电阻一般最高表面温度可到145度.
而MOS是最高结温150度, TO220的封装热阻大约0.5k/w, 20W的功耗下,只允许110度的壳温
另外, 20W的散热器价钱也不比MOSFET便宜(考虑60度环镜温度下80度的散热器表面温度, 30度的温差留给绝缘片)
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-7-10 19:54:37
  • 倒数10
 
最大误差+80%????不是+20%么?
蒋江黔
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  • 2013-2-6 17:45:27
 
SOA只适用于稳态,不适用于瞬态条件
joezzhang
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  • 2013-2-6 18:09:19
 
MOS串电容不用电阻,我在24V和-48V系统中用过,没有什么问题。
但如果电容太大初始冲击电流大的话,MOS就抗不住。由于MOS的开通时间太长,而且有一段时间工作在放大态,有一个电流平台。单次脉冲没有描述这么长时间、小电流的情况,所以需要用SOA图像中10mS左右的那条线来大致判定。最终再用多次测试来检验。
蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:22:09
 
你用多大的电容? 这里的电容可是几百伏,几百uF.

关于SOA, 重复一下, 那是指定壳温和结温下的稳态参数, 不能搬到瞬太上来. 研究瞬态热设计, 要用瞬态热阻法
蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:24:53
 
如果MOS导通前后的压差很大, 那么至少要考虑的是单次脉冲耐能. 如果考虑环境温度, 还要打个折扣, 因为EAS考虑的是结温150度,壳温25度
joezzhang
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  • 2013-2-6 18:39:03
 
我用的100V/4700uF,瞬态的东西太悬了,没接触过瞬态热阻法,也不知道这东西准确度有多高。


我参考SOA做的理论估算,后来还是用的笨办法:连续测试。不过效果看起来还可以,实验检验我的估算基本正确,同样电流、电压的管子,不同的SOA曲线,SOA曲线包围的面积较大的都没坏,SOA曲线包围的面积很小的80%都坏了。
joezzhang
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  • 2013-2-6 18:41:08
 
温度肯定有影响,所以要多留一些余量,而且这个曲线本身也不是很精确的,但可以参考。
蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:42:37
 
4700uF电容, 在MOSFET的控制下, 端电压由0V猛一下充到48V, 做产品不出问题只能寄希望于烧高香, 加门板大的散热器也不行.
蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:47:02
 
补充: 瞬时发热憋在晶片内部散发不出来, 完全靠晶片吸收, 原则上只受结温,壳温,晶片体积限制, 跟外部热沉无关.
zhaohua2764
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  • 2013-2-6 18:51:07
 
坚强的堡垒,最可能从内部攻破。

蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:59:31
 
是的,这就是必须考虑EAS的来由
joezzhang
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  • 2013-2-6 19:23:20
 
呵呵,D2PAK封装无散热器,年产量约10w左右吧,我在那干了三年没出过问题,现在离职5年了,不知道有没有问题,至少偶尔和原来的同时通个电话,没听说有这方面的大事故。
猛这个词不合适,大概的充电时间是30mS左右,最大电流不超过5A,瞬态功耗最大250W。没去哪烧过香,测试了、发货了。
蒋江黔
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  • 2013-2-6 19:34:35
 
30mS说的过去, 瞬态热阻只比稳态大一倍, 这就没问题.
如果上电没有限流措施, 或MOS两头都是大电容, 你再试试, 呵呵
joezzhang
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副总工程师
  • 2013-2-6 19:49:13
 
本来就是两头大电容,MOS作为软启动的部件就是限流的。

实际是一个热插拔的软启动电路,一边是背板有大概1mF左右的电容,另一端是单板,视单板的大小从100uF到4700uF不等,刚开始设计出来1000uF以下没问题,大了就烧MOS。

后来逐渐排查,找到问题后改进,因为这个电流波形不规则,既不是单纯的尖峰也不是方波,所以算平均功率的时候很为难。按30mS的平均电流来算1A/30mS,设计是没问题的,但事实烧了;按第一个尖峰来算,5A/30mS又过设计了,实际只有2-5mS能到5A,后面降到1A以下。所以总能量遵守EAR的限制,第一个2-5mS的尖峰我就用SOA图像中的10mS曲线对比,最后用实验来检测设计效果。
joezzhang
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  • 2013-2-6 19:58:47
 
基于职业道德,不能直接将原理图公布,而且我也没有copy原理图,电路形式能记得,参数也有些记忆模糊了,但是当年从设计到发现问题到改进完毕,花了我大半年时间,所以关键的波形还能记得。
不要R是能实现的,电路也不复杂,但对于参数的设计和MOS的选型要相当小心。而且我那个电路是48V过来,即使有残压也不超过100V,比这个工况好多了。不过这种Mos串在电容支路的用法我似乎隐约在哪儿见过,设计好了应该是没问题的。
蒋江黔
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  • 2013-2-6 20:17:19
 
没关系, 限流措施很多,只要想搞, 电路基础过得去的工程师可以搞出很多样, 80年代的收音机电路集上, 电源部份就有许多分立限流电路

MOS做电源开关, 首要的保护就是限流启动. 最好是恒流, 不然线性区离散性太大了
joezzhang
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副总工程师
  • 2013-2-6 20:37:23
 
同意。恒流最好,只是很多时候基于其他考虑而不这么做。分立器件可以搞很多东西出来,只是现在IC太多了,很多人就懒得去搞了,这也跟公司策略有关,开发周期压缩得太狠,就没心情去搞复杂的验证了,用IC找原厂支持最简单。


PS:好像我们的讨论不那么尖刻,最后也能达成一些共识,谁也没有吹捧谁,大家都平和一点多好。。。
蒋江黔
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  • 2013-2-7 09:15:05
 
技术讨论本来就是各谐的,呵呵.
(除非, 除非某一方不怀好意, 主动挑衅对方, 刻意去骂对方;或者说文人相轻, 贬低对方, 抬高自已)
蒋江黔
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  • 2013-2-6 18:44:38
 
每一份datasheet上都有不同脉冲下的瞬态热阻图表, 按这个图表进行热设计, 如果MOS异常烧毁, 你可以找厂商索赔
joezzhang
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副总工程师
  • 2013-2-6 19:38:01
 
那个热阻表没问题,不过瞬态功率是不好估计的,因为刚到Vgs(TH)的时候,那个尖峰是最大的,而后面接一个平台电流,算成两个脉冲不合适,算成单次脉冲来求平均值,余量又太大,成本和体积上都不合算。EAR会好一点,但因30mS内开始的尖峰电流可以到5A,后面降为1A以下,所以EAR求的平均值一样不准确。

蒋江黔
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  • 2013-2-6 20:18:54
 
知道了某脉冲电流下管子的瞬态热阻, 就根据允许的结温升来求得瞬态功率了, 这是理论依据.
nc965
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  • 2013-2-6 22:29:16
 
仿了一下
输入600V峰值50Hz正弦,不用R
MOS型号:8N60,
驱动信号:方波
驱动RC积分电路:R=47K,C=1uF
电解容量:330uF
任意投入角度,Ids最大电流38A,
缓冲时间:约30mS




体会:看波形,Ids很接近Idpuls定义,感觉按照Idpuls控制没有问题。
joezzhang
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  • 2013-2-6 23:57:48
 
8N60抗不住38A吧,不用R的话,就可能要100A以上的管子了。



成本上不合算,还不如多加一个电阻。
nc965
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  • 2013-2-7 08:14:51
 
这个就是不用R的,8N60的Idpuls不止38A吧?
当然,用R也是一种选择,没说不能用。
ckj_ck
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  • 2015-7-11 15:19:15
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datasheet写的8N60的Idpuls只有30A
蒋江黔
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  • 2013-2-7 10:10:14
 
仿真里有热参数吗? 比如结温
nc965
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  • 2013-2-7 10:16:12
 
有的,但我不会设置
蒋江黔
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  • 2013-2-7 10:34:26
 
我估计, 如果把结温考虑进去, 可能过温了, 只是猜测
nc965
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  • 2013-2-7 11:08:01
 
如果按Ipuls指标控制,可以不考虑结温,人家提这个指标时,已经考虑了。
蒋江黔
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  • 2013-2-7 11:24:20
 
下面是ST的8N60的SOA,可见,在600V,30mS处只允许0.5A电流,大约流过0.015C电量,可将330uF电容的电压提高45.5V。
请注意,这是Tc=25度的情况,如果壳温为60度,还要打7折
别的厂家的我没找到,不过我不相信能比ST强10倍
FQPF8N60C.pdf



nc965
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  • 2013-2-7 11:40:01
 
我也查了一下,8N60的Ipuls是30A。但是没有查到这个参数的说明,没记错的话,一般情况下,这个指标对应的是8.3mS不重复的脉冲电流。
蒋江黔
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  • 2013-2-7 11:45:31
 
而且, 极有可能是开关状态的脉冲, 而非线性区...

无论如何, 我都觉得离你的30mS, 线性区太远
nc965
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  • 2013-2-7 11:59:45
 
从图上看,哪有30mS啊?30mS是指整个完成过程。低脉冲可能到10mS,高脉冲时间短许多,而且最多就是一个低脉冲过几mS后再接个短时高脉冲。
蒋江黔
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  • 2013-2-7 12:07:47
 
仿真可能出了问题, 有点小自激吧,
nc965
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  • 2013-2-7 12:31:35
 
从你给的图上看,30A是对应10us的,应该是我搞错了,二极管才是8.3mS.
oleangae
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  • 2013-5-10 09:43:58
 
学习了
grace810910
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  • 2015-1-22 14:26:00
 
哎呦不错!
ckj_ck
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  • 2015-7-11 15:33:27
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从蒋的图上看,30A的只能是维持10us的不重复脉冲电流吧?
guo407214944
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  • 2013-2-6 22:00:08
 
学习了,最近3843做的反激,总炸3843和采样电阻,NMOS,保险管,炸得没信心了。大师有时间看下这贴,谢谢https://bbs.21dianyuan.com/147132.html#buttom
心囚蓝魔
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  • 2013-2-17 11:29:46
 
精彩的讨论 学习了
liu1875
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  • 2013-3-7 14:37:50
 
我来玩玩哈


我靠,nc965,就你这烂电路,还大功率电源软启动电路。你知道啥叫大功率电源嘛,名词都没搞懂就还来瞎上电路,还软启动呢,搞的神忽奇神滴。真要软启动,搞个超级水泥电阻,100瓦的电阻,加个1万uf的电容,耐压1200v,这才是真正的大功率软启动,不要不懂装懂好不好。真鄙视
nc965
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  • 2013-3-7 15:30:47
 
你啥都想到了,就是没有想到做软启动最关键一个东西,10万安培的真空断路器。
liu1875
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  • 2013-3-7 15:45:06
 
,还不如直接控制发电机的转速阀,电压缓慢输送.
blueskyy
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  • 2013-3-7 16:48:12
 
wolfdeer
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  • 2013-3-8 15:58:12
 
描述中U2、C2的处理有点问题,启动后U2应持续工作,C2应有一定容量,重启时需要有放电回路。电路核心在于软启动开关只处理电解的纹波,功耗小,以前在大功率场合用过,小功率不太注重效率时甚至可用二极管代替。但大功率时滤波用的X电容也是需要处理冲击的,不是只有微秒级的电流脉宽就可以不管的
ckj_ck
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总工程师
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你指的可以用二极管代替是指哪个器件可以用二极管代替?
ckj_ck
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总工程师
  • 2015-7-11 21:04:49
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要是指的U2或者R的话,那只会让脉冲电流更大吧?
windh
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  • 2014-9-8 00:00:36
 
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lcrsemi
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  • 2015-7-10 20:25:35
  • 倒数9
 
母线上串电阻,预充电后用开关(继电器,半导体开关器件)短接电阻,这是有专利的。
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