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讨论 反激电路设计

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qwe111
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LV4
初级工程师
  • 2008-9-16 09:56:32
20问答币
反激电路设计
变压器初级电流在9V输入时的峰值电流达到了27A,如果电压是36V的话,那电流还要大,是不是?

输入电压:9--36V,输出电压:12V 输出电流:5A
Vcc=17V Iovcc =0.1A 给控制器供电的电压.
使用了反激变换器:效率g=85%, fs=100KHZ, Dmax=0.45
计算步骤如下:帮我看看,高手们!
1)确定△B
选择TDK的PC40材料,经过查表:ui=2300±25%,Pvc=410KW/m~3(@100KHZ,100度温度条件),Bs=390mT, Br=55mT(@100度温度条件)
选择△B=60%Bm=0.6*(390-55)=0.6*335=200mT
2)确定磁心尺寸
1.求AP
AP=Aw*Ae=(Pt*10`blog_bbs_4)/2*△B*fs*J*Ku=[(60/0.85+60)*10`4]/(2*0.2*100*10`blog_bbs_3*400*0.2)=0.41cm`4
2.确定形状和规格,经过查表,选择EI28磁心,参数如下:
Ae=86mm`blog_bbs_2, Aw=69.8mm`2, Al=6060nH/N`blog_bbs_2, le=48.2mm,
Ap=0.6cm`4, Ve=4150mm`blog_bbs_3, Pe=107W,(100Khz).
3) 估算CCM和DCM的临界电流IoB
以IL达80%Iomax时为临界点设计变压器.
即: IoB=80%*Iomax=0.8*5=4A
4)求匝比n
n=(Vinmin/Vo+Vf)*[Dmax/(1-Dmax)]=( 9/12+0.5 ) *0.45/0.55=0.59
5)求CCM和DCM临界状态的副边峰值电流△IsB
△IsB=2*IoB/(1-Dmax)=2*4/(1-0.45)=14.55A
6) 求副边电感Ls和原边电感Lp
Ls=[(Vo+Vf)*(1-Dmax)] / fs*△IsB=[(12+0.5)*(1-0.45)] / (100*10`3*14.55)=4.725uH
Lp=n`blog_bbs_2*Ls=0.59`2*4.725=1.645uH
电感值为临界电感值
7)求CCM时,副边峰值电流△Isp
Isp=Iomax / (1-0.45) + △IsB/2=5/1-0.45+14.55/2=16.365A
8)求CCM时,原边峰值电流△Ipp
Ipp=△Isp/n=16.365/0.59=27.7A
9)确定Np, Ns
1. Np=Lp*△Ipp / (△B*Ae)=1.645*27.2 / (0.2*86)=2.649匝, 取整数匝Np=3匝
2. Ns= Np/n=3/0.59=5.08匝, 取整数匝Ns=5匝
3. 求Nvcc, 就是给控制器供电的绕组.
求每匝伏特数Va, Va=(Vo+Vf)/Ns=(12+0.5)/5=2.5V/匝
Nvcc=(Vcc+Vf)/Va=(17+1)/2.5=7.2匝, 取整数Nvcc=7匝
10)计算漆包线直径dw
1.求dwp(原边线圈直径)
由原边有效值电流Iprms=Po/g/Vinmin=60/0.85/9=7.843A
Awp=Iprms/J=7.843/4=1.96mm`blog_bbs_2, 查表得,取dwp =1.6mm,(式中J是电流密度,取的是4A/mm`2)
2.求dws(副边线圈直径)
Aws=Io/J=5/4=1.25mm`blog_bbs_2, 查表得,取dws =1.3mm
3. dwvcc(控制器供电绕组)
Awvcc=Iovcc / J=0.1/4=0.025mm`2 查表得,取dwvcc =0.18mm
问题:电流峰值我觉得好大,还有电感量我也觉得太小了.这样好不好调试啊?
有的人说用反激结构好,有的人说用推挽结构好,我觉得用推挽结构是不是好点呢? 那些地方不合适,或者不合理,希望你们都说说....谢谢你们.....
中华电源
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  • 2008-9-16 14:55:48
 
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伟林电源
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  • 2008-9-16 15:08:42
 
用推挽好。
qwe111
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  • 2008-9-16 15:23:40
 
谢谢中华电源和伟林电源兄的帮助,这还有没有不合理的地方呢
cmg
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  • 2008-9-16 16:07:00
 
其实用推挽不好,输入电压变化范围太大,算一下占空比就知道推挽不好,高压时效率很低。如果不需要隔离,用SEPIC比较好。
luyan
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  • 2008-10-13 10:42:39
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赞同cmg说法
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  • 2008-9-17 09:38:57
 
真是说法多多啊
ren源
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  • 2008-9-18 11:50:05
 
用推挽好
cmg
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  • 2008-9-18 11:52:07
 
理由何在? 现在的输入电压变化范围是4:1
qwe111
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  • 2008-9-18 16:01:09
 
呵呵 谢谢
伟林电源
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  • 2008-9-20 18:38:25
 
同意CMG兄的解释,用推挽是比较容易的做法,可是在高压输入时效率是个问题,如果不需要隔离,用SEPIC会是更好的选择。
斜阳古道
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  • 2008-9-21 22:00:44
 
其实SEPIC也是可以实现隔离的.
qwe111
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  • 2008-9-22 10:01:32
 
SEPIC可以实现隔离.如何?
伟林电源
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  • 2008-10-12 19:44:30
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隔离SEPIC? 还请赐教!
cmg
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  • 2008-9-22 10:09:30
 

隔离SEPIC?
laura1226
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  • 2008-9-22 11:35:35
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这样的还是采用推挽比较好
laohan
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  • 2008-9-22 14:28:47
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为什么啊?
qwe111
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初级工程师
  • 2008-10-11 11:41:11
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在这里为什么没有人说用反激呢,如果改用反激呢
liu1337
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副总工程师
  • 2008-10-14 19:12:44
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推挽电路的输入电压增加的时候效率是比较低,我做试验的时候也发现了。赞成CMG,SEPIC没搞过,用反激的话效率可能会更低,我想这也是大家不赞成反激的原因吧
张大仙
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  • 2008-10-15 18:09:24
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支持!
斜阳古道
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版主
  • 2008-10-16 06:31:37
  • 倒数3
 
如果很关注效率,而不太在意体积与成本,可以考虑两级变换结构:BOOST+电子变压器(开环正激就行了,或者干脆就半桥),这样低压输入时效率也不错。
jinlai
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佩服
qwe111
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