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 |  | | | | 你的B值取值太大了,我几觉得你可以用其他的算法再去验证 |
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|  |  | | | | | 请问下B值的取法,我看磁芯的资料,看到它的最大值是0.31,取多少合适呢,如果取0.25,算下来的匝数不是更大了?我最纠结的还是初级感量的计算那点,觉得它太大了。。。 |
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 |  | | | | 这是谁教你算的啊,一塌糊涂,很多不明的错误,对你是个误导啊。 |
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|  |  | | | | | 那个,求指明哪几个地方错了,谢谢啊,能不能给个正确的完整算法参考参考,因为算法太多了,我都觉得混乱了,这个都算法是我结合大家的,然后再推导公式,得出来的一个算法,然后我就彻底混乱了。。。
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|  |  | | | | | L=vin*D/f/Ipk=239*0.25/65K/0.168=5.47mH
这个感量值还是觉得有点偏大啊? |
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| |  |  | | | | | | 不大,才4W,我的5V2.1A才1.6mH的电感量
你自己可以按照我上面的公式去算,其实很简单,只要你明白原理。 |
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| | |  |  | | | | | | | 如果取85V到264V时
Vin min=1.414*85-30V=95V(最低输入电压暂时这样算,)
然后 Dmax=6.6*(11.5+0.6) / [6.6*(11.5+0.6)+Vin min]=0.25
Iin-avg=Po/η/Vin min=4/0.8/95=0.053A
Ipk=2*0.053/0.25=0.421A
TON max=1/65000*0.25=3.85uS
Lp=98*3.85/0.421=0.896mH
这样说来,也就是说其实在176-264和85-264V它的初级感量确实是差距这么大了?
还有就是,对于Jerry.lin所说的那个TD/T的模式
求出来的Ipk方式不知道对不对呢,或者是说这两种算法之间的差异是怎么来的呢,因为在OB的DATASHEET里确实有说到它是这样的工作方式。 |
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| | | |  |  | | | | | | | | 我服了你,你这个是怎么得来的啊?搞错了!!!
Lp=98*3.85/0.421=0.896mH 不要误导人家!
好好研究这个资料,里面有点小错,不影响的! OB反击变压器设计.pdf
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|  |  | | | | | 对了,程工,关于匝比计算那里,我有点不大明白,就是
0.8*VD=N*(Vo+Vf)+Vin-max
这样N=(0.8*Vos-Vin-max)/ (Vo+Vf)
这里的Vin-max是个具体的什么意思呢,没有看懂。
是MOS管的输入电压么?
这里和你下面的这个
输出11.5V,那么通常都是选用100V的肖特基整流,这里100*0.8=80V,也就是说反射电压去80V
80/(11.5+0.6)=6.6不一样,
这个应该是N=Vor/(Vo+Vd)吧,
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这里一个是计算肖特基峰值电压,一个是计算MOS的峰值电压,Vin max 是最高输入直流电压
0.8*100>375/N+11.5 N=5.47
0.8*600>N*(11.5+0.6)+375 N=8
我取6.6是简化的计算 |
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| | |  |  | | | | | | | 恩恩,后来看了后了,琢磨了下,了解了,那我继续多看看,确实被这个搞晕了。还是没有吃透。。。感激的痛哭流涕了。。。 |
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