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| |  |  | | | | | | 您这个电路所画的这个圈，是不是就是RCD吸收网络与芯片控制管脚到地的回路？这个回路要尽量短？ |
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| | | | |  | | | | | | | | | | 要注意另一个比二极管更大的"电容"----变压器的绕组 |
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| | | | | | |  | | | | | | | | | | 这只能在回路中串磁猪解决, 磁猪的储能很少, Coss自已就吸收了, 没有安全问题 |
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| | | | | | | | | 你好 李工 C5接地 我想问一下 C5上并联的消耗电阻是不是要加一个反向二极管才可以 |
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| | | | | 楼主，是不是你的示波器显示的问题呀，或者是波形被切幅了？
感觉不可能的事情，你能办到？你上面的理论分析，我看也没有很强的说服力呀。 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | 我们都知道，电容上电压不能突变，那么为什么还会存在这个尖峰？很明显就是各种阻抗产生的，回路最小肯定有效。 |
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| | | | | | | | | 这样说我倒是明白过来了，但这个电容要用多大才行呀。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | 吸收电容的大小本来就是跟漏感大小有一定关系的，漏感不确定，如何确定电容? |
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| | | | | | | | | | | 最后还剩一点尖峰，其幅度就是这个电容上的纹波，显然用大点尖峰更小。我一般用472或者103。顶楼用的102，可能有点小。 |
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| | | | | | | | | 你这个应该是不行的吧，这个尖峰是电感反向电动势造成的，而之前看到这个坛子里面有个讨论二极管正向恢复的问题，这个与那个问题是一样的才对。
虽然减小回路面积能减少杂散参数，但是二极管的问题在那里，现在也没办法解决才对，如果这个能解决那BUCK BOOST的尖峰问题也解决了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我把这个走的最近试了一下EMI确实好很多，不过尖峰始终还是无法消除 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | C5改变位置，R5大小当然也要改变了吧。不会用一样的阻值。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | 原理上是一样的，只不过电容上电压变化范围是VIN到VIN+VOR |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 对，而且只是工频波动，应该对效率没啥影响，可能对容量的要求还小些。 |
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| | | | | | | | | | | | | 抱歉,看走眼了,昨晚被人拉去灌咖啡,结果睡到12点就醒了,在工作室猫到8点钟,接下来就一直犯困 |
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| | | | | | | | | | | 蒋工，是要根据具体情况，权衡尖峰电压和损耗，选择用上图还是下图吗？
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| | | | | | | c5换位置不换参数，R不换位置不换参数，损耗还是一样的，那里还是只有个反射电压嘛。
不过我还真没那样接过，已经没有尖峰了，就不需要那样接了。 |
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| | | | | C5接地的方法，不可取！
对于一个继电器来说，反并联的二极管，也接地吗？ 貌似没这么干的！
虽然也许可以！
整流后为直流，虽然有些波纹，但也不太大。所以视为直流，对于高频干扰，接地接电源，问题不大。
但问题是，接地，会给ＧＮＤ带来很大的干扰，地线的公共阻抗干扰，主要还是电感性质干扰。
会对于其他器件产生很大的干扰，这是从ＥＭＩ的角度来说的。
如果接电源，至少不会因为地线问题干扰其他器件。但效果应该大致一样的。
所以，我们没有见到一个继电器的线圈二极管有接地的，都是接电源。
反激电源的初级，道理也是一样，还是接电源为好！
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| | | | | | | | | 不必试了，这个尊重传统做法就可以了。
你的Ｃ接地，其实就是通过二极管放电，和继电器的线圈反并联的二极管，没有区别，因为Ｃ还是比较小的，对于高频信号来说。
你也没有用到电阻Ｒ。所以也不算是ＲＣＤ吸收。
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | 你根本没有理解别人的意思，C接地，既不是通过二极管放电，也利用到了电阻R。 |
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| | | | | | | | | | | | | 首先，RCD吸收的原理，D的作用是，不该导通时候不导通。
MOS关闭时，两个地方应该吸收，因为电感问题回路会产生很大的感应电压。
变压器初级吸收，MOS吸收。
本质上，MOS吸收，已经足够，初级吸收，可以加强吸收效果。
或也可以说用一种吸收即可。
在哪里吸收，就是在哪里就近释放感应电压的意思。
两个同时释放也未尝不可。
如图所示：
就近释放，显然最好，因为不会干扰其它器件的供电电压。
而地线的公共阻抗，会干扰其它器件的工作电压。
如果就近释放，就不会干扰其它器件了。
所以，通过电容对地释放，是不可取的，违反了EMI的原则。
RCD吸收，主要还是参数选择问题。这个概念搞清楚了，RCD应该有不错的吸收效果。
那就是，C尽量大，选22nF，有何不可吗？ 同时，减小R。 D就不用说了，反正你也不可能用肖特基。
快恢复的导通电阻也不太小，起到了好的阻尼作用，减小了振荡幅度。
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| | | | | | | | | | | | | | | RCD 的原理，简单来说，就是，关闭MOS时，首先通过CD形成通路，D先消耗能量，而随着C电压的增大，R也跟着消耗能量，越小消耗就越快。
因为感应电压也是类似斜波上升的，在达到最大电压前，如果R释放能量更多，那么最大电压就可以减小，减小了振荡幅度，其实频率也减小了。
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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- 帖子：45736
积分:107983 版主 | | | | | | | | 第二句：很大的感应电压是电感产生的吗？
另一个问题，地线的公共阻抗，一点接地你不会不了解吧，干嘛要让吸收回路跟别的回路共用地线阻抗？
第三个问题：减小R是正确的，但也有个度。
第四个问题：D2画反了。
第五个问题：下面图里，那个不是RCD吸收？ 
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 它认为二极管会把漏感能量送到母线，实际还是不行，MOS上还是有尖峰 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个图没有标注同名端，标上了就明白了。
关断瞬间附加绕组有个放电冲动，如果这个冲动刚好大于母线电压，就可以把这个冲动的最高峰部分的能量送回到母线上。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这里是漏感产生的。
单点接地，是模拟电路的作法，因为在模拟电路中电阻一般很大，几十到几百几千欧姆，阻尼比很大，所以不会产生数字电路的由于阻尼小而产生的振荡。
所以，模拟电路，不在乎大的电源和地之间的回路，虽然分布电感大，但R也大，并不会有震荡问题。
那么开关电源和数字电路性质一样。环路面积必须小，严格来说这是用至少4层板来解决的。
开关电源既像数字电路也像模拟电路，单点接地可以，但严格来说还是要按数字电路的方法。
为了降低成本，人们才使用单层板或双层的。 对于单层，只能如此，单点接地，但不同位置的器件的Vcc和gnd依然可以有很大的环路面积，这是分布电感的产生原因。 极端的来说，除非你们能够像4层板一样，才能获得最小的分布电感。 双层的比单层的有优势。
因此，开关电源的单点接地，并不能彻底解决分布电感的问题。 在数字电路中分布电感很小，nH级别的。二开关电源时uH级别的，所以电感很大相对于数字电路。 变压器的漏感是产生干扰的原因，对于大环路的分布电感肯定产生了公共阻抗效应，而使得IC等器件受到干扰。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你左边的是RCD吸收。
右边的，R14基本不起作用，如果是154的话。
右边只是相当于二极管放电，因为C相对来说阻抗还是比较小的，对于100k，1nF电容来说，容抗为1/2*3.14*0.1*0.001 = 16k，比154
小多了。而且事实上，震荡的频率比开关频率要高一个数量级，不过分。
还是老问题，你的CD吸收，走了公共地线，不要光看gnd，你需要知道的是，Vcc和Gnd围成的面积，单点接地依然是模拟电路地概念。
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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积分:107983 版主 | | | | | | | | | | 那我只能说，你根本不了解两个电路的工作原理，甚至只知道RCD是由三个器件组成，却不了解每个器件在RCD电路中所起到的作用。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 工作原理，本大师已经说的很清楚了，至于你的理解问题吗，你随意吧！ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 需要指出的是，对于开关，例如二极管或MOSFET，用RC吸收。
对于电感，例如变压器漏感能量的吸收，用RCD。
继电器线圈用D吸收，是因为继电器的线圈电阻比较大，几百欧姆，所以振荡不是问题。
总之，就近吸收的概念，肯定是对的。
不管是电感的RCD吸收，还是开关的RC吸收，都是就近的原则。
可以这样理解，如果附近有一个低阻抗的路径，谁还舍近求远去其他更大阻抗的回路，去进行干扰啊？
所以定性来说，R//C产生的阻抗，应该远小于其他回路的阻抗，才可产生最低的EMI干扰。
因此，RCD的吸收，不仅仅是个吸收问题，产生最小的振荡问题，阻抗足够小才是根本原则。
相信你已经可以明白了！
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| | | | | | | | | | | | | | | 咨询您个问题,RCD吸收电路那块的二极管为什么不能用肖特基？是因为它的反向恢复时间太快，把尖峰错过了吗？
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| | | | | 你们说的这些话题；
算是从纯电源设计角度来说的；
大部分MOS的检测或肖特基尖刺电压都是在做过流或短路保护的时候很难控制；
但这种电压从控制芯片角度是比较容易解决的；
有兴趣你们看看新能微的NE1118和NE1106；
芯片内部就做了这个功能；
虽然是又在宣传，但至少这两个芯片内部有解决的办法；
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| | | | | | | | | 你们可以自己找找看，这两个芯片是在驱动和峰值电流方面做手脚来控制尖刺电压，特别是NE1118 |
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| | | | | | | 我们假定蓝色的圈是正确的，可能有2个问题
1、请你仔细看上面的内容，电容C5是可以等效地接到GND上的，如此一来，你说的那个蓝色的圈就不存在了。
2、蓝色的圈相对GND是悬浮的，它没有地，貌似可以吸收掉原边的漏感，但吸收过程可能很复杂或者有谐振，这些因素都会反应到它这个悬浮系统上，形成对地（Vds）的不利尖峰。 |
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| | | | | | | | | 其实，那个蓝色圈圈才是正确的，或者说是主要的。
虽然其他电感（主要是走线的分布电感）存储的能量不通过那个蓝色圈圈，但这些电感与变压器的漏感相比小太多了，所以蓝色圈圈应该是主要的能量吸收回路。
按传统接法，首先应该把蓝色圈圈回路面积做小，这就解决了大部分的能量吸收问题。
至于分布电感存储的能量吸收问题，正如楼主所说，应该把红色圈圈回路面积尽量做小。
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| | | | | | | 或者我们再换一种思路来看：
蓝色的圈的唯一作用吸收漏感，一般漏感是uH数量级，布线电感是nH数量级。布线电感是串在这个圈内的。
意思是：uH数量级的漏感回路中，串了一个或者N个nH数量级的布线电感，对其能量吸收的参数影响是微不足道的。
意思是：这个回路不用最短，意思不大，影响甚微。 |
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| | | | | | | | | 你对蓝色线圈的分析我理解了，但我对红色线圈还是不理解。
产生尖峰需要有能量储存的电感对电容的充放电，但是红色环内没有这个电感。
我检查我的布线，我发现我的漏极与变压器有一段走线，而我吸收点在变压器侧，我觉得可能是吸收点选错了，导致有部分漏感能量没被吸收电路吸收掉，从而在漏极产生了尖峰。 |
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| | | | | | | | | | | 红色圈的意思就是要避免其中有电感成分，哪怕是nH数量级的杂散电感，对尖峰也有明显影响，因此要求走线最短，包围面积最小。 |
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| | | | | | | | | | | | | 楼主的意思重点是：这个引线电感可是会积累RC中C的电压的，等到时候和主电压一起叠加到MOS，那就引起很高的尖峰了。
NC965的思想，只要看明白了。就感觉在RCD吸收电路的设计上突然明白了很多。
大家多看几遍，努力去理解吧。
理解万岁！ |
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| | | | | | | | | 楼主的意思是不是说，吸收电路包括rcd和mosRsense这些电路和元件，而吸收回路的环路依然是包括漏感的？因为从时间点上看mos关断的尖电压是先体现在mos的寄生电容，然后才由和rcd的电容一起作用。 |
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| | | | | | | | | 李工你好，漏感是uH级的，布线电感是nH级的，所以漏感比较主要。而蓝色的圈的唯一作用就是吸收漏感，那么蓝色的圈就主要咯？
这么说岂不是和李工您之前所说的红色的圈是主要的矛盾了吗? |
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| | | | | | | | | | | 谁说蓝色的圈的唯一作用就是吸收漏感？漏感的减小，唯一的办法是变压器优化，而吸收漏感目前的办法是那个钳位电路，先进（无损）的办法还没有普及。
红色的圈即是本帖的主题，它主要对尖峰的第一个小尖起作用，主要的漏感尖峰还是要靠对漏感的优化。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我又以假设的前提重新看了一遍37楼，这下看懂了。（是说RCD中的寄生电感相对于串联其中的漏感微不足道，关键是红色圈的寄生电感）
也就是说，要消除漏感产生的尖峰，靠RCD。
而对于寄生电感产生的尖峰，就基本只能通过红色圈来消除了，是这个意思吧？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看到这里 我终于明白这个帖子的意思了 有两个电感的存在 C5接地的目的 优化漏感能量的吸收 是减少回路的寄生电感 那 能在真实的产品中能这样做吗 减少尖峰的同时也减少寄生电感的存在 用C5接地方法？
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| | | | | | | | | | | | | 只要这个小尖下去了，MOS的耐压承受能力就减轻了不好啊。
这点才是很重要的吧。
如果你选的MOS耐压足够了，那么就不要管这部分红的了，对吧？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 但是你消下去了，MOS的耐压就可以选小，那就可以节省成本了 |
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| | | | | | | | | 李版好！请问一下那漏感在电压尖峰中扮演着什么角色呢？
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| | | | | | | 你这个是小功率吧，电流比较小，漏感能量较小吧，大功率做不到这吸收效果吧 |
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| | | | | | | | | 原理都是一样的，我几KW的电源也基本上没有尖峰，总之那个圈要画好 |
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| | | | | | | | | | | 漏感能量不可能不翼而飞，我的认识是大部分漏感能量都充向了吸收电容，给他充了电荷，电压肯定要上升，除非漏感能量极小，或漏感能量有其他电路利用了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这里基本上没有讨论漏感，讨论的是消除尖峰，没有漏感也可能出现尖峰哈 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 比如Boost、buck，他们都没有漏感，但是布线不好也有尖峰 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没看到好啊，你想看到啊？这个跟芯片没有关系，跟布线有关系，把那个圈使劲拉开就看到了哈，想要多高的尖峰都行哈。
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| | | | | | | 通用规则就是：对于硬开关，围绕开关的高频通道，这个圈要最小化，这样尖峰最小、EMI最小、地线最安静。 |
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| | | | | | | | | | | | | 用模拟的示波器对比一下, 会发现数字示波器在观测噪声上强差人意. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 但是背景干扰的表现形式还是差不多的，模拟示波器看起来是云状 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 数字示波器看背影噪声, 也是云状.
数字示波器能同步的信号, 模似示波器也能.
我用的是菊水50M, 实际上可以看到300M的信号, (50MHz到200M差不多每倍频程衰减一半，但250MHz以上就很利害，300M的地方衰减起码有几十倍) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 数字示波器多为8位量化, 要看小噪声, 还是用模似的爽. 我平时调试用数字的, 看噪声一定用模拟的. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 每格10us吧，意思是总长度200uS，应该能比较清晰地看见背景噪音的情况 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看了你的多幅测试图片，觉得你还没有搞清楚如何测量开关电源的电压、电流特性。 |
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| | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：107983
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- 帖子：45736
积分:107983 版主 | | | | | | | | | | | | | 这些图片是给搞电源的人看的，所以你看不懂也属于正常。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器测试的漏感如果是5%，是不是意味着变压器传递就损失5%？ |
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| | | | | | | | | | | Toff时，开关管不是已经关断截止了吗？怎么参与到通道里面去了？不明白? |
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| | | | | | | | | 改变一个人的思想很难！
以前我们都是关注，主绕组跟RCD那块电路了，想要接受不管它，一下子还是不舍啊，但是为了红色回路面积更小，只能将RCD那部分的布局放在第2位了。
像楼主说的，引线长点相比漏感的级别差的大着呢，不管它又如何。
谢谢楼主改变了我之前的布局观念。
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| | | | | | | | | | | 也不完全对，去看我的三圈两地贴，首先是红色的第一个圈，然后就是蓝色的第二个圈，都要最小化。 |
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有个问题，很多文章介绍都说是，MOS的DS电压波形的第一个谐振尖峰跟漏感有关，在这里如何突出红色线圈对该DS电压波形第一个尖峰的影响。
file:///C:/DOCUME~1/thl/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image001.jpg
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| | | | | | | | | 请教下李工，同理对于逆变桥来讲，对于每个桥臂也是要求包围的圈最小，路径最短是吧？
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| | | | | | | | | | | | | C3用1nF/500V,尖峰无明显变化，用2.2nF/500V尖峰由80V变为60V，用10nF/630V尖峰变为56V。总觉得消除不了，可又看到楼主的图确实没有尖峰。纠结中～ |
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| | | | | 这个跟漏感有关 布线再好 漏感也没法消除 你是用RCD 加重的后果吧？？ 困惑中.... |
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| | | | | | | | | RCD的参数直接影响到EMC，尖峰不是越小越好，吸收也不是越大越好的。 |
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| | | | | | | 漏感还是起决定作用，把开关环路面积做小了，这个面积也会小。 |
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| | | | | 仔细分析一下DRC电路回路，在U1开关管截止的时候，T1由于电感的作用，会产生一个感生电流，从D2通过R6给C5充电，当C5下端的电压大于输入HV时，会通过R5放电到T1的1脚，这样就产生了尖峰，实际的回路就是T1的2脚电流通过D2给C5充电，然后通过R5回到T1的1脚，构成一个完整的回路，想要消除这个峰值，只需要改变这个回路的参数就行了，具体的，看你要求及测试结果，而不是象NC965先生那样的回路。 |
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| | | | | 楼主太以偏概全了，那个圈圈固然重要，漏感和RCD参数才是重点，方波，无尖峰，我也做过 |
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| | | | | | | | | 不要这样说楼主啊，人家只是没有说前提而已，在漏感尽可能小的前提下哈哈。
我做的87V3A的反激电源，MOS管几乎没有尖峰啊。。。楼主说的还是很有道理滴 |
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| | | | | | | | | | | 楼主的标题是“葵花宝典”，什么是葵花宝典？若要成功必先自宫，楼主表示很成功但是否自宫就不得而知了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 不管怎么说，楼主说的还是很有道理的，楼上的不知道什么心态，说出这样的话来。 |
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| | | | | | | | | | | 肯定是这样的，如果没有产生尖峰的前提，当然也就不需要这个吸收的回路，也就不存在楼主说的回路的问题了，但实际上漏感总是存在的，所以楼主说的，对大家来说就很有必要了。 |
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| | | | | | | | | 你没必要这么说，你直接说你的答案才是建设性的态度。
光是说别人不对，自己却不给出自己的答案，给人的感觉就是光说不练。
指责别人容易，但更重要的是拿出被指责的勇气。
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| | | | | | | | | | | 你这话可都是有点逻辑问题的，
被指责还需要有勇气吗？比如你现在在指责我，这跟我有没有勇气何干？
你现在也在参与但并没有见你给出你的答案，是不是也是光说不练？是不是属没有建设性的态度？或者仅仅为了指责别人？
你再看看发言的人有多少人给出自己的答案，难道都不要发言了？
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| | | | | | | | | | | | | 被指责不需要勇气吗？那你为什么不亮出自己的观点？
对哦，我也没亮出自己的观点。
但问题是我觉得该说的都被他们说差不多了，你既然表示反对，当然应该说出自己的答案。
的确，不是发言就要有自己的答案。比如赞同某人的发言，还需要自己的答案吗？
你简单表示一下反对，我也不会说啥，但我看见你连续几次发言说别人不对，却总是不说为什么，这难道是合理的态度？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 很抱歉，我仔细看了一下，我很早以前就发过言了，对或者不对，起码我给出了自己的看法。
我还在想呢，如果我没发过言，这些天这个帖子怎么老是跑出来。
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| | | | | | | | | | | | | | | 有点不明白，被指责需要什么勇气？有勇气和没勇气有何区别？比如我现在准备指责你了你需要什么勇气？说说也好让我学学。
交流的方式难道有固定格式？有些问题不一定得马上给出自己的答案，有些问题不是三言两语能说清的，有些问题说了别人不一定感兴趣。比如你评论球赛，难道你非要下去踢几脚？
什么是简单反对什么是复杂反对？如何界定？
这话就更荒唐了：“但我看见你连续几次发言说别人不对，却总是不说为什么“，我可以找出你或者别人无数的类似行为，你都要去责备一下？另外，我也想听听哪几贴我连续说别人不对，却总是不说为什么。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 看起来你似乎只是想在这里发泄情绪，根本没打算讨论技术问题。
你所说的这些话看起来似乎都是对的，但这是和人讨论技术的方法和态度吗？
对你这样的状态，看起来我们根本无法沟通。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我有什么情绪？和谁有仇啊？这么乱下定义。我那句话说的不对直接说就可以，有何必要拐弯抹角的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你根本没有（技术）内容，怎么判断对错？
别人能说的只有态度了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也没什么不好的态度吧？只说楼主不懂尖峰，这就是态度不好？要引发大师声讨？难道我觉得楼主说得不对也要说楼主很懂尖峰才算好态度？说话这么难？难道大师觉得某人说得离谱你都会说一声“说得真好”？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不要讨论了啦，人家楼主的侧重点知识说那个回路而已。 |
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| | | | | C5接地就是取消C3作用的意思！
请问这个是什么意思，麻烦解释一下好么？ |
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| | | | | | | C5接地了，C3就有接地通路了，不就等效成接地了吗，那就相当于取消了C3（交流通路） |
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| | | | | 如果是针对这个波形，
只是将红色圈处理好，尖峰抑制效果不是很好吧。这个波形的尖峰主要是跟漏感有关吧。
红色圈的理论，重点关注的是楼主给的那个波形的第一个尖峰？
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| | | | | 能多举例几个不同MOS的漏源波形，然后看红色圈改善了，大约能降低多少尖峰？
像这个波形，如果红色圈弄好了，能整体压下去吗？
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| | | | | 李工：你這個不管用啊！
請看圖片中R5,D5，C5 ICIPIN已經很近了，但VDS還是沒有下來！
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| | | | | | | 3圈两地都得布好，还要靠变压器优化，综合设计，得到理想的VDS波形
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| | | | | | | | | | | 李工，您好，请教您：我用L6562做PFC电路，PFC MOS有尖峰，开关机的时候冲到了650V左右，MOS耐压用的是600V的。这种尖峰想要减小要从哪里入手呢？
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| | | | | | | | | | | | | | | 不是单极电路，是两极的。PFC电路图已经上传上去了，麻烦您帮忙看下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器，漏感小,厂家也只能做到占原边电感的1.8%。
按照三圈2地来布线了，结果VDS的波形尖峰就超过100V了，弄不到热别低的效果
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| | | | | | | 比较喜欢看这中实际问题实际分析的内容 ，也感谢版主分享了
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| | | | | 各位21世纪电源网论坛的朋友们，大家好，我是中星微的FAE，我们公司是主做锂电池保护的，包括单节、双节及多节的锂电池保护芯片，在业内也是被大家所熟悉的，今天在这里打个小广告，若打扰到您获取知识的体验，先说声对不起，倘若您眼下需要用到锂电池保护芯片或者想详细了解下锂电池保护芯片，欢迎来电来函以及来而不往非礼也之洽谈，梦想还是要有的，万一实现了呢，我的Q309521072，说你呢，别等了，加吧！ |
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| | | | | 读完一遍，学到了很多借鉴的地方，但是想要收获属于自己的东西，还是需要自己多动手实际测试看看效果
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| | | | | 版主，你好，请问一楼中二极管反向恢复的作用时间和尖峰时间刚好错开的，这句能更详细讲解一下吗
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。那就是说错啦~那就没矛盾了~（RCD主要用来吸收漏感产生的尖峰和蓝色圈里的杂散电感所产生的尖峰）
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