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| | | | | | | | | | | 减少漏磁的主要方法-线圈交错绕....这个也是解决的方法吗 |
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| | | | | | | | | | | | | 漏感能量1/2 * Lk * Ipk2
假设其全部无损转移至电容,则 1/2 * C1 * Vspike2=1/2 * Lk * Ipk2
所以Vspike=Ipk * (Lk/C1)0.5
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,要是一个周期没放完的话,那么还要加上一个平台电压 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 。。。要加到根号里面,麻烦了
Vspike=(Ipk2*Lk/C1+V02)0.5
V0又取决于电阻放了多少能量。。。
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| | | | | | | 这里忽略了MOS的Cds和变压器的Cp,它们的值和C1相比较小,故忽略。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果想说D的不理想性的话,那就是剩下的10%了,上面的图中也只能解大部分,而不是100%。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 关于D的问题,就等着你们来挖,这也是我最后一句话的意思。
其实除了D,要解MOS的尖峰,也可以从副边下手。 |
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| | | | | | | | | | | 我也认为C1应该是MOS管的输出电容为主,与RCD中的C 无关。因为是漏感与Coss谐振才产生这个漏感尖峰。 |
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| | | | | | | | | | | 大师,这是我以前仿的,供参考 ~
您说的对,电容大小只是影响了“纹波”大小 ~
中间有条蓝色的线@C=10u,黑色的背景不易看清 ~ |
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| | | | | | | | | | | | | 电容上的波动是表面,把Vds的对比波形也示出来看看。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | Vds = Vin + n*Vo + Vclamp 前面两个是定的 ,Vds的对比也就是Vclamp对比呀 ~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 等我找下原来文件,再仿下Vds,下午帮你贴出来,现在有点事情,先离开下 ~ |
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| | | | | | | 变压器的匝间电容是串联的关系,实际是pF级的,很小,所以忽略了。
要说应该,还应该包括副边折算到原边的电容呢,这个也是pF级,而C1一般都到了nF级。
分析问题,如果把全部因素都考虑进来模型就会变得很复杂,就像小信号模型,EMI模型等等,都是抓主要,舍去次要。 |
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| | | | | | | 帖子的名称应该改改
大幅度降低MOS漏感尖峰的有效方法(一般可以降低50V以上):
1、降低漏感;
2、采用慢速缓冲二极管;
3、在缓冲电容上串联小电阻;
4、次级采用软启动电路。
如果这四个方法都没降下来,那出现的问题可能就不是一般的大了,需要仔细检查漏感尖峰的宽度(时间)。
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| | | | | | | | | 小凡兄幽默哈!
其实很多时候采用以上4点真降不下来:1、4点基本没法优化了,采用慢管基本是标配设计了,第3点更多的是基于辐射的考虑。 |
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| | | | | | | | | | | 为什么采用慢管,难道是让关断时间内,让此二极管多导通一会?减小增加t,从而减小di/dt,这个对输出开关噪声影响么
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| | | | | | | | | | | 敢问帅哥,这个3涉及的RCD的C上串联一个电阻你说改善EMI,那么会产生开关噪声传到输出么?我的反激电源开关噪声很大原边12V输出有1.3V,副边5V输出有2V的峰峰值啊
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| | | | | | | | | 哎。参数记不清了,2年前做的,反正,这种细的尖峰很难吸 |
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| | | | | 回22和26楼:
无关,是因为顶楼的表达式,是RCD 不存在时,Vds可能达到的最高电压,C应该=Coss+变压器寄生电容+副边折算过来的电容等等,该式只有这样才能成立。
RCD存在时,Vds(max) = Vin+Vclamp,Vclamp是箝位电容Cc上的电压,这时Vds(max) 才跟Cc有关,Vclamp是几多?可以算出来的,保证不是顶楼的式子就是了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 以前好像有讨论过是CCM中输出二极管的反向恢复造成的吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从上图的电流波形可以看出是在反向恢复期间存在那个台阶,但形成台阶的机理是什么? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图片中的Vin+n*Vo中的VO实际上指的是输出电压VO+Vdiode ,在二极管反向恢复期间 这个Vdiode是减小了的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在二极管反向恢复期间 这个Vdiode是减小了的。
请问这个减小是:马上减小到某个固定值还是慢慢减小?如这么解释,按文档中的台阶,明显是反向恢复时间马上减小到某个固定值。
可实际中二极管的反向恢复期间电压特性不是这样的,所以对这个台阶质疑。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LZ的意思是为什么Vds会从Vinmax+n(VO+Vdiode)降到Vinmax吗?反激DCM模式Vds必须将电释放完全啊,因为Lp会一直和Cds谐振的,直到降到Vinmax为止。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是啊,细看103楼,蓝色圈部分,比Vinmax低一点的那个平台。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “马上”也是有时间的,1NS算不上马上,从这种角度没有“马上”这个说法,只有具体到多少?肖特基一般都有几个NS吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我认为是马上,因为肖特基只有电子作为载流子,反向恢复时间极短,可忽略不计。所以平台会马上掉下来。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | T2~T4为反向恢复时间,我认为文档画的不是很恰当,很难让人理解。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好久不见草兄了,关于这个平台,我比较疑惑,感觉解释不通。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是漏电流吧,看103楼,反向恢复后的电流为零,可见这里是不考虑漏电流的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看了103,103的Vds波形只能这么解释了,之前的高平台是考虑了二极管的Vf,后面的低平台是反向恢复区间没有Vf,因此少了这个Vf电压,平台只是展开了宽度,时间很短,一般计算都不会去考虑这一部分。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 问题就在反向恢复期间的VF,能把它当作零吗?看看140楼的图。
个人认为,文档如果不画那个平台更好。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 140图刚好验证了啊,T2到T3很短,此时Vd就可不计算了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | t3-t4开始是二极管寄生电感产生的电压尖峰,后面部分已经是原边的折射电压了,跟这个小平台就没关系了。
能说服自己去理解就好了,跟器件特性相关的很细微的只有在特殊情况才单独考虑,一般不纳入计算也就不纠结了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 考虑1,Ldi/dt=u,反向恢复电流的斜率可近似认为线性增加和线性减小,则在漏感上的电压可维持不变
2,开通时,原边的存在,电流呈线性增加,漏感的电压也维持不变,综合一二,出现平台,主要还是反向恢复电流的原因
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| | | | | | | | | | | | | 还是有误差的,式1、2的Vclamp是有效值,式3中的是平均值
以前推倒过1、2、3,后面的就没有了,感觉怎么都精确不了,定性分析一下就差不多了
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| | | | | | | | | | | | | | | 这里是假设Vclamp的纹波不大,权作恒定值,误差不会很大,工程估算足够了。
要精确的解,写方程式不难,Joe兄试试?
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| | | | | | | | | | | | | 原来是考虑到Vor做功的问题,Lk应该是包含副边折算过来的漏感吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | 请教下greendot老师,此时C两端的压降就是Vclamp吧?那相同的耐压就选(Vclamp+余量)就行了吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 横坐标表示电容两端所承受的直流偏压,从左往右表示电压值越来越大。
之所以没标出来是因为不同家的容值下降程度不一样,需要具体看规格。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这样说来的话,按600V的管子来算,我们Vds如果在520V,那么在264V输入的时候,C的耐压应该只有150V左右,而我们常用的耐压基本上是630V或1000V,是我们以前都用的错了吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这里经常用的MLCC电容,它存在直流偏压特性,见78楼。
为了容值不要降低太多,一般选耐压比较大的,630V或者1KV。 |
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| | | | | | | | | | | 相对快管来说,用慢管对传导的高频段和辐射会有好处,原因是Vds的的第一个振荡频率降低了。同时用慢管对降低Vds值也有好处。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 应该就是Fairchild的那篇,读书的时候看过,可我现在找不到了。
至于说吸收电容,这里用1206的MLCC就可以了,就是有点noise问题。 |
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| | | | | 好贴!!!!!!!!!!!
精华帖!!!!!!!!!
高手!!!!!!!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 楼上赞一个!
做实验也很细心,尖峰1不应是PCB的走线电感引起,走线电感与漏感是串联的关系。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 感觉吧,第一个尖峰和rcd的二极管有很大关系,我的图中可以看出。第一个尖峰的时候二极管他就是没导通
那么久不能克服了?肯定不是,我相信肯定是可以克服的,等我今晚回去再试试,有效果在上图 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 带PFC的吗?
boost pfc+flyback 150W,85~265输入,我们用600V的MOS。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关键是变压器漏感的控制,控制在原边感量的1.5%以内。
你的漏感可能比较大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 稳态一般都没问题的,应力主要看瞬态了,包括开机、关机、短路等瞬态。
MOS的耐压越高,其实对效率越不利的。
你的变压器什么结构?三明治做不到这么低漏感的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 打样的变压器,我的就是三明治,初级包次级,最外面vcc,漏感1%。。。。。。我自己绕的漏感0.5%。。。。至于效率吧,220v高压好像整机0.87效率,但是我是那万用表测试的,,, |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的漏感比例很小了,批量能控制到1%以下?漏感绝对值是多少?
效率有点低了,不过用万用表测不准,输入功率要有PF参数,需要用到功率计。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯 是这个理 实际也看功率等级和拓扑的。
一般90W以上还用反激的话,我们用交错结构比较多。90W以下基本是三明治了。
而如果90W以上用LLC结构,那直接原副结构就可以了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对于变比的选择。大一点的话,初级MOS应力大。变比小,次级肖特基应力大。主要是看你怎么权衡了。当然最好的办法是减小漏感,这根变压器漏感的绕线结构和绕制工艺都有关。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 实际中变比设计好后,一般是不会通过改变比来降应力的,影响太大。 |
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| | | | | | | 回87楼:你这样慢无目标折腾,不会给初学着带来什么帮助,这种波形在任何开关电源输出端都能够测试出来,它随负载阻抗的变化而变化。 |
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| | | | | | | | | 厂长,我测的是开关管的DS波形,不是输出端,正在讨论技术,别来捣乱哦。 |
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| | | | | | | | | | | 一个全民都明白的基本概念,测一个人的心跳、脉动频率、强弱,是不需要到心脏里面去测的,只要在外表测量即可,测开关电源同样如此。你测试的DS波形在输出端测试是完全一样的。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | | | | | | | 专家讲话的逻辑不对头。探讨计算问题,怎么把狗牵进来了。 |
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | 你的逻辑对头?探讨电源的问题,你扯心脏干嘛? 另外我也很纳闷,探讨技术问题,你进来干嘛 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你还在纳闷什么呢?那种过时的在开关管源极、漏极测试电压开关的测试方法早就被否定的方法,你们仍然还在使用。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 世界上谁否定那种方法了?给出个国际级别的测试报告来看看??? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | shi厂长的话可以不必当真,87楼的尖峰提提看法呀。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图1跟图2不同的地方不止是那两尖峰的不同,估计是改了D串联的那个R的大小 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是找不同点,是只关注1和2这两个尖峰,D没有串电阻呢。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实之前泰克的售后有提到过有些电源厂商不测试Vds,当时没有机会细问。敢问98楼有什么更科学的办法来评估MOS的Stress吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 通过间接的方法也可以估算出MOS的Vds电压,但存在误差,还是直接Vds最接近真实。 |
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| | | | | | | 前辈,您好,对于这问题,很好奇,希望得到您的指导。我刚入门没多久,谈谈一点不成熟的想法。尖峰1是由于二极管的正向恢复造成的,因为二极管并非理想器件,开通存在延时。尖峰2是C取得过小,或者R取得过小造成的。尖峰1的消除,我暂时没有想出好的办法,因为降低漏感等,对此好像有点跑题。
尖峰二实际是RCD参数错误的一种表现,将RC搭配好即可消除。
很希望得到您的指导,为谢~
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| | | | | 不得不顶的好贴。
增大Rsense, 解决了肖特基尖峰过大的问题。 |
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| | | | | | | 需要重新确认过功率点哦,不要导致限功率了。
同时也要确认下对效率的影响。
对于有burst mode 的,会影响进出burst mode的电流点,进而影响噪音,也确认一下。 |
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| | | | | 有点问题,改变Rsense 电阻只能改变短路时限功率抑制Vds,正常情况下,[size=14.399999618530273px]改变Rsense 电阻一点用没有(因为是固定频率)限制IP只能增大感量,进入CCM模式。 |
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| | | | | | | | | | | 一般是增大钳位电容都会有效,但还要看具体是要解哪个尖峰,看看87楼的图,尖峰2可以通过增加C来压,尖峰1高的话加大C效果不明显。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 减小漏感是本质啊,可以降低整个尖峰的平台,但尖峰1还会存在。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 主要是RCD中D的选型,你可以试试不同Trr值的,相信会有发现。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得还是要搞清楚第一个尖峰的来源,从本质上去减小尖峰才是关键,LZ可否说明一下,我都忘了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的理解是:
第一个尖峰是由于RCD吸收中D的正向导通特性造成的。
在D导通的瞬间,正向电压会达到十几V甚至几十V之多。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以,我在二极管上并了电容。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在这里二极管的反向恢复有影响吗?因为你相当于增加了二极管的结电容 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 比如说第一个周期有 7x 的漏感能量,如果每周期放完,则尖峰是2.6U
如果电阻在2.6U电压条件下每周期只能放 2.9x 能量,则C上的电压会慢慢上升,最后变成一个4U的尖峰底部有一个3U的平台。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你们说的有道理,这里理想化了,没交代清楚。
但实际中不是要去算那个尖峰,而是为解那个尖峰提供指导方向,这与有没有平台无关。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 定性分析C1的作用是可以的。
但是有没有平台会对尖峰影响很大,而且漏感能量也不可能全部转移到C上,因为漏感给C充电的同时也在对R放电。所以减小R也会使Vspike减小,不过这就是以牺牲效率为代价了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯,是这样的,不过我们一般不会通过减小R来解尖峰,对效率影响较大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个电容能影响电压,电流,以及mos的关断时间,,,当然我找不到有更好的位置去处理第一个尖峰 |
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