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反激变压器参数计算

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1
楚潇
  • 楚潇
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LV6
高级工程师
  • 2014-7-29 13:01:55
10问答币
请教各位,本人困惑于反激变压器参数计算方法,通常有以下两种思路:
方法1.选择MOS管型号,然后根据MOS VDS耐压,得出反射电压,之后计算占空比等等
方法2.自定占空比,例如DCM模式,D=0.45,死区为=0.2,反射电压加在磁芯时间为1-0.45-0.2=0.35,之后计算匝数比等等。
到底两种方法哪一种比较正确,请各位不吝赐教,谢谢!
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2014-7-29 13:32:47
  • 倒数2
 
都准确,第一个是先限制了MOS管的最高电压,第二个是认为MOS管最高电压肯定满足你计算出来的要求。前提不一样计算过程自然不一样。
Coming.Lu
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版主
最新回复
  • 2014-7-30 08:56:35
  • 倒数1
 
方法是死的,人是活的。
为什么不用两种方法分别计算,然后比较一下呢。
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