| | | | | 老张电源发烧友的群我退了。你怎么也不在里面聊技术了 |
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| | | | | | | | | 为什么电感量,砸数,导通时间不按照最小电压来计算,导通时间不按照最大占空比来计算? |
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| | | | | | | | | | | 亲......我已经有写明是输入电压180-264Vac,
我的这个是变频的,负载变,频率变,输入电压变,频率在变,
我的是想让它工作在我理想的状态下,所以就把它设定在220Vac,输出最大功率的时候.作为计算点.
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| | | | | | | | | | | 计算出来的值.是批量生产过的.
你觉得大还是不大?
你喜欢小的.也可以按你小的来计算也可以的. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 效率>91%,
实际上.浮地与共地是没有区别的(在芯片PIN抗干扰能力好的情况下),
浮地:芯片的地与Vinac整流滤波后的地(也就是400V电解/CBB上的地)是分开,并且两个电位差相当于Vinac整流滤波后的电压值.
可以简化理解为:
共地:低端电流采样
浮地:高端电流采样
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你是指电压?还是电流?
这个就看芯片是怎么设计了. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | CS管住什么时候关,FB管住什么时候开.
也可以用CS全程监控, |
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| | | | | | | 没有哪不对劲啊...我这刚好在讲这个,就顺手拍个照片发了.
上周讲的东西没拍有.可惜了..回头补下. |
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| | | | | | | 启动电阻为R1,
供电是通过,MOS管关断的时候,电感(以上图)的左边为芯片的GND,关断的时候.电感极性相反,左为负,右为正,通过D2整流,R6限流,C2滤波给芯片供电.
MOS管导通期间是靠电容供电.
右边黑色虚线,
1.芯片供电回路
2.电感对输出放电回路, |
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| | | | | | | | | | | 不是也是.是也不是.是是不是.不是是是.不是就是是就不是.!
重要吗? |
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| | | | | 楼主我有些疑惑,Ipk你是假设出来的,而且我看别的资料Ipk=Iout*0.2(纹波系数),你的是2倍。这个怎么回事 |
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| | | | | | | 具体这个值是看芯片内部定的.你的IPK=IOut*0.2那也太小了吧?
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| | | | | | | 张工,非隔离驱动电源设计好了,怎么验证最小退磁和最大退磁时间
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