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|  |  | | | | | 报名了,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, |
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 | | | | | 目前IGBT开关频率在100kHz内，我想问下该IGBT开关频率可以达到多少？
回复内容：：100KHz seems to be common limit. |
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| | | | | 目前IGBT开关频率在100kHz内，我想问下该IGBT开关频率可以达到多少？
回复内容：：100KHz seems to be common limit. |
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| | | | | IGBT的封装都有什么？
回复内容：：ONSemi is providing TO247, TO3P, TO220. |
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| | | | | IGBT的封装都有什么？
回复内容：：ONSemi is providing TO247, TO3P, TO220. |
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| | | | | IGBT最大容量是多少？串并联时容易实现均压均流吗？
回复内容：：TO247 package600V/650V - max @80A1200V - max @50AIn normal situation, parallel IGBTs will balance the current automatically. But it is still good to have external circuit to help in order to prevent over current. |
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| | | | | IGBT最大容量是多少？串并联时容易实现均压均流吗？
回复内容：：TO247 package600V/650V - max @80A1200V - max @50AIn normal situation, parallel IGBTs will balance the current automatically. But it is still good to have external circuit to help in order to prevent over current. |
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| | | | | 国内外IGBT的制作工艺我还是比较相信的，但是没有驱动，IGBT就是废品，限制IGBT开关频率的也主要是驱动，半桥驱动还有个死区限制，我想问一下：开关频率在未来五年能否提升一个数量级？
回复内容：：In soft-switching application, switcing freq can goes up to 100KHz.Some of the vendors including ONSemi can reach 60KHz in welding machine.The IGBT drivers are very simple due to low cost requirement.As for UPS/inverter application, customer will normally use IGBT driver ICs. But the applications are not switching at high freq.100KHz is lowest target for current IGBTs. To move to much higher frequency, suppliers are also considering other material, e.g. GaN, SiC. |
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| | | | | 国内外IGBT的制作工艺我还是比较相信的，但是没有驱动，IGBT就是废品，限制IGBT开关频率的也主要是驱动，半桥驱动还有个死区限制，我想问一下：开关频率在未来五年能否提升一个数量级？
回复内容：：In soft-switching application, switcing freq can goes up to 100KHz.Some of the vendors including ONSemi can reach 60KHz in welding machine.The IGBT drivers are very simple due to low cost requirement.As for UPS/inverter application, customer will normally use IGBT driver ICs. But the applications are not switching at high freq.100KHz is lowest target for current IGBTs. To move to much higher frequency, suppliers are also considering other material, e.g. GaN, SiC. |
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| | | | | 安森美igbt能够应用于逆变器吗》
回复内容：：Yes. In fact, ONSemi has suitable IGBTs for this kind of application. |
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| | | | | 安森美igbt能够应用于逆变器吗》
回复内容：：Yes. In fact, ONSemi has suitable IGBTs for this kind of application. |
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| | | | | 安森美是coolmos工艺吗？
回复内容：：No. This is IGBT and we use Trench and Field Stop technology. |
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| | | | | 安森美是coolmos工艺吗？
回复内容：：No. This is IGBT and we use Trench and Field Stop technology. |
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| | | | | 安森美的igbt能够符合高温要求ma
回复内容：：Yes, for new generation of IGBTs, ONSemi can meet Tj@175dgrC. |
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| | | | | 安森美的igbt能够符合高温要求ma
回复内容：：Yes, for new generation of IGBTs, ONSemi can meet Tj@175dgrC. |
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| | | | | 安森美驱动和其他厂家的igbt是不是类似，如果有区别，主要是什么区别。
回复内容：：Can use similar circuit.Suggest to change to smaller gate capacitor and gate resistor. |
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| | | | | 安森美驱动和其他厂家的igbt是不是类似，如果有区别，主要是什么区别。
回复内容：：Can use similar circuit.Suggest to change to smaller gate capacitor and gate resistor. |
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| | | | | 安森美igbt在电磁炉上应用的成本如何。
回复内容：：ONSemi is now one of the key suppliers for 15A 1200V IGBT in the IH cooker market.With recent success in Midea, ONSemi will be able to expand 20A 1200V/1350V IGBT in 1800W - 2200W IH cooker market as well. |
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| | | | | 安森美igbt在电磁炉上应用的成本如何。
回复内容：：ONSemi is now one of the key suppliers for 15A 1200V IGBT in the IH cooker market.With recent success in Midea, ONSemi will be able to expand 20A 1200V/1350V IGBT in 1800W - 2200W IH cooker market as well. |
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| | | | | IGBT一般大功率的才用得到，电磁炉上用得很多，但我总发觉比较容易坏，最要是什么原因啦？
回复内容：：We normally see the over voltage protection in system was no good. In many cases, IGBT has to take over 1200V. Best is to try limiting the voltage. |
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| | | | | IGBT一般大功率的才用得到，电磁炉上用得很多，但我总发觉比较容易坏，最要是什么原因啦？
回复内容：：We normally see the over voltage protection in system was no good. In many cases, IGBT has to take over 1200V. Best is to try limiting the voltage. |
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| | | | | 电流多少
回复内容：：600V/650V 15A - 75A1200V 15A - 50ATO247 package. |
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| | | | | 电流多少
回复内容：：600V/650V 15A - 75A1200V 15A - 50ATO247 package. |
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| | | | | 安森的方案与已有的方案有什么区别与优势
回复内容：：Quality, reliability, performance and effective cost. |
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| | | | | 安森的方案与已有的方案有什么区别与优势
回复内容：：Quality, reliability, performance and effective cost. |
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| | | | | IGBT工作的频率范围是多少？
回复内容：：hard switching 10KHz - 50KHzWelding 2-switch forward can goes up to 60KHzSoftswitching can goes up to 100KHz |
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| | | | | IGBT工作的频率范围是多少？
回复内容：：hard switching 10KHz - 50KHzWelding 2-switch forward can goes up to 60KHzSoftswitching can goes up to 100KHz |
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| | | | | 应用IGBT是否必须做零电流关断，如果不是其延迟关断的时间有没有限制？
回复内容：：不必要做零电流关断。 |
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| | | | | 应用IGBT是否必须做零电流关断，如果不是其延迟关断的时间有没有限制？
回复内容：：不必要做零电流关断。 |
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| | | | | IGBT发热问题有什么好解决办法吗
回复内容：：不通电、不让IGBT工作就不发热了。 |
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| | | | | IGBT发热问题有什么好解决办法吗
回复内容：：不通电、不让IGBT工作就不发热了。 |
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| | | | | IGBT噪声怎么解决呢
回复内容：：可以听的见的音频噪声吗？把开关频率提高到15kHZ以上就听不到了 |
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| | | | | IGBT噪声怎么解决呢
回复内容：：可以听的见的音频噪声吗？把开关频率提高到15kHZ以上就听不到了 |
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| | | | | IGBT有没有反并联的二极管？
回复内容：：多数有， |
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| | | | | IGBT有没有反并联的二极管？
回复内容：：多数有， |
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| | | | | 安森美半导体IGBT一般适用于多大的频率？
回复内容：：In many applications:10KHz - 40KHzUsing high freq IGBT, can goes up to 60KHz - 100KHz. |
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| | | | | 安森美半导体IGBT一般适用于多大的频率？
回复内容：：In many applications:10KHz - 40KHzUsing high freq IGBT, can goes up to 60KHz - 100KHz. |
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| | | | | IGBT将来的技术展望的规划有没有一个大致的走向？
回复内容：：With current material and technology, we will improve further on switching losses and switching speed.Next big jump will be using different material, e.g. GaN and SiC. |
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| | | | | IGBT将来的技术展望的规划有没有一个大致的走向？
回复内容：：With current material and technology, we will improve further on switching losses and switching speed.Next big jump will be using different material, e.g. GaN and SiC. |
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| | | | | 请问价格如何？
回复内容：：Need to contact local representatives |
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| | | | | 请问价格如何？
回复内容：：Need to contact local representatives |
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| | | | | 请问ON的IGBT稳定吗
回复内容：：Yes. Good reliability. |
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| | | | | 请问ON的IGBT稳定吗
回复内容：：Yes. Good reliability. |
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| | | | | IGBT价格多少？
回复内容：：Need to contact local representative. |
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| | | | | IGBT价格多少？
回复内容：：Need to contact local representative. |
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| | | | | 电磁炉还有发展空间？
回复内容：：Depending on market prices of IH Cookers. If the system price can be maintained, we can use IGBTs. |
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| | | | | 电磁炉还有发展空间？
回复内容：：Depending on market prices of IH Cookers. If the system price can be maintained, we can use IGBTs. |
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|  | | | | 您好，我想用NCP1910做一款300W的电源，因为是第一次做这样大功率的，想找安森美的技术支持，您是否给联系到？谢谢 |
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| | | | | 和其他厂商的半导体技术有何差异？
回复内容：：similar. Key is reliability. |
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| | | | | 和其他厂商的半导体技术有何差异？
回复内容：：similar. Key is reliability. |
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| | | | | 已经报名了，期待能认识下安森美半导体IGBT方案 给我们带来的惊喜！ |
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| | | | | IBGT 有哪些关键参数？
回复内容：：最大反压，过电流能力，导通压降，驱动最大电压，热阻，最大耗散功率 |
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| | | | | IBGT 有哪些关键参数？
回复内容：：最大反压，过电流能力，导通压降，驱动最大电压，热阻，最大耗散功率 |
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| | | | | IBGT 有哪些关键参数？
回复内容：：最大反压，过电流能力，导通压降，驱动最大电压，热阻，最大耗散功率 |
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| | | | | IBGT 有哪些关键参数？
回复内容：：最大反压，过电流能力，导通压降，驱动最大电压，热阻，最大耗散功率 |
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| | | | | IBGT相对MOS有哪些不足？
回复内容：：速度慢，关断延时 |
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| | | | | IBGT相对MOS有哪些不足？
回复内容：：速度慢，关断延时 |
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| | | | | IGBT的驱动方式和MOS有何不同？
回复内容：：和MOS类似，但要求驱动能力更强 |
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| | | | | IGBT的驱动方式和MOS有何不同？
回复内容：：和MOS类似，但要求驱动能力更强 |
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| | | | | IGBT驱动信号的一对多驱动，这个信号怎么做到同步性。
回复内容：：a |
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| | | | | IGBT驱动信号的一对多驱动，这个信号怎么做到同步性。
回复内容：：a |
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| | | | | 并联使用，需要注意什么
回复内容：：均流，温度均衡 |
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| | | | | 并联使用，需要注意什么
回复内容：：均流，温度均衡 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中要考虑的指标有哪些？
回复内容：：a |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中要考虑的指标有哪些？
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 请问 安森美的IGBT最大电压 最大电流 最大功率 都是多大
回复内容：：a |
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| | | | | 这款IGBT能在多大的环境温度下工作了？
回复内容：：取决于贵司的散热设计，要通过壳温、损耗来估算结温，安森美IGBT的最高承受的结温是175度 |
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| | | | | 这款IGBT能在多大的环境温度下工作了？
回复内容：：取决于贵司的散热设计，要通过壳温、损耗来估算结温，安森美IGBT的最高承受的结温是175度 |
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| | | | | 关断后的时间响应曲线什么样的？
回复内容：：产品规格书里有提供 |
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| | | | | 关断后的时间响应曲线什么样的？
回复内容：：产品规格书里有提供 |
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| | | | | IGBT电流一般都比较大，解决热量问题就必不可少，都采用了哪些基板散热，有什么优缺点？
回复内容：：IGBT的电流虽然比较大，但安森美还是把损耗做到了很低，有利于散热设计 |
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| | | | | IGBT电流一般都比较大，解决热量问题就必不可少，都采用了哪些基板散热，有什么优缺点？
回复内容：：IGBT的电流虽然比较大，但安森美还是把损耗做到了很低，有利于散热设计 |
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| | | | | IGBT都有哪些损耗？在电路设计中怎样减小这些损耗？
回复内容：：损耗主要是开关损耗和导通损耗。选用大电流低导通电压的可以降低导通损耗。选用谐振拓扑或者增强驱动可以降低开关损耗。还有一小部分是驱动损耗，这个一般占比例比较低 |
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| | | | | IGBT都有哪些损耗？在电路设计中怎样减小这些损耗？
回复内容：：损耗主要是开关损耗和导通损耗。选用大电流低导通电压的可以降低导通损耗。选用谐振拓扑或者增强驱动可以降低开关损耗。还有一小部分是驱动损耗，这个一般占比例比较低 |
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| | | | | 它的耐压值是多少？
回复内容：：600V/650V 1200V/1350V |
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| | | | | 它的耐压值是多少？
回复内容：：600V/650V 1200V/1350V |
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| | | | | 安森美的芯片过EMC得时候需要注意哪些地方
回复内容：：EMC和很多方面有关系，PCB设计，滤波器设计 |
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| | | | | 安森美的芯片过EMC得时候需要注意哪些地方
回复内容：：EMC和很多方面有关系，PCB设计，滤波器设计 |
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| | | | | 这个产品目前的技术是否应很成熟了呢，
回复内容：：技术已经成熟 |
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| | | | | 这个产品目前的技术是否应很成熟了呢，
回复内容：：技术已经成熟 |
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| | | | | 目前的IGBT与其他的市场产品相比，价格怎么样？
回复内容：：价格和用量相关 |
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| | | | | 目前的IGBT与其他的市场产品相比，价格怎么样？
回复内容：：价格和用量相关 |
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| | | | | 安森美半导体有详细的设计资料可以参考吗？
回复内容：：你可以查看感兴趣的产品的网页，我们有提供AN和DN供参考。还有designsheet和仿真模型。 |
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| | | | | 安森美半导体有详细的设计资料可以参考吗？
回复内容：：你可以查看感兴趣的产品的网页，我们有提供AN和DN供参考。还有designsheet和仿真模型。 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案 在电磁炉和逆变电焊机中的应用，这次发布的新的产品主要与其他以往的产品相比优势有哪些呢？
回复内容：：Switching loss and Vcesat have been improved. |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案 在电磁炉和逆变电焊机中的应用，这次发布的新的产品主要与其他以往的产品相比优势有哪些呢？
回复内容：：Switching loss and Vcesat have been improved. |
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| | | | | IGBT短路耐受时间在电磁炉和逆变焊机中选择多少us的？
回复内容：：normally 5us is enough. |
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| | | | | IGBT短路耐受时间在电磁炉和逆变焊机中选择多少us的？
回复内容：：normally 5us is enough. |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT，都有哪些电压段的呢？
回复内容：：600V/650V 1200V/1350V |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT，都有哪些电压段的呢？
回复内容：：600V/650V 1200V/1350V |
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| | | | | 有没有相关的datasheet可以来看一下；用在开关电源中的功耗有多少？该产品能提升开关电源多少效率？
回复内容：：数据手册可以上安森美官网下载，还有AN和DN可以参考。大功率的电源适合使用IGBT |
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| | | | | 有没有相关的datasheet可以来看一下；用在开关电源中的功耗有多少？该产品能提升开关电源多少效率？
回复内容：：数据手册可以上安森美官网下载，还有AN和DN可以参考。大功率的电源适合使用IGBT |
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| | | | | 在降低导通损耗上，有哪些亮点？
回复内容：：安森美有针对导通损耗要求较高的应用的L2系列的IGBT,把导通压降做到业绩领先 |
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| | | | | 在降低导通损耗上，有哪些亮点？
回复内容：：安森美有针对导通损耗要求较高的应用的L2系列的IGBT,把导通压降做到业绩领先 |
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| | | | | 伺服电机上是否可以应用此种IGBT方案
回复内容：：Yes, one of our key customer using IGBT in their high power server where switching speed is about 20KHz. |
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| | | | | 伺服电机上是否可以应用此种IGBT方案
回复内容：：Yes, one of our key customer using IGBT in their high power server where switching speed is about 20KHz. |
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| | | | | 如何根据功率选型IGBT型号？选型应该注意什么？
回复内容：：IGBT part numbers from most of the key supplers will indicate the current rating and voltage rating. As for ONSemi, e.g. NGTB40N120FL2WG - 40=40A, 120=1200V. |
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| | | | | 如何根据功率选型IGBT型号？选型应该注意什么？
回复内容：：IGBT part numbers from most of the key supplers will indicate the current rating and voltage rating. As for ONSemi, e.g. NGTB40N120FL2WG - 40=40A, 120=1200V. |
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| | | | | 有没有参考手册可以下载看看呢
回复内容：：有的，您可以在网站上下载 |
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| | | | | 有没有参考手册可以下载看看呢
回复内容：：有的，您可以在网站上下载 |
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| | | | | 它的空载损耗多少呢，适用于多大功率的电路
回复内容：：空载损耗是(Eon+Eoff)X开关频率适合1千瓦以上电路 |
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| | | | | 它的空载损耗多少呢，适用于多大功率的电路
回复内容：：空载损耗是(Eon+Eoff)X开关频率适合1千瓦以上电路 |
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| | | | | 它可以通过的最大电流和工作功率范围是多少
回复内容：：单管IGBT600伏的最大到75安培，1200伏最大到40安培。 |
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| | | | | 它可以通过的最大电流和工作功率范围是多少
回复内容：：单管IGBT600伏的最大到75安培，1200伏最大到40安培。 |
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| | | | | 分立式IGBT的最大优点是什么？
回复内容：：Discrete IGBT cheaper than module.Designer will be able to customer design circuit to best performance. |
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| | | | | 分立式IGBT的最大优点是什么？
回复内容：：Discrete IGBT cheaper than module.Designer will be able to customer design circuit to best performance. |
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| | | | | 分立式IGBT有什么缺点吗?
回复内容：：POWER限制，TO247 package limited power rating, i.e. 600V max current@80A, 1200V max current@50A.higher power need to parallel. |
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| | | | | 分立式IGBT有什么缺点吗?
回复内容：：POWER限制，TO247 package limited power rating, i.e. 600V max current@80A, 1200V max current@50A.higher power need to parallel. |
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| | | | | 占空比一般情况下最大用到多少?
回复内容：：保证最小关断/开通时间，规格书是几百纳秒，一般系统考虑几个微秒。占空比用这个跟设计的开关频率去计算。 |
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| | | | | 占空比一般情况下最大用到多少?
回复内容：：保证最小关断/开通时间，规格书是几百纳秒，一般系统考虑几个微秒。占空比用这个跟设计的开关频率去计算。 |
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| | | | | IGBT一直感觉高大上的样子，这个做个大功率可调开关电源如何？
回复内容：：IGBT适合大功率应用，比如全桥1000W以上用IGBT就比较合适，小功率没有成本优势 |
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| | | | | IGBT一直感觉高大上的样子，这个做个大功率可调开关电源如何？
回复内容：：IGBT适合大功率应用，比如全桥1000W以上用IGBT就比较合适，小功率没有成本优势 |
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| | | | | IGBT是什么原理，需要什么驱动条件？可以贴一个驱动IGBT的电路图吗？
回复内容：：IGBT的驱动部分和MOS比较类似，但往往需要更强一些的电流，因为电荷比较多一般 |
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| | | | | IGBT是什么原理，需要什么驱动条件？可以贴一个驱动IGBT的电路图吗？
回复内容：：IGBT的驱动部分和MOS比较类似，但往往需要更强一些的电流，因为电荷比较多一般 |
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| | | | | IGBT在电磁炉有哪些产品方案？
回复内容：：国内产品是准谐振软开关，国外产品是半桥谐振 |
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| | | | | IGBT在电磁炉有哪些产品方案？
回复内容：：国内产品是准谐振软开关，国外产品是半桥谐振 |
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| | | | | 多个并联时如何怎么考虑电流均流问题？
回复内容：：选用正温度系数的IGBT，驱动线路要布线均衡或加均衡门极电阻2欧姆 |
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| | | | | 多个并联时如何怎么考虑电流均流问题？
回复内容：：选用正温度系数的IGBT，驱动线路要布线均衡或加均衡门极电阻2欧姆 |
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| | | | | IGBT性能与COOLMOS对比有那些优缺点？
回复内容：：CoolMos switch faster, but more expensive.IGBT switch slower, but cheaper then CoolMos. |
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| | | | | IGBT性能与COOLMOS对比有那些优缺点？
回复内容：：CoolMos switch faster, but more expensive.IGBT switch slower, but cheaper then CoolMos. |
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| | | | | 多个IGBT并联使用，驱动要怎样处理最好。
回复内容：：串并联方式最佳，我们在此方面有做过专门的研究和测试，已在网站上发布了应用笔记，您可以下载 |
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| | | | | 多个IGBT并联使用，驱动要怎样处理最好。
回复内容：：串并联方式最佳，我们在此方面有做过专门的研究和测试，已在网站上发布了应用笔记，您可以下载 |
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| | | | | 通常电磁炉功率在2kw左右，为什么不采用MOS方案呢？采用IGBT有什么优势？
回复内容：：Key concern is price. |
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| | | | | 通常电磁炉功率在2kw左右，为什么不采用MOS方案呢？采用IGBT有什么优势？
回复内容：：Key concern is price. |
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| | | | | 通常电磁炉功率在2kw左右，为什么不采用MOS方案呢？采用IGBT有什么优势？
回复内容：：Key concern is price. |
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| | | | | 通常电磁炉功率在2kw左右，为什么不采用MOS方案呢？采用IGBT有什么优势？
回复内容：：Key concern is price. |
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| | | | | 这种方案在电磁炉中使用，会不会提升电磁炉的成本？
回复内容：：现在电磁炉中应用的都是IGBT |
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| | | | | 这种方案在电磁炉中使用，会不会提升电磁炉的成本？
回复内容：：现在电磁炉中应用的都是IGBT |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案与英飞凌、飞利浦相比，有何优缺点？
回复内容：：Philips/NXP does not have IGBT.Comparing with Infineon, similar performance but cheaper. |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案与英飞凌、飞利浦相比，有何优缺点？
回复内容：：Philips/NXP does not have IGBT.Comparing with Infineon, similar performance but cheaper. |
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| | | | | IGBT的优势在哪里？性价比会不会有所提高？
回复内容：：IGBT can now switch at 30KHz - 50KHz at high current and high voltage.System reliability will be improved. No need to have MOSFET to parallel. |
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| | | | | IGBT的优势在哪里？性价比会不会有所提高？
回复内容：：IGBT can now switch at 30KHz - 50KHz at high current and high voltage.System reliability will be improved. No need to have MOSFET to parallel. |
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| | | | | IGBT的并联均流问题如何解决？
回复内容：：现在的IGBT是正温度系数设计，有利于并联均流。 |
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| | | | | IGBT的并联均流问题如何解决？
回复内容：：现在的IGBT是正温度系数设计，有利于并联均流。 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：针对此类应用安森美对导通损耗和关断做了特殊的优化 |
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| | | | | 主要考虑哪些指标？ IGBT的并联均流问题如何解决？
回复内容：：对于并联问题，安森美做了专门的研究和测试，我们已经在网站上发布了应用笔记，您可以下载 |
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| | | | | 主要考虑哪些指标？ IGBT的并联均流问题如何解决？
回复内容：：现在的igbt在接近满载电流的时候是正温度系数，有利于并联均流。要留意参照规格书后半部分的图表。其次要从驱动上考虑。 |
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| | | | | 主要考虑哪些指标？ IGBT的并联均流问题如何解决？
回复内容：：对于并联问题，安森美做了专门的研究和测试，我们已经在网站上发布了应用笔记，您可以下载 |
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| | | | | 主要考虑哪些指标？ IGBT的并联均流问题如何解决？
回复内容：：现在的igbt在接近满载电流的时候是正温度系数，有利于并联均流。要留意参照规格书后半部分的图表。其次要从驱动上考虑。 |
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| | | | | 安森美的IGBT优点在哪里？当前可以做到多高的开关频率？
回复内容：：Effective cost, good reliability.Switching freq can goes up to 60K - 70KHzand 100KHz on soft switching. |
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| | | | | 安森美的IGBT优点在哪里？当前可以做到多高的开关频率？
回复内容：：Effective cost, good reliability.Switching freq can goes up to 60K - 70KHzand 100KHz on soft switching. |
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| | | | | 安森美的IGBT比其他公司有什么优势？
回复内容：：Good reliability, cost effective. |
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| | | | | 安森美的IGBT比其他公司有什么优势？
回复内容：：Good reliability, cost effective. |
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| | | | | 有IGBT的驱动的解决方案的详细资料吗？
回复内容：：有，请跟我们应用工程师联系 |
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| | | | | 有IGBT的驱动的解决方案的详细资料吗？
回复内容：：有，请跟我们应用工程师联系 |
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| | | | | 1、安森美的IGBT目前可以做到多高的开关频率？
回复内容：：50K |
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| | | | | 1、安森美的IGBT目前可以做到多高的开关频率？
回复内容：：50K |
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| | | | | 这个解决方案除了在电磁炉和逆变电焊机中可以应用外，还有哪些应用？
回复内容：：这些IGBT是在这两个领域中特殊优化的，我们也有适合其他领域的IGBT型号，如UPS,太阳能逆变，家电，电机驱动，汽车点火IGBT等等 |
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| | | | | 这个解决方案除了在电磁炉和逆变电焊机中可以应用外，还有哪些应用？
回复内容：：这些IGBT是在这两个领域中特殊优化的，我们也有适合其他领域的IGBT型号，如UPS,太阳能逆变，家电，电机驱动，汽车点火IGBT等等 |
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| | | | | 、安森美的IGBT目前可以做到多高的开关频率？
回复内容：：50K |
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| | | | | 、安森美的IGBT目前可以做到多高的开关频率？
回复内容：：50K |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：电磁炉的IGBT二极管比较小。逆变电焊机的也类似。所以损耗小，跟系统拓扑结构有关。 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机中使用半导体IGBT比普通IGBT优势在哪？
回复内容：：电磁炉的IGBT二极管比较小。逆变电焊机的也类似。所以损耗小，跟系统拓扑结构有关。 |
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| | | | | 在反激中，原边电感小 带满载时会不会拉低输出电压啊 或者原边电感大 带满载时会不会拉低输出电压呢
回复内容：：这是线路设计问题，跟IGBT没关系。反激电路的能量储存在电感中，电感小自然带载能力下降。 |
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| | | | | 在反激中，原边电感小 带满载时会不会拉低输出电压啊 或者原边电感大 带满载时会不会拉低输出电压呢
回复内容：：这是线路设计问题，跟IGBT没关系。反激电路的能量储存在电感中，电感小自然带载能力下降。 |
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| | | | | 可以通过的最大电流和工作功率范围是多少？使用需要注意什么？
回复内容：：目前安森美的单管最大电流是75A，如您需要更高，可以并联使用，关于此方面我们发布了应用笔记您可以在网站上下载 |
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| | | | | 可以通过的最大电流和工作功率范围是多少？使用需要注意什么？
回复内容：：目前安森美的单管最大电流是75A，如您需要更高，可以并联使用，关于此方面我们发布了应用笔记您可以在网站上下载 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT除了在电磁炉和逆变电焊机中可以应用外，还可以应用于哪些领域？
回复内容：：有源单相或三相整流，半桥和全桥开关电源，推挽电源也可以。大电流的可控开关等 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT除了在电磁炉和逆变电焊机中可以应用外，还可以应用于哪些领域？
回复内容：：有源单相或三相整流，半桥和全桥开关电源，推挽电源也可以。大电流的可控开关等 |
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| | | | | 安森美IGBT最大能工作到多少K的频率呢?
回复内容：：50K |
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| | | | | 安森美IGBT最大能工作到多少K的频率呢?
回复内容：：50K |
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| | | | | 安森美IGBT的拖尾效应如何？
回复内容：：安森美通过采用第二代沟道場截止技术，把拖尾效应尽量做得最低，目前和市场最优的IGBT是相当的 |
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| | | | | 安森美IGBT的拖尾效应如何？
回复内容：：安森美通过采用第二代沟道場截止技术，把拖尾效应尽量做得最低，目前和市场最优的IGBT是相当的 |
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| | | | | 贵公司的IGBT能用在LLC电路中吗？
回复内容：：LLC功率范围一般用在低功率，低功率适合MOSFET，低功率范围IGBT没有成本和性能优势 |
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| | | | | 贵公司的IGBT能用在LLC电路中吗？
回复内容：：LLC功率范围一般用在低功率，低功率适合MOSFET，低功率范围IGBT没有成本和性能优势 |
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| | | | | IGBT是否存在反向恢复的问题？
回复内容：：IGBT有存储电荷问题，并联二极管才有反向恢复问题 |
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| | | | | IGBT是否存在反向恢复的问题？
回复内容：：IGBT有存储电荷问题，并联二极管才有反向恢复问题 |
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| | | | | IGBT用在电磁炉中用到的是什么拓扑？
回复内容：：单端谐振和半桥谐振 |
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| | | | | IGBT用在电磁炉中用到的是什么拓扑？
回复内容：：单端谐振和半桥谐振 |
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| | | | | 请问500W的半桥电源，适合用igbt作为功率管子吗？
回复内容：：至少1KW体现IGBT优势 |
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| | | | | 请问500W的半桥电源，适合用igbt作为功率管子吗？
回复内容：：至少1KW体现IGBT优势 |
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| | | | | Igbt适合的开关频率是多少呢？或者是在什么的范围之内呢？是个不适合高频的应用？
回复内容：：freq range @ 10KHz - 80KHz |
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| | | | | Igbt适合的开关频率是多少呢？或者是在什么的范围之内呢？是个不适合高频的应用？
回复内容：：freq range @ 10KHz - 80KHz |
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| | | | | 安森美的igbt相对于其他厂家的igbt有什么优点和优势呢？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美的igbt相对于其他厂家的igbt有什么优点和优势呢？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 半导体ICBT 方案在电磁炉上的应用成本高不高，大概范围呢？
回复内容：：IH Cooker only use IGBTs. Very cost effective.Pls contact local representative for quotes. |
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| | | | | 半导体ICBT 方案在电磁炉上的应用成本高不高，大概范围呢？
回复内容：：IH Cooker only use IGBTs. Very cost effective.Pls contact local representative for quotes. |
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| | | | | ICBT 方案在电磁炉上应用的拓扑结构是什么？
回复内容：：单端谐振和半桥谐振 |
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| | | | | ICBT 方案在电磁炉上应用的拓扑结构是什么？
回复内容：：单端谐振和半桥谐振 |
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| | | | | 在做逆变器的时候，需要在功率开关管反向并联一个二极管。但是由于MOSFET本身存在体二极管，所以就可以省掉。igbt一般没有这个体二极管。请问贵公司的igbt里面有没有反并联的二极管呢？
回复内容：：型号以NGTB打头的有二极管以NGTB打头的没有 |
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| | | | | 在做逆变器的时候，需要在功率开关管反向并联一个二极管。但是由于MOSFET本身存在体二极管，所以就可以省掉。igbt一般没有这个体二极管。请问贵公司的igbt里面有没有反并联的二极管呢？
回复内容：：型号以NGTB打头的有二极管以NGTB打头的没有 |
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| | | | | IGBT 半导体方案目前可以做多高的开关频率？
回复内容：：depending on your application.UPS/Inverter 10KHz - 20KHzWelding 20KHz - 60KHzsoft switching - 100KHz |
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| | | | | IGBT 半导体方案目前可以做多高的开关频率？
回复内容：：depending on your application.UPS/Inverter 10KHz - 20KHzWelding 20KHz - 60KHzsoft switching - 100KHz |
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| | | | | IGBT 技术对未来的展望都在那些技术范围的进步呢？
回复内容：：IGBT的优势是耐高压大电流，今后会朝着高频方向发展，以提高能量密度 |
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| | | | | IGBT 技术对未来的展望都在那些技术范围的进步呢？
回复内容：：IGBT的优势是耐高压大电流，今后会朝着高频方向发展，以提高能量密度 |
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| | | | | 在反激中，原边电感小 带满载时会不会拉低输出电压？
回复内容：：这是系统设计问题，跟IGBT无关。反激电路的能量是存储在电感中，电感小龙，输出带载能力自然就低。 |
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| | | | | 在反激中，原边电感小 带满载时会不会拉低输出电压？
回复内容：：这是系统设计问题，跟IGBT无关。反激电路的能量是存储在电感中，电感小龙，输出带载能力自然就低。 |
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| | | | | IGBT半导体的并联均流问题是如何解决的？
回复内容：：对此问题安森美有做过专门的研究和测试，我们在网站上发布了关于并联的一片应用笔记，您可以下载 |
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| | | | | IGBT半导体的并联均流问题是如何解决的？
回复内容：：对此问题安森美有做过专门的研究和测试，我们在网站上发布了关于并联的一片应用笔记，您可以下载 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT和集成的IGBA有什么区别呢？
回复内容：：集成的里面有多个IGBT组成的拓扑，应用简单。主要给逆变器等等应用 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT和集成的IGBA有什么区别呢？
回复内容：：集成的里面有多个IGBT组成的拓扑，应用简单。主要给逆变器等等应用 |
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| | | | | 在做电磁炉设计方案中，安森美半导体的分立式IGBT在驱动设计方面需要注意些什么
回复内容：：要注意布线的寄生电感，驱动电路尽量靠近IGBT |
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| | | | | 在做电磁炉设计方案中，安森美半导体的分立式IGBT在驱动设计方面需要注意些什么
回复内容：：要注意布线的寄生电感，驱动电路尽量靠近IGBT |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品在高频领域上面应用如何呢？
回复内容：：目前有客户用在50Khz |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品在高频领域上面应用如何呢？
回复内容：：目前有客户用在50Khz |
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| | | | | IGBT驱动在驱动方面上要注意与MOS有哪些不同，应用中要怎么注意？
回复内容：：要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素 |
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| | | | | IGBT驱动在驱动方面上要注意与MOS有哪些不同，应用中要怎么注意？
回复内容：：要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素 |
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| | | | | 安森美的IGBT与业内其他厂家的比，价格和性能等方面上有哪些优势？
回复内容：：ONSemi has similar performance as Infineon with more effective cost. |
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| | | | | 安森美的IGBT与业内其他厂家的比，价格和性能等方面上有哪些优势？
回复内容：：ONSemi has similar performance as Infineon with more effective cost. |
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| | | | | 这种IGBT及用在LED驱动电源有哪些产品？
回复内容：：IGBT适合大功率产品，LED一般功率不大，推荐使用MOSFET或者三极管 |
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| | | | | 这种IGBT及用在LED驱动电源有哪些产品？
回复内容：：IGBT适合大功率产品，LED一般功率不大，推荐使用MOSFET或者三极管 |
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| | | | | 贵司的IGBT其功耗如何？
回复内容：：安森美的IGBT损耗和市场领先的IGBT相当 |
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| | | | | 贵司的IGBT其功耗如何？
回复内容：：安森美的IGBT损耗和市场领先的IGBT相当 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品经过实验测试了么，具体参数能在哪里下载，有什么突出优点？
回复内容：：安森美有自己强大的应用团队，对各领域搭建实际的测试平台，对比市场主流的产品新能，关于具体的参数可以在安森美的网站上下载 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品经过实验测试了么，具体参数能在哪里下载，有什么突出优点？
回复内容：：安森美有自己强大的应用团队，对各领域搭建实际的测试平台，对比市场主流的产品新能，关于具体的参数可以在安森美的网站上下载 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品功耗如何？功率如何？
回复内容：：功耗要具体看产品的规格书。功率是600伏的最大到75安培，1200伏的最大到40安培。 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品功耗如何？功率如何？
回复内容：：功耗要具体看产品的规格书。功率是600伏的最大到75安培，1200伏的最大到40安培。 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品价格如何，性价比方面有优势么？
回复内容：：性价比有优势，很多一线大厂在使用 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品价格如何，性价比方面有优势么？
回复内容：：性价比有优势，很多一线大厂在使用 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机应用中，安森美半导体的分立式IGBT产品要考虑哪些指标？
回复内容：：驱动电路的匹配、温升 |
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| | | | | 在电磁炉和逆变电焊机应用中，安森美半导体的分立式IGBT产品要考虑哪些指标？
回复内容：：驱动电路的匹配、温升 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品有哪些技术范围的进步
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品有哪些技术范围的进步
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品除了在电磁炉和逆变电焊机中可以应用外，还有哪些应用？
回复内容：：UPS,太阳能逆变，功率因数校正，电机驱动，汽车点火IGBT,空调逆变等等，包含工业，家电，汽车，新能源等领域 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT产品除了在电磁炉和逆变电焊机中可以应用外，还有哪些应用？
回复内容：：UPS,太阳能逆变，功率因数校正，电机驱动，汽车点火IGBT,空调逆变等等，包含工业，家电，汽车，新能源等领域 |
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| | | | | 有IGBT相关的资料吗，方便我们进一步的更加详细的了解它的各种参数
回复内容：：安森美已经发布了applications user manual,里面详细介绍了IGBT的设计，关键参数，可靠性，热设计，以及在各种领域的应用要求（如电磁炉，电机驱动等等）。总共有20多篇文章，可以再安森美的官方网站上下载 |
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| | | | | 有IGBT相关的资料吗，方便我们进一步的更加详细的了解它的各种参数
回复内容：：安森美已经发布了applications user manual,里面详细介绍了IGBT的设计，关键参数，可靠性，热设计，以及在各种领域的应用要求（如电磁炉，电机驱动等等）。总共有20多篇文章，可以再安森美的官方网站上下载 |
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| | | | | 此产品内部有什么保护电路
回复内容：：IGBT是一种功率开关器件，本身没有保护电路，需要外部控制电路保护 |
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| | | | | 此产品内部有什么保护电路
回复内容：：IGBT是一种功率开关器件，本身没有保护电路，需要外部控制电路保护 |
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| | | | | 采用IGBT驱动设计有什么优点？
回复内容：：采用有源的IGBT驱动设计，可以提高IGBT的开关速度，降低IGBT栅极的尖峰电压，提高系统的稳定性 |
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| | | | | 采用IGBT驱动设计有什么优点？
回复内容：：采用有源的IGBT驱动设计，可以提高IGBT的开关速度，降低IGBT栅极的尖峰电压，提高系统的稳定性 |
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| | | | | 该IGBT的驱动电路有何特殊要求吗？
回复内容：：IGBT的驱动电路设计对于发挥IGBT的优势非常关键，要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素 |
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| | | | | 该IGBT的驱动电路有何特殊要求吗？
回复内容：：IGBT的驱动电路设计对于发挥IGBT的优势非常关键，要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素 |
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| | | | | 有没有完整的设计资料，方便计算和选型
回复内容：：安森美的网站上有规格书，应用手册提供给客户参考 |
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| | | | | 有没有完整的设计资料，方便计算和选型
回复内容：：安森美的网站上有规格书，应用手册提供给客户参考 |
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| | | | | 安森美IGBT相比其他IGBT有何优势？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美IGBT相比其他IGBT有何优势？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | IGBT主要应用大功率吧？
回复内容：：是的,一般大于15A |
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| | | | | IGBT主要应用大功率吧？
回复内容：：是的,一般大于15A |
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| | | | | 这么大功率，温度会不会很高？
回复内容：：IGBT结温可以耐到175度。一般在产品设计中通过散热片、风扇等等控制在100度左右。 |
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| | | | | 这么大功率，温度会不会很高？
回复内容：：IGBT结温可以耐到175度。一般在产品设计中通过散热片、风扇等等控制在100度左右。 |
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| | | | | 成本啊，成本有多大优势呢？
回复内容：：成本和整体设计有关，具体到IGBT，价格和用量相关 |
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| | | | | 成本啊，成本有多大优势呢？
回复内容：：成本和整体设计有关，具体到IGBT，价格和用量相关 |
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| | | | | 效率能达到什么水平？
回复内容：：取决于客户的系统设计，和外围匹配的二极管，电感，变压器等等。安森美的客户有可以做到98%以上的效率 |
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| | | | | 效率能达到什么水平？
回复内容：：效率跟拓扑结构和电路参数（V，I，f等等）有关。就IGBT本身来讲Eon/Eoff都在1毫焦耳上下，再加上导通损耗（电流乘以导通压降，一般是2伏上下）。 |
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| | | | | 效率能达到什么水平？
回复内容：：取决于客户的系统设计，和外围匹配的二极管，电感，变压器等等。安森美的客户有可以做到98%以上的效率 |
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| | | | | 效率能达到什么水平？
回复内容：：效率跟拓扑结构和电路参数（V，I，f等等）有关。就IGBT本身来讲Eon/Eoff都在1毫焦耳上下，再加上导通损耗（电流乘以导通压降，一般是2伏上下）。 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：耐高压，大电流，易驱动。具体的，在600V， 20A以上IGBT有明显的优势 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：MOSFET在600伏以上功耗相对IGBT比较大。 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：MOSFET在600伏以上功耗相对IGBT比较大。 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：耐高压，大电流，易驱动。具体的，在600V， 20A以上IGBT有明显的优势 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：MOSFET在600伏以上功耗相对IGBT比较大。 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：MOSFET在600伏以上功耗相对IGBT比较大。 |
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| | | | | IGBT在电磁炉和逆变电焊机中采用哪种拓扑？
回复内容：：电磁炉：单端谐振和半桥谐振两个拓扑电焊机：有半桥，全桥和正激 |
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| | | | | IGBT在电磁炉和逆变电焊机中采用哪种拓扑？
回复内容：：电磁炉：单端谐振和半桥谐振两个拓扑电焊机：有半桥，全桥和正激 |
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| | | | | 多个IGBT并联，需要注意什么事项？
回复内容：：需要注意各个IGBT之间驱动的匹配（包括电气和散热的匹配），驱动电路中的电阻以串并联的方式为最佳。安森美在官方网站上有专门一片文章介绍IGBT的并联设计，您可以下载 |
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| | | | | 多个IGBT并联，需要注意什么事项？
回复内容：：需要注意各个IGBT之间驱动的匹配（包括电气和散热的匹配），驱动电路中的电阻以串并联的方式为最佳。安森美在官方网站上有专门一片文章介绍IGBT的并联设计，您可以下载 |
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| | | | | 效率如何？
回复内容：：效率跟拓扑结构和电路参数（V，I，f等等）有关。就IGBT本身来讲Eon/Eoff都在1毫焦耳上下，再加上导通损耗（电流乘以导通压降，一般是2伏上下）。 |
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| | | | | 效率如何？
回复内容：：效率跟拓扑结构和电路参数（V，I，f等等）有关。就IGBT本身来讲Eon/Eoff都在1毫焦耳上下，再加上导通损耗（电流乘以导通压降，一般是2伏上下）。 |
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| | | | | 封装尺寸都有哪些？
回复内容：：在电磁炉电焊机领域主要是TO247封装，当然安森美也有TO220，TO3P供选择 |
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| | | | | 封装尺寸都有哪些？
回复内容：：在电磁炉电焊机领域主要是TO247封装，当然安森美也有TO220，TO3P供选择 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：电压不能超过限制，需要大的脉冲型电流，引线电感要小，可以加衰减电阻防止震荡 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：驱动电压要尽可能维持在15伏左右，关断的时候最好加反向电压、或是加三极管对门极短路放电。 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：驱动电压要尽可能维持在15伏左右，关断的时候最好加反向电压、或是加三极管对门极短路放电。 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：驱动电压要尽可能维持在15伏左右，关断的时候最好加反向电压、或是加三极管对门极短路放电。 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：IGBT的驱动电路设计对于发挥IGBT的优势非常关键，要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素. 如果使用IC驱动可以考虑 MC33153 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：IGBT的驱动电路设计对于发挥IGBT的优势非常关键，要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素. 如果使用IC驱动可以考虑 MC33153 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：电压不能超过限制，需要大的脉冲型电流，引线电感要小，可以加衰减电阻防止震荡 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：驱动电压要尽可能维持在15伏左右，关断的时候最好加反向电压、或是加三极管对门极短路放电。 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：驱动电压要尽可能维持在15伏左右，关断的时候最好加反向电压、或是加三极管对门极短路放电。 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：驱动电压要尽可能维持在15伏左右，关断的时候最好加反向电压、或是加三极管对门极短路放电。 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：IGBT的驱动电路设计对于发挥IGBT的优势非常关键，要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素. 如果使用IC驱动可以考虑 MC33153 |
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| | | | | IGBT的驱动有什么注意事项不？
回复内容：：IGBT的驱动电路设计对于发挥IGBT的优势非常关键，要考虑到驱动能力，电压尖峰，布线寄生电感等因素. 如果使用IC驱动可以考虑 MC33153 |
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| | | | | 安森美的IGBT都具备哪些优势和特点？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，因而更加稳定可靠.备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT都具备哪些优势和特点？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，因而更加稳定可靠.备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT适合做多大频率范围的呢？对于其驱动电路的设计有没有什么特殊的要求？
回复内容：：5K-50KHZ,各厂家对IGBT的驱动设计要求比较接近，典型的开启关断电压是15V,0V.电阻一般做到5-15ohm.特别要注意寄生参数的处理，layout很关键 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT适合做多大频率范围的呢？对于其驱动电路的设计有没有什么特殊的要求？
回复内容：：5K-50KHZ,各厂家对IGBT的驱动设计要求比较接近，典型的开启关断电压是15V,0V.电阻一般做到5-15ohm.特别要注意寄生参数的处理，layout很关键 |
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| | | | | 安森美的IGBT与其他厂商的IGBT有啥优势不？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT与其他厂商的IGBT有啥优势不？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中都需要考虑哪些问题呢？在选择型号的时候应当注意些什么呢
回复内容：：开关频率，电流/电压等级，负载电流 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中都需要考虑哪些问题呢？在选择型号的时候应当注意些什么呢
回复内容：：在电磁炉上要选用我们的IH系列产品，因为是谐振拓扑结构，不需要太大的续流二极管。在电焊机设计中要选用SWG系列专用IGBT，也可以选用FL/FL2系列来替代。在线路板布线方面一定要保证驱动线路和IGBT的距离尽可能近，这是一些产品设计中容易犯的错误。 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中都需要考虑哪些问题呢？在选择型号的时候应当注意些什么呢
回复内容：：在电磁炉上要选用我们的IH系列产品，因为是谐振拓扑结构，不需要太大的续流二极管。在电焊机设计中要选用SWG系列专用IGBT，也可以选用FL/FL2系列来替代。在线路板布线方面一定要保证驱动线路和IGBT的距离尽可能近，这是一些产品设计中容易犯的错误。 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中都需要考虑哪些问题呢？在选择型号的时候应当注意些什么呢
回复内容：：开关频率，电流/电压等级，负载电流 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中都需要考虑哪些问题呢？在选择型号的时候应当注意些什么呢
回复内容：：在电磁炉上要选用我们的IH系列产品，因为是谐振拓扑结构，不需要太大的续流二极管。在电焊机设计中要选用SWG系列专用IGBT，也可以选用FL/FL2系列来替代。在线路板布线方面一定要保证驱动线路和IGBT的距离尽可能近，这是一些产品设计中容易犯的错误。 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT在电磁炉和逆变电焊机应用中都需要考虑哪些问题呢？在选择型号的时候应当注意些什么呢
回复内容：：在电磁炉上要选用我们的IH系列产品，因为是谐振拓扑结构，不需要太大的续流二极管。在电焊机设计中要选用SWG系列专用IGBT，也可以选用FL/FL2系列来替代。在线路板布线方面一定要保证驱动线路和IGBT的距离尽可能近，这是一些产品设计中容易犯的错误。 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：电流大，大电流时等效导通电阻低，IGBT拥有三极管特性而且驱动有MOS的优势 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：电流大，大电流时等效导通电阻低，IGBT拥有三极管特性而且驱动有MOS的优势 |
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| | | | | 安森美的IGBT在性能上与其他厂家的半导体相比有什么优越的地方？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，因而更加稳定可靠.备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT在性能上与其他厂家的半导体相比有什么优越的地方？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，因而更加稳定可靠.备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：可以用40安培1200伏的单管做并联，也可以使用我们的模块。请和我们销售或是技术支持人员联系 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：可以用40安培1200伏的单管做并联，也可以使用我们的模块。请和我们销售或是技术支持人员联系 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 我们做50kVA/400V 三相 的逆变全桥设备，有没有合适的解决方案。
回复内容：：您可以看一下NGTB40N120FL2WG是否合适，具体的还要取决于贵司的应用频率，我们还有25A的产品 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT应用在高频段要注意哪些问题？
回复内容：：我们遇到过各式各样的应用问题，最多的是驱动电路和主电流回路的寄生电感，在布线时要特别注意 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT应用在高频段要注意哪些问题？
回复内容：：我们遇到过各式各样的应用问题，最多的是驱动电路和主电流回路的寄生电感，在布线时要特别注意 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT和其它厂家的IGBT在系统性能上有什么优异之处
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美半导体的产品拥有更强的UIS、短路电流和脉冲电流能力，因而更加稳定可靠备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT和其它厂家的IGBT在系统性能上有什么优异之处
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美半导体的产品拥有更强的UIS、短路电流和脉冲电流能力，因而更加稳定可靠备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT最高能做多大频率范围的呢？
回复内容：：最高到62KHZ不降低标称电流。一般在十几到40kHZ |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT最高能做多大频率范围的呢？
回复内容：：最高到62KHZ不降低标称电流。一般在十几到40kHZ |
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| | | | | 安森美半导体分立式IGBT方案用于哪些行业？
回复内容：：IH Cooker, IH Rice Cooker, IH Pressure cookerAir-conditioner, Hand dryerUPS, inverter, Solar,Power generator, power charging station |
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| | | | | 安森美半导体分立式IGBT方案用于哪些行业？
回复内容：：IH Cooker, IH Rice Cooker, IH Pressure cookerAir-conditioner, Hand dryerUPS, inverter, Solar,Power generator, power charging station |
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| | | | | 都有哪些经典案例？
回复内容：：UPS,电磁炉，电焊机领域一线大厂在使用 |
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| | | | | 都有哪些经典案例？
回复内容：：UPS,电磁炉，电焊机领域一线大厂在使用 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT的损耗可以解决吗?
回复内容：：安森美的IGBT损耗是和市场最优的产品相当的，我们同时在开发下一代的产品，损耗更低 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT的损耗可以解决吗?
回复内容：：安森美的IGBT损耗是和市场最优的产品相当的，我们同时在开发下一代的产品，损耗更低 |
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| | | | | 在驱动电路上有什么新的改进?
回复内容：：没有。驱动电路是系统设计。 |
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| | | | | 在驱动电路上有什么新的改进?
回复内容：：没有。驱动电路是系统设计。 |
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| | | | | 此次安森美半导体研讨会IGBT方案在其他方面的应用有哪些？
回复内容：：此次研讨会主要讨论在电磁炉和电焊机中的应用安森美也有UPS,太阳能逆变，电机驱动,PFC，家电等领域的IGBT |
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| | | | | 此次安森美半导体研讨会IGBT方案在其他方面的应用有哪些？
回复内容：：此次研讨会主要讨论在电磁炉和电焊机中的应用安森美也有UPS,太阳能逆变，电机驱动,PFC，家电等领域的IGBT |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在汽车主要应用在哪里，功耗如何？
回复内容：：ONSemi is strong in Ignition IGBTs.As for other usage, we have them in roadmap and mainly for battery management appliction. |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在汽车主要应用在哪里，功耗如何？
回复内容：：汽车点火IGBT，我们已经做了30多年，出货超过5亿片，欧洲美国的一线厂商都在用 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在汽车主要应用在哪里，功耗如何？
回复内容：：ONSemi is strong in Ignition IGBTs.As for other usage, we have them in roadmap and mainly for battery management appliction. |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在汽车主要应用在哪里，功耗如何？
回复内容：：汽车点火IGBT，我们已经做了30多年，出货超过5亿片，欧洲美国的一线厂商都在用 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案，提供了哪些器件选型，价格如何？
回复内容：：安森美目前提供5-75A, 600/650V, 1200/1350V IGBT供选择，关于价格请联系当地代理商 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案，提供了哪些器件选型，价格如何？
回复内容：：安森美目前提供5-75A, 600/650V, 1200/1350V IGBT供选择，关于价格请联系当地代理商 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案，最高安全环境工作温度是多少？
回复内容：：175ºC最高结温 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT方案，最高安全环境工作温度是多少？
回复内容：：175ºC最高结温 |
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| | | | | 有没有应对潮湿环境的解决方案？
回复内容：：IGBT本身不怕潮湿，潮湿环境是系统设计要考虑的 |
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| | | | | 有没有应对潮湿环境的解决方案？
回复内容：：IGBT本身不怕潮湿，潮湿环境是系统设计要考虑的 |
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| | | | | IGBT主要应用于哪些场合？
回复内容：：UPS,太阳能逆变，功率因数校正，电机驱动，汽车点火IGBT,空调逆变等等，包含工业，家电，汽车，新能源等领域 |
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| | | | | IGBT主要应用于哪些场合？
回复内容：：UPS,太阳能逆变，功率因数校正，电机驱动，汽车点火IGBT,空调逆变等等，包含工业，家电，汽车，新能源等领域 |
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| | | | | 这款IGBT最大的结温是多少度？
回复内容：：FS这代产品是150度，FSII这代、也是目前这代产品是175度 |
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| | | | | 这款IGBT最大的结温是多少度？
回复内容：：FS这代产品是150度，FSII这代、也是目前这代产品是175度 |
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| | | | | IBGT相对MOS有什么优势？
回复内容：：MOS supply with medium voltage and current rating not so high.With high current and good switching performance, like CoolMos. Cost will be very high and need to parallel.IGBT is more cost effective and come with high current and voltage part.In such case, no need to parallel and reliability can be improved. |
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| | | | | IBGT相对MOS有什么优势？
回复内容：：MOS supply with medium voltage and current rating not so high.With high current and good switching performance, like CoolMos. Cost will be very high and need to parallel.IGBT is more cost effective and come with high current and voltage part.In such case, no need to parallel and reliability can be improved. |
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| | | | | 分立式IGBT产品方案主要表现在哪些应用上？
回复内容：：电磁炉，电焊机，UPS，电机驱动，PFC，汽车点火等等 |
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| | | | | 分立式IGBT产品方案主要表现在哪些应用上？
回复内容：：电磁炉、电饭锅、电焊机、逆变器、不间断电源、马达驱动等等 |
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| | | | | 分立式IGBT产品方案主要表现在哪些应用上？
回复内容：：电磁炉、电饭锅、电焊机、逆变器、不间断电源、马达驱动等等 |
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| | | | | 分立式IGBT产品方案主要表现在哪些应用上？
回复内容：：电磁炉，电焊机，UPS，电机驱动，PFC，汽车点火等等 |
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| | | | | 分立式IGBT产品方案主要表现在哪些应用上？
回复内容：：电磁炉、电饭锅、电焊机、逆变器、不间断电源、马达驱动等等 |
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| | | | | 分立式IGBT产品方案主要表现在哪些应用上？
回复内容：：电磁炉、电饭锅、电焊机、逆变器、不间断电源、马达驱动等等 |
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| | | | | IGBT的是电流型驱动还是电压型驱动？
回复内容：：电压 |
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| | | | | IGBT的是电流型驱动还是电压型驱动？
回复内容：：电压 |
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| | | | | IGBT的是电流型驱动还是电压型驱动？
回复内容：：电压驱动 |
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| | | | | IGBT的是电流型驱动还是电压型驱动？
回复内容：：电压驱动 |
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| | | | | 安森美IGBT最大能工作到多少K的频率呢?
回复内容：：目前50K |
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| | | | | 安森美IGBT最大能工作到多少K的频率呢?
回复内容：：目前50K |
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| | | | | 安森美IGBT的拖尾效应如何？
回复内容：：安森美第四代 沟道场截止 二代 IGBTs, 用N缓冲层减少了硅漂移区的厚度 , 低导通压降、减低拖尾效应及关断损耗 |
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| | | | | 安森美IGBT的拖尾效应如何？
回复内容：：安森美第四代 沟道场截止 二代 IGBTs, 用N缓冲层减少了硅漂移区的厚度 , 低导通压降、减低拖尾效应及关断损耗 |
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| | | | | 目前的电磁炉方案中必须有风扇的设计，贵司产品方案中，是否可以去掉这个风扇？
回复内容：：不可以去掉 |
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| | | | | 目前的电磁炉方案中必须有风扇的设计，贵司产品方案中，是否可以去掉这个风扇？
回复内容：：不可以去掉 |
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| | | | | 安森美IGBT的拖尾效应如何？
回复内容：：非常小。具体可以看我们产品规格书。 |
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| | | | | 安森美IGBT的拖尾效应如何？
回复内容：：非常小。具体可以看我们产品规格书。 |
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| | | | | 安森美IGBT最大能工作到多少K的频率呢?
回复内容：：配合合适的驱动线路目前几款IGBT可以在62kHZ下工作。 |
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| | | | | 安森美IGBT最大能工作到多少K的频率呢?
回复内容：：配合合适的驱动线路目前几款IGBT可以在62kHZ下工作。 |
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| | | | | IGBT的是电流型驱动还是电压型驱动？
回复内容：：电压型驱动。设计中要注意驱动的速度以降低IGBT的开关损耗 |
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| | | | | IGBT的是电流型驱动还是电压型驱动？
回复内容：：电压型驱动。设计中要注意驱动的速度以降低IGBT的开关损耗 |
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| | | | | 贵公司的IGBT能用在LLC电路中吗？
回复内容：：可以的。 |
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| | | | | 贵公司的IGBT能用在LLC电路中吗？
回复内容：：可以的。 |
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| | | | | 和其他半导体公司的IGBT相比性价比起来怎么样
回复内容：：我们的性价比最有优势 |
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| | | | | 和其他半导体公司的IGBT相比性价比起来怎么样
回复内容：：我们的性价比最有优势 |
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| | | | | IGBT是否存在反向恢复的问题？
回复内容：：IGBT本身没有反向恢复问题。但是多数IGBT都和一个续流二极管封装在一起。续流二极管会有反向恢复问题。 |
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| | | | | IGBT是否存在反向恢复的问题？
回复内容：：IGBT本身没有反向恢复问题。但是多数IGBT都和一个续流二极管封装在一起。续流二极管会有反向恢复问题。 |
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| | | | | IGBT用在电磁炉中用到的是什么拓扑？
回复内容：：谐振软开关拓扑。“零”电压开通，硬关闭。 |
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| | | | | IGBT用在电磁炉中用到的是什么拓扑？
回复内容：：谐振软开关拓扑。“零”电压开通，硬关闭。 |
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| | | | | IBGT相对MOS有什么优势？
回复内容：：IGBT电流大，大电流时等效导通电阻低，IGBT拥有三极管特性而且驱动有MOS的优势 |
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| | | | | IBGT相对MOS有什么优势？
回复内容：：IGBT电流大，大电流时等效导通电阻低，IGBT拥有三极管特性而且驱动有MOS的优势 |
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| | | | | 这款IGBT最大的结温是多少度？
回复内容：：175 |
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| | | | | 这款IGBT最大的结温是多少度？
回复内容：：175 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT和其它厂家的IGBT主要的优点是哪些方面？？？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT和其它厂家的IGBT主要的优点是哪些方面？？？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 有样品提供吗？
回复内容：：有样品的，还有demo板 |
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| | | | | 有样品提供吗？
回复内容：：有样品的，还有demo板 |
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| | | | | 有没有CE 相关认证？
回复内容：：单管不需要认证。模块有UL认证。CE不适用于IGBT。 |
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| | | | | 有没有CE 相关认证？
回复内容：：单管不需要认证。模块有UL认证。CE不适用于IGBT。 |
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| | | | | 关键还是成本, 小批量有优势吗
回复内容：：You may need to contact local distributors or representative. |
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| | | | | 关键还是成本, 小批量有优势吗
回复内容：：You may need to contact local distributors or representative. |
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| | | | | 能不能寄点样品
回复内容：：可以，请联系当地代理商 |
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| | | | | 能不能寄点样品
回复内容：：可以，请联系当地代理商 |
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| | | | | 温升能力怎么样？
回复内容：：温升由线路设计决定。 |
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| | | | | 温升能力怎么样？
回复内容：：安森美有自己的应用团队，在关心的领域开发应用平台测试对比安森美和市场主流产品的性能。目前在电磁炉，电焊机温升是和市场最好的产品相当的 |
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| | | | | 温升能力怎么样？
回复内容：：温升由线路设计决定。 |
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| | | | | 温升能力怎么样？
回复内容：：安森美有自己的应用团队，在关心的领域开发应用平台测试对比安森美和市场主流产品的性能。目前在电磁炉，电焊机温升是和市场最好的产品相当的 |
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| | | | | 新人学习
回复内容：：欢迎您使用安森美的产品，我们也会提供最好的产品和服务 |
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| | | | | 新人学习
回复内容：：欢迎您使用安森美的产品，我们也会提供最好的产品和服务 |
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| | | | | igbt的Qg相对于场效应管更大还是更小呢？
回复内容：：基于同一电流, IGBT的Qg相对于MOSFET还是大少许 |
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| | | | | igbt的Qg相对于场效应管更大还是更小呢？
回复内容：：基于同一电流, IGBT的Qg相对于MOSFET还是大少许 |
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| | | | | 太阳能逆变中对设计能起到加快设计的速度吗?
回复内容：：安森美会提供技术支持以缩短客户的设计周期 |
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| | | | | 太阳能逆变中对设计能起到加快设计的速度吗?
回复内容：：安森美会提供技术支持以缩短客户的设计周期 |
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| | | | | 650/600V系列的IGBT和MOSFET相比有什么大的优势吗？
回复内容：：IGBT的电流能力更强，目前安森美已推出了5-75A的IGBT单管，功率频率高达50K |
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| | | | | 650/600V系列的IGBT和MOSFET相比有什么大的优势吗？
回复内容：：IGBT的电流能力更强，目前安森美已推出了5-75A的IGBT单管，功率频率高达50K |
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| | | | | 现在我们在用infineon的300A左右的模块IGBT，用于电力有源滤波器，请问有没相应的替代方案，
回复内容：：目前没有。 |
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| | | | | 现在我们在用infineon的300A左右的模块IGBT，用于电力有源滤波器，请问有没相应的替代方案，
回复内容：：目前没有。 |
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| | | | | IGBT贵司的与其它产品有何特别的优势？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | IGBT贵司的与其它产品有何特别的优势？
回复内容：：除了温升等关键参数跟市场最好的竞争对手相当外，安森美的UIS和短路能力有显著地提高，备注;UIS类似于MOSFET的雪崩能量 |
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| | | | | 关断损耗比MOS管大吗？
回复内容：：一般情况下，是的 |
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| | | | | 关断损耗比MOS管大吗？
回复内容：：一般情况下，是的 |
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| | | | | 你们可以提供一些样机用于学习？
回复内容：：有demo板，可以到网站的IGBT感兴趣型号详细信息页查看是否有demo提供，有些会有demo的详细介绍 |
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| | | | | 你们可以提供一些样机用于学习？
回复内容：：可以，跟我们联系 |
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| | | | | 你们可以提供一些样机用于学习？
回复内容：：有demo板，可以到网站的IGBT感兴趣型号详细信息页查看是否有demo提供，有些会有demo的详细介绍 |
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| | | | | 你们可以提供一些样机用于学习？
回复内容：：可以，跟我们联系 |
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| | | | | 你们是怎么鉴别和控制IGBT的欠驱动和过驱动的。谢谢
回复内容：：欠驱动和过驱动都是在线路中寄生电感/电容比较大的时候才有的。那么在开通的时候看电流过冲幅度、在关断的时候看电压过冲幅度。 |
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| | | | | 你们是怎么鉴别和控制IGBT的欠驱动和过驱动的。谢谢
回复内容：：欠驱动和过驱动都是在线路中寄生电感/电容比较大的时候才有的。那么在开通的时候看电流过冲幅度、在关断的时候看电压过冲幅度。 |
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| | | | | 控制信号 是 正弦波还是方波有区别和好处
回复内容：：方波驱动。不可以用正弦波 |
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| | | | | 控制信号 是 正弦波还是方波有区别和好处
回复内容：：方波驱动。不可以用正弦波 |
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| | | | | 这个方案简单不？外围电路复杂程度怎样啊？
回复内容：：IGBT属于电压控制型开关器件，驱动电路相对简单 |
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| | | | | 这个方案简单不？外围电路复杂程度怎样啊？
回复内容：：IGBT属于电压控制型开关器件，驱动电路相对简单 |
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| | | | | 方案成本能控制在什么程度
回复内容：：安森美的IGBT有很高的性价比，具体的方案成本要具体的分析 |
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| | | | | 方案成本能控制在什么程度
回复内容：：安森美的IGBT有很高的性价比，具体的方案成本要具体的分析 |
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| | | | | 开关频率 多少以上 才不会有噪声
回复内容：：15kHZ以上，超过人体生理接受的音频范围。噪声依然存在、只是我们听不到了。 |
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| | | | | 开关频率 多少以上 才不会有噪声
回复内容：：15kHZ以上，超过人体生理接受的音频范围。噪声依然存在、只是我们听不到了。 |
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| | | | | IGBT的产品可做到多大电流？
回复内容：：目前安森美量产的IGBT单管最高75A,TO247封装 |
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| | | | | IGBT的产品可做到多大电流？
回复内容：：目前安森美量产的IGBT单管最高75A,TO247封装 |
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| | | | | 此产品的最高频率可以达到多少？电流是否会相应的需要降额？
回复内容：：50K,需要留有一定的安全裕量 |
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| | | | | 此产品的最高频率可以达到多少？电流是否会相应的需要降额？
回复内容：：50K,需要留有一定的安全裕量 |
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| | | | | 问下，IGBT适合什么样的应用功率范围啊
回复内容：：1或2千瓦以上 |
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| | | | | 问下，IGBT适合什么样的应用功率范围啊
回复内容：：IGBT适用的功率范围很广，如家电的1-5KW,到工业的10-100KW,还有如发电站的几百兆瓦级的 |
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| | | | | 问下，IGBT适合什么样的应用功率范围啊
回复内容：：1或2千瓦以上 |
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| | | | | 问下，IGBT适合什么样的应用功率范围啊
回复内容：：IGBT适用的功率范围很广，如家电的1-5KW,到工业的10-100KW,还有如发电站的几百兆瓦级的 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：一般说来600伏的产品可以耐到680到720伏，1200伏的可以耐到1350到1400伏。 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面，安森美在业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面，安森美在业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面安森美业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面安森美业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：一般说来600伏的产品可以耐到680到720伏，1200伏的可以耐到1350到1400伏。 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面，安森美在业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面，安森美在业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面安森美业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 安森美的IGBT抗冲击耐压性能如何呢？
回复内容：：在这方面安森美业界最强。我们称之为UIS能力，类似于MOSFET的雪崩能量，鸡衡量IGBT在关断击穿的状态下可以安全通过的能量 |
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| | | | | 请问，IGBT对于驱动要求与一般MOS相比，有什么特别要求，或需要注意的地方？
回复内容：：关断的时候最好要有负电压，或是用三极管/MOS对门极短路。 |
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| | | | | 请问，IGBT对于驱动要求与一般MOS相比，有什么特别要求，或需要注意的地方？
回复内容：：关断的时候最好要有负电压，或是用三极管/MOS对门极短路。 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT的市场价格怎么样？
回复内容：：安森美的IGBT是有很高的性价比的，具体型号的价格您可以联系当地的代理商咨询 |
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| | | | | 安森美半导体的分立式IGBT的市场价格怎么样？
回复内容：：安森美的IGBT是有很高的性价比的，具体型号的价格您可以联系当地的代理商咨询 |
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| | | | | 抗干扰能力怎么样？
回复内容：：没问题。如果担心的话可以在门极驱动电路中考虑增强抗干扰能力。 |
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| | | | | 抗干扰能力怎么样？
回复内容：：没问题。如果担心的话可以在门极驱动电路中考虑增强抗干扰能力。 |
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| | | | | IGBT的延迟关断特性怎样做改善
回复内容：：你这个问题可以分2部分。延迟关断t off delay是应用中无法改变的。关断速度是可以通过驱动线路来减小的。主要是减小关断电阻、用负电压、用门极短路三极管等等。 |
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| | | | | IGBT的延迟关断特性怎样做改善
回复内容：：你这个问题可以分2部分。延迟关断t off delay是应用中无法改变的。关断速度是可以通过驱动线路来减小的。主要是减小关断电阻、用负电压、用门极短路三极管等等。 |
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| | | | | 安森美IGBT的价格优势？
回复内容：：In general yes. Pls contact local distributors and representatives. |
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| | | | | 安森美IGBT的价格优势？
回复内容：：In general yes. Pls contact local distributors and representatives. |
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| | | | | 过流保护驱动电路哪一种比较简单可靠
回复内容：：采样电阻反馈到驱动IC |
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| | | | | 过流保护驱动电路哪一种比较简单可靠
回复内容：：采样电阻反馈到驱动IC |
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| | | | | 咱们IGBT 半导体方案在电磁炉上的应用有实例吗？工作效率怎么样？
回复内容：：我们目前是电磁炉厂商的主要IGBT供应商。能够达到国家2级能效要求。 |
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| | | | | 咱们IGBT 半导体方案在电磁炉上的应用有实例吗？工作效率怎么样？
回复内容：：我们目前是电磁炉厂商的主要IGBT供应商。能够达到国家2级能效要求。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：雪崩能量耐量。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：类似于MOSFET的雪崩能量，即评价IGBT在关断击穿的情况下可以安全通过的能量，这是IGBT工作耐久性的重要参数。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：类似于MOSFET的雪崩能量，即评价IGBT在关断击穿的情况下可以安全通过的能量，这是IGBT工作耐久性的重要参数。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：类似于MOSFET的雪崩能量，即评价IGBT在关断击穿的情况下可以安全通过的能量，这是IGBT工作耐久性的重要参数。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：雪崩能量耐量。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：类似于MOSFET的雪崩能量，即评价IGBT在关断击穿的情况下可以安全通过的能量，这是IGBT工作耐久性的重要参数。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：类似于MOSFET的雪崩能量，即评价IGBT在关断击穿的情况下可以安全通过的能量，这是IGBT工作耐久性的重要参数。 |
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| | | | | UIS是啥指标？对比起来，安森美的优势这么强大
回复内容：：类似于MOSFET的雪崩能量，即评价IGBT在关断击穿的情况下可以安全通过的能量，这是IGBT工作耐久性的重要参数。 |
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| | | | | IGBT目前有哪些技术瓶颈？
回复内容：：你是指IGBT硅晶片设计还是指IGBT应用？IGBT设计的挑战在于解决减低晶圆厚度／场截止的冲突，提高开关频率等等。 |
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| | | | | IGBT目前有哪些技术瓶颈？
回复内容：：关断拖尾电流，工作耐久性等等。安森美在这些方面都有优势 |
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| | | | | IGBT目前有哪些技术瓶颈？
回复内容：：关断拖尾电流，工作耐久性等等。安森美在这些方面都有优势 |
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| | | | | IGBT目前有哪些技术瓶颈？
回复内容：：你是指IGBT硅晶片设计还是指IGBT应用？IGBT设计的挑战在于解决减低晶圆厚度／场截止的冲突，提高开关频率等等。 |
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| | | | | IGBT目前有哪些技术瓶颈？
回复内容：：关断拖尾电流，工作耐久性等等。安森美在这些方面都有优势 |
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| | | | | IGBT目前有哪些技术瓶颈？
回复内容：：关断拖尾电流，工作耐久性等等。安森美在这些方面都有优势 |
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| | | | | 安森美IGBT在电磁炉方案中采用哪种拓扑结结构？
回复内容：：国内一般采用单端谐振拓扑结构，这种成本较低，电路简单。欧洲市场主要采用半桥谐振拓扑。安森美有使用这两种拓扑的IGBT |
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| | | | | 安森美IGBT在电磁炉方案中采用哪种拓扑结结构？
回复内容：：国内一般采用单端谐振拓扑结构，这种成本较低，电路简单。欧洲市场主要采用半桥谐振拓扑。安森美有使用这两种拓扑的IGBT |
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| | | | | 安森美的IGBT在半桥会、全桥或者逆变电路的驱动中需要注意什么？
回复内容：：要保证驱动电压尽可能维持在15伏，用相对小一点的驱动电阻，比如10欧姆以下。避免在门极并联保护电容 |
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| | | | | 安森美的IGBT在半桥会、全桥或者逆变电路的驱动中需要注意什么？
回复内容：：要保证驱动电压尽可能维持在15伏，用相对小一点的驱动电阻，比如10欧姆以下。避免在门极并联保护电容 |
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| | | | | IGBT半导体最大的优点是什么？
回复内容：：高压大电流开关损耗小。 |
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| | | | | IGBT半导体最大的优点是什么？
回复内容：：高压大电流开关损耗小。 |
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| | | | | 在逆变电焊机应用中最大可做多大的开关频率？
回复内容：：一般是20到40kHZ，在瑞凌的双管正激机型上可以做到62kHZ |
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| | | | | 在逆变电焊机应用中最大可做多大的开关频率？
回复内容：：一般是20到40kHZ，在瑞凌的双管正激机型上可以做到62kHZ |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT的目前的技术和将来的技术主要应用在哪个方面？？？
回复内容：：家电，工业，新能源，汽车 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT的目前的技术和将来的技术主要应用在哪个方面？？？
回复内容：：家电，工业，新能源，汽车 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT有相对的电路参考吗？？？
回复内容：：有，请跟我们应用工程师联系 |
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| | | | | 安森美半导体的IGBT有相对的电路参考吗？？？
回复内容：：有，请跟我们应用工程师联系 |
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| | | | | igbt在工艺结构上有哪些突出优势？如何测试其损耗？
回复内容：：优势就是在高电压/高电流时候的损耗小。测试其损耗的方法就是做硬开关测量Eon/Eoff和导通压降 |
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| | | | | igbt在工艺结构上有哪些突出优势？如何测试其损耗？
回复内容：：优势就是在高电压/高电流时候的损耗小。测试其损耗的方法就是做硬开关测量Eon/Eoff和导通压降 |
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| | | | | 安森美的IGBT市场占有率如何？
回复内容：：我们的市场占有率在稳步快速增长。 |
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| | | | | 安森美的IGBT市场占有率如何？
回复内容：：我们的市场占有率在稳步快速增长。 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：耐高压大电流 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：耐高压大电流 |
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| | | | | 性价比如何
回复内容：：是最有性价比优势的一个品牌 |
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| | | | | 性价比如何
回复内容：：是最有性价比优势的一个品牌 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：耐高压大电流，一般的讲，在600V 20A以上会有优势 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？
回复内容：：耐高压大电流，一般的讲，在600V 20A以上会有优势 |
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| | | | | 稳定性如何，是否可以用在汽车辅助电机驱动
回复内容：：安森美提供汽车应用的IGBT,我们的汽车点火IGBT已经做了30多年了，出货超过5亿片，品质非常稳定 |
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| | | | | 稳定性如何，是否可以用在汽车辅助电机驱动
回复内容：：安森美提供汽车应用的IGBT,我们的汽车点火IGBT已经做了30多年了，出货超过5亿片，品质非常稳定 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT和MOSFET的驱动电压略有不同，IGBT的典型电压是15V.安森美不能提供散热器，但会提供散热、电气方面的技术支持 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT和MOSFET的驱动电压略有不同，IGBT的典型电压是15V.安森美不能提供散热器，但会提供散热、电气方面的技术支持 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | IGBT就跟MOS管尺寸一样了，很方便使用。不知道用MOS管的地方，用IGBT来替换，需要注意些啥？在散热方面，如果贵公司能提供合适的散热器就更好了，可以最大程度的将热量散发出去。
回复内容：：IGBT适合大电流大功率场合，速度上没有MOS那么快，这个需要注意。安森美是半导体公司，专注半导体器件，目前没有提供散热器，散热器有很多家可以提供专业支持。 |
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| | | | | 希望投放一定产品供试用
回复内容：：我们一直有提供样品供测试使用的。请和我们销售人员联系。 |
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| | | | | 希望投放一定产品供试用
回复内容：：我们一直有提供样品供测试使用的。请和我们销售人员联系。 |
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| | | | | 如果想使用，可以申请试用不？
回复内容：：可以，请联系当地代理商 |
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| | | | | 如果想使用，可以申请试用不？
回复内容：：可以，请联系当地代理商 |
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| | | | | 对于IGBT选型时要注意那些参数，怎样合理选择IBGT？
回复内容：：主要注意反压，电流能力，热阻，耗散功率等，其余参数可按照应用选取 |
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| | | | | 对于IGBT选型时要注意那些参数，怎样合理选择IBGT？
回复内容：：主要注意反压，电流能力，热阻，耗散功率等，其余参数可按照应用选取 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在逆变电焊机应用中，与飞利浦、ST、英飞凌等相比，自主的优势在哪儿呢？要是在运用中强推此方案，有什么更好的说服力吗？09-22 16:11
回复内容：：性价比高 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在逆变电焊机应用中，与飞利浦、ST、英飞凌等相比，自主的优势在哪儿呢？要是在运用中强推此方案，有什么更好的说服力吗？09-22 16:11
回复内容：：性价比高 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？？？主要表现在哪方面？
回复内容：：IGBT在600伏以上的应用中损耗比MOSFET小 |
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| | | | | IGBT相对于MOSFET有何优点？？？主要表现在哪方面？
回复内容：：IGBT在600伏以上的应用中损耗比MOSFET小 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在逆变电焊机应用中，与飞利浦、ST、英飞凌等相比，自主的优势在哪儿呢？要是在运用中强推此方案，有什么更好的说服力吗？
回复内容：：安森美的温升，品质是和一线厂商相当的，关于价格您可以联系当地代理商 |
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| | | | | 安森美半导体IGBT在逆变电焊机应用中，与飞利浦、ST、英飞凌等相比，自主的优势在哪儿呢？要是在运用中强推此方案，有什么更好的说服力吗？
回复内容：：安森美的温升，品质是和一线厂商相当的，关于价格您可以联系当地代理商 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：a |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：电磁炉要注意的除了损耗指标，就是UIS，和耐过电流/耐过电压的能力。 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：电磁炉要注意的除了损耗指标，就是UIS，和耐过电流/耐过电压的能力。 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：除了损耗以外，主要考虑产品可靠性，包括UIS (雪崩能量耐量)，过电流，过电压能力 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：要注意驱动电路和主电流回路的优化。EMC更多是系统层面的问题，主要和布线及滤波电路有关，我们可以提供技术支持 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：要注意驱动电路和主电流回路的优化。EMC更多是系统层面的问题，主要和布线及滤波电路有关，我们可以提供技术支持 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：要注意驱动电路和主电流回路的优化。EMC更多是系统层面的问题，主要和布线及滤波电路有关，我们可以提供技术支持 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：a |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：电磁炉要注意的除了损耗指标，就是UIS，和耐过电流/耐过电压的能力。 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：电磁炉要注意的除了损耗指标，就是UIS，和耐过电流/耐过电压的能力。 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：除了损耗以外，主要考虑产品可靠性，包括UIS (雪崩能量耐量)，过电流，过电压能力 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：要注意驱动电路和主电流回路的优化。EMC更多是系统层面的问题，主要和布线及滤波电路有关，我们可以提供技术支持 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：要注意驱动电路和主电流回路的优化。EMC更多是系统层面的问题，主要和布线及滤波电路有关，我们可以提供技术支持 |
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| | | | | IGBT方案在电磁炉中的应用，有什么特殊指标需要注意的吗？在EMC这块，是不是有其独到的地方呢？
回复内容：：要注意驱动电路和主电流回路的优化。EMC更多是系统层面的问题，主要和布线及滤波电路有关，我们可以提供技术支持 |
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| | | | | 安森美IGBT方案的工作频率适用范围是多少呢？能用来做3000W以上的逆变器吗？
回复内容：：一般应用到40kHZ以下。在逆变器中一般做的都是20kHZ左右。3千瓦没问题 |
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| | | | | 安森美IGBT方案的工作频率适用范围是多少呢？能用来做3000W以上的逆变器吗？
回复内容：：一般应用到40kHZ以下。在逆变器中一般做的都是20kHZ左右。3千瓦没问题 |
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| | | | | 主要应用在多少W以上，，或者说是哪个范围内？
回复内容：：1千瓦以上 |
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| | | | | 主要应用在多少W以上，，或者说是哪个范围内？
回复内容：：1千瓦以上 |
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| | | | | IGBT并联使用时，对PCB布板有什么要求，要特别注意那些？
回复内容：：要保证布线均衡，如果必要的话在每个IGBT门极单独加2欧姆左右均衡电阻。 |
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| | | | | IGBT并联使用时，对PCB布板有什么要求，要特别注意那些？
回复内容：：要保证布线均衡，如果必要的话在每个IGBT门极单独加2欧姆左右均衡电阻。 |
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| | | | | 现如今阶段，产品已经经过实验，能批量生产使用了么？
回复内容：：都是可以批量使用的。我们每年大约推出30款IGBT。 |
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| | | | | 现如今阶段，产品已经经过实验，能批量生产使用了么？
回复内容：：s |
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| | | | | 现如今阶段，产品已经经过实验，能批量生产使用了么？
回复内容：：都是可以批量使用的。我们每年大约推出30款IGBT。 |
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| | | | | 现如今阶段，产品已经经过实验，能批量生产使用了么？
回复内容：：s |
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| | | | | 一般在使用MOS管的时候，都要求其要尽量慢开快关，对于安森美的IGBT来说是不是也需要这样？
回复内容：：是的 |
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| | | | | 一般在使用MOS管的时候，都要求其要尽量慢开快关，对于安森美的IGBT来说是不是也需要这样？
回复内容：：总体讲是对的。其次还要看线路的寄生电感/电容。慢开快关主要是为了解决这些寄生参数的问题。如果这些寄生参数控制的很好的话，是不需要慢开快关的。 |
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| | | | | 一般在使用MOS管的时候，都要求其要尽量慢开快关，对于安森美的IGBT来说是不是也需要这样？
回复内容：：总体讲是对的。其次还要看线路的寄生电感/电容。慢开快关主要是为了解决这些寄生参数的问题。如果这些寄生参数控制的很好的话，是不需要慢开快关的。 |
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| | | | | 一般在使用MOS管的时候，都要求其要尽量慢开快关，对于安森美的IGBT来说是不是也需要这样？
回复内容：：是的 |
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| | | | | 一般在使用MOS管的时候，都要求其要尽量慢开快关，对于安森美的IGBT来说是不是也需要这样？
回复内容：：总体讲是对的。其次还要看线路的寄生电感/电容。慢开快关主要是为了解决这些寄生参数的问题。如果这些寄生参数控制的很好的话，是不需要慢开快关的。 |
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| | | | | 一般在使用MOS管的时候，都要求其要尽量慢开快关，对于安森美的IGBT来说是不是也需要这样？
回复内容：：总体讲是对的。其次还要看线路的寄生电感/电容。慢开快关主要是为了解决这些寄生参数的问题。如果这些寄生参数控制的很好的话，是不需要慢开快关的。 |
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| | | | | 大功率IGBT对布线有什么要求？
回复内容：：这种应用一般di/di比较高，所以要特别注意主电流和驱动回路的寄生电感，把驱动电路尽量靠近IGBT,大电流回路尽量做小。最终还要具体问题具体分析，我们会提供技术支持 |
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| | | | | 大功率IGBT对布线有什么要求？
回复内容：：这种应用一般di/di比较高，所以要特别注意主电流和驱动回路的寄生电感，把驱动电路尽量靠近IGBT,大电流回路尽量做小。最终还要具体问题具体分析，我们会提供技术支持 |
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| | | | | IGBT的驱动的价格？
回复内容：：根据应用。如果是电焊机等等应用，一般设计者自己也分离元件做驱动，价格不高。应用在高端的逆变器等等当中，价格会稍有增加。 |
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| | | | | IGBT的驱动的价格？
回复内容：：根据应用。如果是电焊机等等应用，一般设计者自己也分离元件做驱动，价格不高。应用在高端的逆变器等等当中，价格会稍有增加。 |
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| | | | | 如何识别检测贵的半导体产品？
回复内容：：我们一般是通过代理商专门渠道供应，保证品牌质量。 |
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| | | | | 如何识别检测贵的半导体产品？
回复内容：：我们一般是通过代理商专门渠道供应，保证品牌质量。 |
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| | | | | igbt最大功率多少？
回复内容：：单管的可以做到600伏/75安培，1200伏/40安培 |
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| | | | | igbt最大功率多少？
回复内容：：我们已量产了75A的IGBT单管，如需更高规格的，您可以并联使用 |
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| | | | | igbt最大功率多少？
回复内容：：我们已量产了75A的IGBT单管，如需更高规格的，您可以并联使用 |
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| | | | | igbt最大功率多少？
回复内容：：单管的可以做到600伏/75安培，1200伏/40安培 |
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| | | | | igbt最大功率多少？
回复内容：：我们已量产了75A的IGBT单管，如需更高规格的，您可以并联使用 |
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| | | | | igbt最大功率多少？
回复内容：：我们已量产了75A的IGBT单管，如需更高规格的，您可以并联使用 |
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| | | | | 主要应用在那些方面？可以用在汽车上面吗?
回复内容：：可以用在汽车上。我们公司前身——摩托罗拉半导体的IGBT在汽车点火器上应用到今天有50亿的出货量。目前常用的方向有电磁炉、电焊机、逆变器、不间断电源、马达驱动等等 |
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| | | | | 主要应用在那些方面？可以用在汽车上面吗?
回复内容：：可以用在汽车上。我们公司前身——摩托罗拉半导体的IGBT在汽车点火器上应用到今天有50亿的出货量。目前常用的方向有电磁炉、电焊机、逆变器、不间断电源、马达驱动等等 |
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| | | | | 在开关电源上使用和MOS比较有什么优点和缺点？能效有没有改善？
回复内容：：优点：耐高压大电流，缺点：拖尾电流。在目前在工作频率50KhZ一下应用，IGBT是有优势的 |
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| | | | | 在开关电源上使用和MOS比较有什么优点和缺点？能效有没有改善？
回复内容：：优点：耐高压大电流，缺点：拖尾电流。在目前在工作频率50KhZ一下应用，IGBT是有优势的 |
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| | | | | 哪里能够申请得到样品，是不是可以用来做电子负载机，效果比MOS管更好？
回复内容：：在50k 工作频率下是可以替换MOSFET的，您可以联系当地代理商申请样品 |
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| | | | | 哪里能够申请得到样品，是不是可以用来做电子负载机，效果比MOS管更好？
回复内容：：在50k 工作频率下是可以替换MOSFET的，您可以联系当地代理商申请样品 |
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| | | | | 可以用来做电子负载机吗？哪里可以申请到样品？
回复内容：：可以。请跟我们销售人员联系 |
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| | | | | 可以用来做电子负载机吗？哪里可以申请到样品？
回复内容：：可以。请跟我们销售人员联系 |
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| | | | | IGBT驱动除了用变压器驱动外，有没有专门的前驱动IC来驱动?
回复内容：：有，但是单管IGBT用IC驱动成本太高，没人用。 |
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| | | | | IGBT驱动除了用变压器驱动外，有没有专门的前驱动IC来驱动?
回复内容：：有，但是单管IGBT用IC驱动成本太高，没人用。 |
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| | | | | 安森美可以提供哪些技术支持？
回复内容：：帮助设计改进电路 |
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| | | | | 安森美可以提供哪些技术支持？
回复内容：：帮助设计改进电路 |
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| | | | | IGBT体内自带二极管吗？
回复内容：：多数带，也有不带的 |
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| | | | | IGBT体内自带二极管吗？
回复内容：：多数带，也有不带的 |
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